公开(公告)号：CN106463537B

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201480080154.4

申请日：2014-06-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 神户伸介 ,  河本厚信 ,  山本刚司

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够消除面内的电流分布的偏差的半导体装置。本发明所涉及的半导体装置是具有晶体管单元区域(37)的半导体装置(1)，该晶体管单元区域(37)是在半导体衬底(9)之上配置有多个晶体管的单元的区域，该半导体装置的特征在于，具有电极焊盘(2)，该电极焊盘(2)避开晶体管单元区域(37)而配置在半导体衬底(9)之上，且与各单元的一个电流电极电连接，晶体管单元区域(37)由电流驱动能力依赖于与电极焊盘(2)相距的距离而不同的多个区域(6、7、8)构成。

公开(公告)号：CN105144580B

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201380075414.4

申请日：2013-04-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山本刚司 ,  神户伸介

IPC: H03K17/08 ,  F02P3/055 ,  H03K17/695

CPC classification number: H03K17/687 ,  F02P3/055 ,  F02P3/08 ,  F02P3/096 ,  H03K17/0828 ,  H03K17/168

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种具有保护功能且能够实现小型化及低成本化的半导体装置。本发明的半导体装置具有开关元件(Q1)、驱动电路(11)和控制电路(30)。如果从驱动电路(11)输出高电平的驱动控制信号，则控制电路(30)使开关元件(Q1)的驱动停止，并对电荷蓄积用电容器(C1)进行充电。如果从驱动电路(11)输出了低电平的驱动控制信号，则控制电路(30)使用蓄积在电荷蓄积用电容器(C1)中的电荷，对开关元件(Q1)进行驱动。

公开(公告)号：CN106463537A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201480080154.4

申请日：2014-06-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 神户伸介 ,  河本厚信 ,  山本刚司

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L24/05 ,  F02P3/055 ,  F02P3/0552 ,  H01L23/4824 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L27/04 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0664 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/12 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/40 ,  H01L29/402 ,  H01L29/417 ,  H01L29/739 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05013 ,  H01L2224/05015 ,  H01L2224/0502 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/0556 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够消除面内的电流分布的偏差的半导体装置。本发明所涉及的半导体装置是具有晶体管单元区域(37)的半导体装置(1)，该晶体管单元区域(37)是在半导体衬底(9)之上配置有多个晶体管的单元的区域，该半导体装置的特征在于，具有电极焊盘配置在半导体衬底(9)之上，且与各单元的一个电流电极电连接，晶体管单元区域(37)由电流驱动能力依赖于与电极焊盘(2)相距的距离而不同的多个区域(6、7、8)构成。(2)，该电极焊盘(2)避开晶体管单元区域(37)而

公开(公告)号：CN102810852B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201210066405.6

申请日：2012-03-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 神户伸介 ,  河本厚信

IPC: H02H9/04

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0688 ,  H01L29/0619 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H02M2001/344 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明涉及半导体装置，目的在于提供能有效利用浪涌电压的能量的技术。半导体装置具有：并联连接体(1)，包括在第一和第二连接点(71、72)间并联连接的IGBT(1a)及恢复二极管(1b)；第一缓冲器件(SD1)，具有IGBT(1a)的耐压以下的钳位电平；第二缓冲器件(SD2)，具有向IGBT(1a)的驱动电路(53)提供电力的电力提供部(54)的输出电压以上的钳位电平。第一缓冲器件(SD1)的一个端子经第一连接点(71)与并联连接体(1)的一端连接，第一缓冲器件(SD1)的另一个端子经第三连接点(73)与第二缓冲器件(SD2)的一个端子连接，第二缓冲器件(SD2)的另一个端子经第二连接点(72)与并联连接体(1)的另一端连接。半导体装置经第二及第三连接点(72、73)向电力提供部(54)反馈电力。

公开(公告)号：CN102185598B

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201010609296.9

申请日：2010-12-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 神户伸介 ,  西村一广 ,  山田一树

IPC: H03K17/72

CPC classification number: F23Q3/004

Abstract: 本发明提供以简单结构实现在发生异常时可靠地保护半导体开关元件的软切断功能且可靠性高的点火器用功率半导体装置。点火器用功率半导体装置，具有对点火线圈的初级电流进行通电/切断的半导体开关元件和驱动控制所述半导体开关元件的集成电路，其中，所述集成电路包括：第一放电单元，在正常动作时，使蓄积在所述半导体开关元件的控制端子的电荷放电而切断，以使所述点火线圈的次级一侧产生火花塞跳火电压；以及第二放电单元，当检测到异常状态时，比所述第一放电单元缓慢地使蓄积在所述半导体开关元件的控制端子的电荷放电而切断，以使所述点火线圈的次级电压成为火花塞跳火电压以下。