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公开(公告)号：CN113257801A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110162589.5
申请日：2021-02-05
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供能够在设置了缓冲电路后确认缓冲电路的耐压的半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：绝缘基板(1)；电路图案(6、7、8)，其设置于绝缘基板(1)之上；缓冲电路用基板(14)，其在绝缘基板(1)之上与电路图案(6、7、8)分离地设置；电阻(15)，其设置于电路图案(6、7、8)及缓冲电路用基板(14)中的一者；电容器(16)，其设置于电路图案(6、7、8)及缓冲电路用基板(14)中的另一者；以及半导体元件(9)，其与电阻(15)及电容器(16)电连接。
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公开(公告)号：CN107564875B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201710524567.2
申请日：2017-06-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/48
Abstract: 就半导体装置(100)而言，具有：电路图案(3)；与电路图案(3)接合的至少大于或等于1根的导线(4)；与导线(4)接合的电极端子(5)；以及半导体元件。电极端子(5)包含：水平延伸部(5A)，其以沿主表面的方式扩展，与导线(4)连接；以及弯折部(5B)，其用于相对于水平延伸部(5A)而变更延伸方向。在俯视观察时，电路图案(3)与导线(4)相接合的接合部(4A、4B)相比于导线(4)与电极端子(5)重叠的部分而配置在外侧。
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公开(公告)号：CN110896070A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201910844141.4
申请日：2019-09-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。目的在于提供能够检测组装后的缓冲用基板的耐压性的技术。半导体装置具备：缓冲用基板(6)，其以与P电极(2)以及N电极(3)分离的状态固定于基座(1)之上；缓冲电路(5)，其配置于缓冲用基板(6)之上，与P电极(2)以及N电极(3)电连接；以及半导体元件(8)，其与缓冲电路(5)电连接。基座(1)包含使P电极(2)、N电极(3)以及缓冲用基板(6)彼此绝缘的绝缘部件。
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公开(公告)号：CN109461710A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811011322.0
申请日：2018-08-31
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/40
Abstract: 目的在于提供能够提高产品的安装性的技术。半导体装置在经由一个安装孔(14b、14d)而将螺钉(12)紧固至散热器(1)的状态下，在将主体部(3a)下端与壳体(10)下端的垂直方向的距离设为M，将膨起部(3b)的膨起量设为W，将凸起部(11b)的凸起高度设为T，将从壳体(10)外周端至散热板(3)外周端为止的水平方向的距离设为L时，假想线(B－B’)和假想线(C－C’)所成的角度A满足0＜A＜arctan((M+W－T)/L)，假想线(B－B’)是将2个安装孔(14b、14c)连结的假想线，假想线(C－C’)是将以下两点连结的假想线，即：位于一个安装孔(14b)的周边部处的一个凸起部(11b)的最低点(C)；膨起部(3b)与散热器(1)的触点(C’)。
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公开(公告)号：CN118522702A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410177136.3
申请日：2024-02-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/48
Abstract: 提供能够抑制生产性的降低，并且防止TIM的泵出的半导体装置。还涉及半导体装置的制造方法。半导体装置(100)具有安装散热鳍片(10)的散热面(1a)、接合于散热面(1a)的至少1处的散热面导线(8)。散热面导线(8)的从散热面(1a)算起的凸出量大于或等于10μm且小于或等于200μm。散热鳍片(10)经由散热面导线(8)和热界面材料即TIM(9)被安装于半导体装置(100)的散热面(1a)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113496956B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202110270338.9
申请日：2021-03-12
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 清水康贵
IPC: H01L23/053 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 涉及半导体装置及其制造方法。目的是提供可削减在对将半导体元件围绕的壳体进行成型时使用的模具的制造所耗费的时间和制造成本的技术。半导体装置(100)具有：基座板(2)；冷却板(1)；绝缘基板(3)；半导体元件(6)；壳体(7)；引线框(8)，其与壳体(7)一体地形成并且在引线框的一个端部形成的端子(8a)凸出至壳体(7)外；以及封装材料(10)。壳体(7)具有：一对第1壳体部件(7a、7b)，以彼此相对的方式配置；以及一对第2壳体部件(7c、7d)，以与一对第1壳体部件(7a、7b)交叉并且彼此相对的方式配置。一对第1壳体部件(7a、7b)与一对第2壳体部件(7c、7d)通过彼此的两个端部连结而形成壳体(7)。
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公开(公告)号：CN118136617A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202311590412.0
申请日：2023-11-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/538 , H01L23/498
Abstract: 目的在于提供能够降低短路时的模块间的振荡的技术。半导体装置具有：第二金属图案，其与第一半导体元件及第二半导体元件电连接；第三金属图案，其与第二半导体元件电连接；第五金属图案，其与第三半导体元件及第四半导体元件电连接；第六金属图案，其与第四半导体元件电连接；以及第一导电部，其在俯视观察时跨过第三金属图案及第六金属图案，将第二金属图案与第五金属图案电连接。
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公开(公告)号：CN115000039A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210129260.3
申请日：2022-02-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/49 , H01L23/492 , H01L25/07
Abstract: 目的是提供可实现小型化且减小高电位端子与低电位端子间的电感的半导体装置。半导体装置(100)具有：绝缘基板(1)；电路图案(5)，包含在绝缘基板(1)之上设置的低电位电路图案(2)和在绝缘基板(1)之上的与低电位电路图案(2)相邻的区域设置的高电位电路图案(3)；多个半导体芯片(6)，搭载于电路图案(5)之上；低电位端子(7)，一端部与低电位电路图案(2)连接；以及高电位端子(8)，一端部与高电位电路图案(3)连接，高电位端子(8)及低电位端子(7)具有：平板部(8b、7b)，它们构成彼此上下平行地配置的平行平板，在低电位电路图案(2)侧延伸；以及电极部(8c、7c)，它们从绝缘基板(1)凸出。
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公开(公告)号：CN108630620B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201810219808.7
申请日：2018-03-16
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 目的在于提供一种能够针对半导体装置抑制封装树脂的剥离、大幅改善产品寿命的技术。半导体装置具有：绝缘基板(1)；金属块(2)，其配置于绝缘基板(1)的上表面；半导体元件(3)，其搭载于金属块(2)的上表面；壳体(10)，其将半导体元件(3)、金属块(2)以及绝缘基板(1)包围；以及封装树脂(9)，其对半导体元件(3)以及金属块(2)进行封装。在金属块(2)的与封装树脂(9)接触的面设置有槽部(2a)，槽部(2a)的开口的宽度(W1)比槽部(2a)的底面的宽度(W2)窄。
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公开(公告)号：CN107634036B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201710589661.6
申请日：2017-07-19
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/13 , H01L23/31 , H01L23/367
Abstract: 本发明涉及用于电力电子设备的半导体装置，目的在于得到能够实现施加于封装树脂的热应力的减少，而不妨碍来自半导体元件的热扩散的半导体装置。本发明涉及的半导体装置具备散热器、通过接合材料固定于该散热器的安装面的半导体元件、以及将该散热器和该半导体元件覆盖的封装树脂，在该安装面，在该半导体元件的周围形成槽，该半导体元件和该槽之间的长度大于或等于该槽的深度，该安装面的位于该半导体元件和该槽之间的区域的至少一部分并未发生该接合材料的浸润扩展。
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