-
公开(公告)号：CN107532039A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680025739.5
申请日：2016-05-17
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C09D179/08 , C09D5/02 , C09D5/44
Abstract: 在本发明中，电沉积液(11)含有聚合物粒子、有机溶剂、碱性化合物及水，聚合物粒子由主链中不具有阴离子性基团的聚酰胺酰亚胺和/或聚酯酰亚胺构成，聚合物粒子的以个数为基准的中值粒径(D50)为0.05～0.5μm，且以个数为基准，在中值粒径(D50)的粒径±30％以内所存在的粒子为总粒子的50％以上。
-
公开(公告)号：CN106133933A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580015884.0
申请日：2015-03-23
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L41/187 , C01G25/00 , H01L41/318
CPC classification number: C04B35/491 , C01G25/006 , C01P2002/54 , C04B35/62218 , C04B35/624 , C04B35/6264 , C04B35/63444 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B2235/3229 , C04B2235/3234 , C04B2235/3249 , C04B2235/3296 , C04B2235/6023 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , H01L41/1876 , H01L41/318
Abstract: 本发明的掺杂Ce的PZT系压电膜由以通式：PbzCexZryTi1‑yO3表示的掺杂Ce的复合金属氧化物构成。并且，上述通式中的x、y及z分别满足0.005≤x≤0.05、0.40≤y≤0.55及0.95≤z≤1.15。而且，上述掺杂Ce的PZT系压电膜的极化量的磁滞优选由其中心向负侧偏移4kV/cm以上。
-
公开(公告)号：CN106007710A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610173372.3
申请日：2016-03-24
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B35/491
Abstract: 本发明提供一种寿命可靠性优异的铁电膜及其制造方法。本发明的铁电膜由多个烧成膜构成，所述铁电膜由含有Pb、Zr及Ti的钙钛矿结构的金属氧化物构成，Li、Na及K的总含量为3质量ppm以下，构成所述多个烧成膜的各烧成膜的一面中的Li、Na及K的总含量为另一面中的Li、Na及K的总含量的5倍以上。
-
公开(公告)号：CN102787356B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201210150587.5
申请日：2012-05-15
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L41/08 , H01L41/187 , H01L41/318 , H01L41/319 , H01L21/02
CPC classification number: H01L41/1876 , C30B1/023 , C30B29/16 , H01L21/02186 , H01L21/02194 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/02304 , H01L21/28291 , H01L28/55 , H01L28/56 , H01L28/65 , H01L28/75 , H01L29/516 , H01L35/22 , H01L35/34 , H01L41/0815 , H01L41/318 , H01L41/319 , Y10T428/249921 , Y10T428/25 , Y10T428/26 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供一种不设置晶种层、缓冲层，就能够简便地得到晶体取向被择优控制为（110）面的铁电薄膜的铁电薄膜的制造方法。通过在具有晶面为（111）轴向取向的下部电极的基板的下部电极上涂布铁电薄膜形成用组合物，进行加热使其结晶，从而在下部电极上制造铁电薄膜，在该制造方法中，铁电薄膜包含晶体取向被择优控制为（110）面的取向控制层，将取向控制层的结晶后的层厚设在5nm～30nm的范围内来形成。
-
公开(公告)号：CN102315025B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110178384.2
申请日：2011-06-29
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01L28/60 , B82Y30/00 , C04B35/4682 , C04B2235/3213 , C04B2235/441 , C04B2235/781 , C04B2235/785 , C04B2235/787 , H01G4/01 , H01G4/1227 , H01G4/33 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L28/55 , H01L28/65
Abstract: 一种薄膜电容器，其特征在于，形成下电极、将组合物涂覆至下电极上而没有进行温度高于300℃的退火过程、在从环境温度至500℃的预定温度下干燥，并且在500至800℃且高于干燥温度的预定温度下煅烧。从涂覆至煅烧的过程进行一次或至少两次，或者从涂覆至干燥的过程进行至少两次，然后煅烧进行一次。在第一次煅烧之后形成的电介质薄膜的厚度为20至600nm。下电极的厚度和在初次煅烧步骤之后形成的电介质薄膜的厚度之比（下电极厚度/介电薄膜厚度）优选为0.10至15.0。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105144353A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201480020867.1
申请日：2014-05-14
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L21/316 , C08L33/26 , C08L39/06
CPC classification number: H01L21/02197 , C09D133/26 , H01L21/02205 , H01L21/02282 , H01L28/55
Abstract: 本发明提供一种铁电薄膜形成用组合物及其制造方法。本发明的铁电薄膜形成用组合物是通过预烧工序及烧成工序来调整成膜的杨氏模量，且即使每一次的涂膜较厚，烧成时也几乎不发生龟裂而能够获得结晶性较高的薄膜，从而可减少涂膜次数而提高薄膜的制造效率。通过使用铁电薄膜形成用组合物，即使每一次的涂膜较厚，烧成时也几乎不发生龟裂而形成结晶性较高的薄膜，所述铁电薄膜形成用组合物的特征在于，该铁电薄膜形成用组合物是包含铁电薄膜的前驱体、溶剂及反应控制物质，且通过涂膜的预烧及烧成来形成铁电薄膜的组合物，上述反应控制物质的含量是在200℃～300℃的预烧阶段中成膜的杨氏模量为42GPa以下且在400℃～500℃的烧成阶段中成膜的杨氏模量成为55GPa以上的量。
-
公开(公告)号：CN102790169B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201210151102.4
申请日：2012-05-15
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L41/29 , H01L21/24 , H01L41/43 , H01L41/187
CPC classification number: H01L21/02197 , B05D3/0254 , B05D5/00 , H01L21/022 , H01L21/02282 , H01L21/28291 , H01L28/55 , H01L28/65 , H01L28/75 , H01L41/0815 , H01L41/319 , Y10T428/249921 , Y10T428/25 , Y10T428/26 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供一种不设置晶种层、缓冲层，就能够简便地得到晶体取向被择优控制为（100）面的铁电薄膜的铁电薄膜的制造方法。通过在具有晶面为（111）轴向取向的下部电极的基板的下部电极上涂布铁电薄膜形成用组合物，进行加热使其结晶，从而在下部电极上制造铁电薄膜，该该制造方法中，铁电薄膜包含晶体取向被择优控制为（100）面的取向控制层，将取向控制层的结晶后的层厚设在35nm～150nm的范围内来形成。
-
公开(公告)号：CN102173795B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201110025514.9
申请日：2009-05-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 意法半导体(图尔)有限公司
IPC: C04B35/491 , C04B35/472 , C04B35/622 , H01L21/316
CPC classification number: H01L41/1876 , B05D3/02 , B05D3/0209 , B05D3/04 , B05D3/0406 , B05D3/0413 , B05D3/0453 , B05D3/0473 , C01G25/006 , C01P2002/50 , C01P2006/40 , C04B24/40 , C04B24/42 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B35/624 , C04B35/632 , C04B35/6325 , C04B2111/92 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/44 , C04B2235/441 , C04B2235/443 , C04B2235/447 , C04B2235/449 , C04B2235/6585 , C23C18/1204 , C23C18/1225 , C23C18/1279 , C23C30/00 , H01B3/14 , H01G4/1245 , H01G4/206 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L27/108 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L41/18 , H01L41/1875 , H01L41/318
Abstract: 一种强电介质薄膜形成用组合物，为用于形成选自PLZT、PZT及PT的1种强电介质薄膜的强电介质薄膜形成用组合物，其特征在于，是用于形成采取混合复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物，所述混合复合金属氧化物是在通式(1)：(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3表示的复合金属氧化物A中混合包含P(磷)的复合氧化物B得到的，式(1)中0.9＜x＜1.3、0≤y＜0.1、0≤z＜0.9，包含用于构成上述复合金属氧化物A的原料及用于构成上述复合氧化物B的原料以能够提供上述通式(1)表示的金属原子比的比例溶解在有机溶剂中的有机金属化合物溶液。
-
公开(公告)号：CN103833372A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201310421569.0
申请日：2013-09-16
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B35/622
CPC classification number: H01L41/39 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/02315 , H01L28/55 , H01L28/65 , H01L41/318
Abstract: 本发明提供一种铁电薄膜的制造方法及复合电子组件的制造方法，所述铁电薄膜的制造方法不设置晶种层或缓冲层，就能够简便地制造结晶取向被择优控制为（100）面的铁电薄膜。通过向具有晶面为（111）轴向取向的下部电极的基板的下部电极的表面照射常压等离子体之后，涂布铁电薄膜形成用组合物，进行加热使其结晶，从而在下部电极上制造铁电薄膜。
-
公开(公告)号：CN103664169A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310397322.X
申请日：2013-09-04
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B35/491 , C04B35/622
CPC classification number: H01B3/448 , C04B35/472 , C04B35/493 , C04B35/632 , C04B35/6325 , C04B35/63444 , C04B2235/3227 , C04B2235/441 , C04B2235/449 , C04B2235/658 , C04B2235/6581 , C04B2235/6585 , C23C18/1216 , H01B19/04 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L28/55 , Y10T428/3192 , Y10T428/31938
Abstract: 本发明提供一种铁电薄膜形成用组合物及该薄膜的形成方法、通过该方法形成的薄膜以及复合电子组件。本发明中，即使在用于形成铁电薄膜的组合物中不掺杂Ce，且用于形成膜厚较厚的铁电薄膜的组合物不含有硝酸铅而含有乙酸铅，也不会在铁电薄膜上产生龟裂。通过铁电薄膜形成用组合物形成包含钛酸铅系钙钛矿膜或锆钛酸铅系复合钙钛矿膜的铁电薄膜。上述组合物包含乙酸铅、由乳酸构成的稳定剂以及聚乙烯吡咯烷酮。并且单体换算的聚乙烯吡咯烷酮相对于组合物中所含的钙钛矿A位原子的摩尔比大于0小于0.015。此外，聚乙烯吡咯烷酮的重均分子量为5000以上100000以下。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
128
records
(took 0.044 seconds)
