公开(公告)号：CN109844936A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201680090273.7

申请日：2016-10-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉松直树 ,  碓井修 ,  井本裕儿

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/48

Abstract: 在半导体芯片(9)的上表面设有相互分离的第1以及第2发射极电极(12、13)。配线部件(15)具有与第1发射极电极(12)接合的第1接合部(15a)、以及与第2发射极电极(13)接合的第2接合部(15b)。树脂(2)对半导体芯片(9)、第1以及第2发射极电极(12、13)、以及配线部件(15)进行封装。在第1接合部(15a)和第2接合部(15b)之间，设有将配线部件(15)上下贯穿的孔(18)。

公开(公告)号：CN109844941B

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN201680090157.5

申请日：2016-10-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 川濑达也 ,  中田洋辅 ,  井本裕儿 ,  碓井修

IPC: H01L23/473 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K7/20

Abstract: 在导电性基座板(1)的上表面隔着绝缘基板(2)以及导电性图案(3a～3d)设置有多个半导体元件(4a～4f、5a～5f)。在导电性基座板(1)的下表面设置有多个鳍片(6)。散热性基座板(7)设置于多个鳍片(6)的前端。在底面具有流入口(9a)和流出口(9b)的冷却器(8)包围散热性基座板(7)以及多个鳍片(6)。分隔部(10)将由冷却器(8)和散热性基座板(7)包围的空间分离成与流入口(19a)相连的流入侧空间(11a)和与流出口(9b)相连的流出侧空间(11b)。在散热性基座板(7)的中央部设置有第1狭缝(12a)，在散热性基座板(7)的沿着从流入侧朝向流出侧的方向的两条边分别设置有第2以及第3狭缝(12b、12c)。第1狭缝(12a)与第2以及第3狭缝(12b、12c)的一者是与流入侧空间(11a)连接的流入侧狭缝，另一者是与流出侧空间(11b)连接的流出侧狭缝。

公开(公告)号：CN111052325A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201780094359.1

申请日：2017-09-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 碓井修

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/52 ,  H01L23/48

Abstract: 半导体芯片(2)具有表面电极(3)。导电性接合部件(8)设置在表面电极(3)之上，具有第1以及第2接合部件(8a、8b)。引线电极(9)经由第1接合部件(8a)而与表面电极(3)的一部分接合，不与第2接合部件(8b)接触。信号导线(11)与表面电极(3)接合。第2接合部件(8b)配置在第1接合部件(8a)与信号导线(11)之间。第1接合部件(8a)的厚度比第2接合部件(8b)的厚度厚。

公开(公告)号：CN104282641B

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201410314663.0

申请日：2014-07-03

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 新井规由 ,  碓井修

IPC: H01L23/367

CPC classification number: H01L23/3675 ,  H01L23/053 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/42 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49811 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置，其无需牺牲成本以及绝缘耐压就提高了散热性。本发明所涉及的半导体装置(100)具有：基座板(1)；绝缘层(2)，其设置在基座板(1)的上表面；金属图案(3)，其设置在绝缘层(2)上表面；半导体元件(7)，其与金属图案(3)接合；以及绝缘基板(11)，其与半导体元件(7)上表面接触并配置在该上表面，绝缘基板(11)的端部(11b)在俯视观察时位于半导体元件(7)的外侧，绝缘基板(11)的端部(11b)与金属图案(3)直接或间接地接合，半导体元件(7)在上表面具有电极，在绝缘基板(11)的俯视观察时与半导体元件(7)上表面的电极重叠的部分处设置通孔(11a)。

公开(公告)号：CN104282641A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410314663.0

申请日：2014-07-03

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 新井规由 ,  碓井修

IPC: H01L23/367

CPC classification number: H01L23/3675 ,  H01L23/053 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/42 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49811 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置，其无需牺牲成本以及绝缘耐压就提高了散热性。本发明所涉及的半导体装置(100)具有：基座板(1)；绝缘层(2)，其设置在基座板(1)的上表面；金属图案(3)，其设置在绝缘层(2)上表面；半导体元件(7)，其与金属图案(3)接合；以及绝缘基板(11)，其与半导体元件(7)上表面接触并配置在该上表面，绝缘基板(11)的端部(11b)在俯视观察时位于半导体元件(7)的外侧，绝缘基板(11)的端部(11b)与金属图案(3)直接或间接地接合，半导体元件(7)在上表面具有电极，在绝缘基板(11)的俯视观察时与半导体元件(7)上表面的电极重叠的部分处设置通孔(11a)。

公开(公告)号：CN103219301A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201210385725.8

申请日：2012-10-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 碓井修 ,  吉松直树 ,  菊池正雄

IPC: H01L23/433 ,  H01L23/14 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/3755 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40139 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73213 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/84

Abstract: 本发明涉及功率半导体模块及其制造方法。以低成本提供具有高的冷却性能的功率半导体模块。半导体芯片（120a、140a）的第一芯片主面与热分流器（160a）接合，半导体芯片（120a、140a）的第二芯片主面与第一电极（250a）接合。半导体芯片（120b、140b）的第一芯片主面与热分流器（160b）接合，半导体芯片（120b、140b）的第二芯片主面与第一电极（250b）接合。多个电极（250a、250b、270b、290a、290b）由引线框供给。从热分流器（160a、160b）观察，在与芯片（120a、140a、120b、140b）相反的一侧设置有绝缘构件（210）。从第一电极（250a、250b）观察，在与芯片（120a、140a、120b、140b）相反的一侧设置有绝缘基板。

公开(公告)号：CN102487053A

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN201110260135.8

申请日：2011-09-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 菊池正雄 ,  碓井修

IPC: H01L23/373 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/3735 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/473 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/32225

Abstract: 本发明的目的在于提供一种针对温度变化的可靠性较高的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置具有：冷却器（101），具有由金属基底（1）形成的主面；被接合层（3a、3b），隔着接合层（2a、2b）固定在金属基底（1）上；绝缘层（4a、4b），固定在被接合层（3a、3b）上并且以有机树脂为母材；金属层（5a、5b），设置在绝缘层（4a、4b）上；半导体元件（7a、7b、7c），设置在金属层（5a、5b）上。包括被接合层（3a、3b）、绝缘层（4a、4b）、金属层（5a、5b）的层叠体按一个或多个半导体元件（7a、7b、7c）被分割并且隔着接合层（2a、2b）固定在金属基底（1）上。