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    光电动势装置及其制造方法
    11.
    发明公开
    光电动势装置及其制造方法 失效

    公开(公告)号：CN102017187A

    公开(公告)日：2011-04-13

    申请号：CN200880128931.2

    申请日：2008-04-30

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 米泽雅人 ,  筈见公一 ,  高见明宏 ,  森川浩昭 ,  西村邦彦

    IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0236

    CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547

    Abstract: 本发明提供一种光电动势装置的制造方法，无需大量追加制造工序，而可通过简单的工序形成在光电动势装置的与光入射侧电极接合的部分形成的高浓度扩散层。包括：在P型硅基板(101)和光的入射面侧的整个面形成按照第1浓度扩散了N型的杂质的高浓度N型扩散层(102H)的工序；在高浓度N型扩散层(102H)上形成耐蚀刻膜(103)，在耐蚀刻膜(103)上的凹部形成区域(105a)内的规定的位置处，形成微细孔(104)的工序；以微细孔(104)的形成位置为中心，以在凹部形成区域(105a)内不使高浓度N型扩散层残留的方式，对硅基板(101)进行蚀刻而形成凹部的工序；在形成凹部的面上形成按照比第1浓度低的第2浓度扩散了N型的杂质的低浓度N型扩散层(102L)的工序；以及在硅基板(101)的光的入射面侧的电极形成区域(105b)中形成栅电极(111)的工序。

    光电动势装置及其制造方法
    14.
    发明授权
    光电动势装置及其制造方法 失效 复审申请

    公开(公告)号：CN102077358B

    公开(公告)日：2015-09-09

    申请号：CN200880130064.6

    申请日：2008-07-03

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 水口一男 ,  森川浩昭

    IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

    CPC classification number: H01L31/068 ,  H01L31/022425 ,  Y02E10/547

    Abstract: 提供一种即使在高速焙烧条件下形成表面电极也可以使电极的宽度与未在高速焙烧条件下制作的以往的情况相同的光电动势装置。具备：p型硅基板(101)、在p型硅基板(101)的光的入射面侧形成的n型扩散层(102)、在n型扩散层(102)上形成的表面电极(110)、在p型硅基板(101)的与光的入射面对置的背面形成的p+层(103)、以及在p+层(103)上的规定的位置形成的背面电极(120)，表面电极(110)具有：在n型扩散层(102)上形成的第1电极层(111)；以及在第1电极层(111)上形成且电阻率比第1电极层(111)小的1层以上的第2电极层(112)。

    太阳能电池的制造方法
    15.
    发明公开
    太阳能电池的制造方法 失效

    公开(公告)号：CN104521002A

    公开(公告)日：2015-04-15

    申请号：CN201280075188.5

    申请日：2012-08-09

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 米泽雅人 ,  西村邦彦 ,  太田成人 ,  森川浩昭

    IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/028 ,  H01L31/18

    CPC classification number: H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/028 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    Abstract: 本发明通过包括如下工序而能够容易地实现选择发射极构造：第一工序，对第一导电类型的半导体基板(2)的一面侧的一部分涂敷含有第二导电类型的杂质元素的浆料(21)；第二工序，在处理室内对半导体基板实施不含有第二导电类型的杂质元素的气体的环境下的第一热处理，使第二导电类型的杂质元素从浆料扩散到半导体基板中的浆料的下部区域，从而在半导体基板的浆料的下部区域形成以第一浓度扩散了第二导电类型的杂质元素的第一杂质扩散层(3a)；第三工序，在处理室内接着第一热处理对半导体基板实施含有第二导电类型的杂质元素的含掺杂物气体的环境下的第二热处理，使第二导电类型的杂质元素从含掺杂物气体扩散到半导体基板的一面侧的未涂敷浆料的露出区域，从而在露出区域形成以低于第一浓度的第二浓度扩散了第二导电类型的杂质元素的第二杂质扩散层(3b)。

    太阳能电池单元及其制造方法
    16.
    发明授权
    太阳能电池单元及其制造方法 失效

    公开(公告)号：CN102077359B

    公开(公告)日：2012-10-03

    申请号：CN200880129990.1

    申请日：2008-06-26

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 滨笃郎 ,  森川浩昭

    IPC: H01L31/04

    CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0504 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    Abstract: 在第1导电类型的半导体基板的一面侧形成第2导电类型的杂质扩散层及反射防止膜，在反射防止膜上涂敷包含玻璃的第1电极材料，在半导体基板的另一面侧形成钝化膜，在钝化膜的至少一部分形成达到半导体基板的另一面侧的多个开口部，以掩埋多个开口部且不与邻接的开口部的第2电极材料接触的方式涂敷包含第1导电类型的杂质元素的第1电极材料，以与所涂敷的所有第2电极材料接触的方式在钝化膜上涂敷第3电极材料，在第1电极材料及第3电极材料的涂敷后以规定的温度加热半导体基板，从而同时形成贯通反射防止膜而与杂质扩散层电连接的第1电极、在半导体基板的另一面侧使第1导电类型的杂质比半导体基板的其他区域高浓度地扩散了的高浓度区域及与高浓度区域电连接的第2电极和第3电极。

    太阳能电池模块
    17.
    发明公开
    太阳能电池模块 无效

    公开(公告)号：CN102318079A

    公开(公告)日：2012-01-11

    申请号：CN200980156745.4

    申请日：2009-02-16

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 石原隆 ,  森川浩昭

    IPC: H01L31/042

    CPC classification number: H01L31/056 ,  H01L31/048 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547

    Abstract: 一种太阳能电池模块，是在具有透光性的表面侧密封部件与背面侧密封部件之间夹着的填充材料中将电连接的多个太阳能电池单元在表面侧密封部件的面内方向上隔开间隔进行埋设而成的，其中，在背面侧密封部件中，至少与太阳能电池单元对应的区域为高反射率部，具有针对400nm～1200nm范围的波长的光的平均反射率为50％以上的高反射率，在邻接的太阳能电池单元间的区域或者在太阳能电池模块的厚度方向上与该区域对应的区域中，在太阳能电池单元的反射防止膜的表面与背面侧密封部件之间的任一个位置处具备低反射率部，该低反射率部具有针对400nm～1200nm范围的波长的光的平均反射率不足50％的低反射率。

    太阳能电池单元
    18.
    发明公开
    太阳能电池单元 无效 复审申请

    公开(公告)号：CN101901846A

    公开(公告)日：2010-12-01

    申请号：CN201010128659.7

    申请日：2005-11-28

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 西田隆彦 ,  中谷光德 ,  森川浩昭 ,  唐木田升市

    IPC: H01L31/042 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

    CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

    Abstract: 通过具备光电变换层、在上述光电变换层的一个面一侧设置的第一电极、在上述光电变换层的另一个面一侧设置的第二电极以及在上述光电变换层的另一个面一侧在上述光电变换层的面内方向上其外缘部与上述第二电极交叠、同时将其角部作成圆角部、设置成大致四角形状并用于从上述第二电极取出输出的第三电极，得到有效地防止了与上述第二电极交叠地设置的上述第三电极的剥离的太阳能电池单元。

    太阳能电池单元及其制造方法
    19.
    发明授权
    太阳能电池单元及其制造方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN100490183C

    公开(公告)日：2009-05-20

    申请号：CN200580013772.8

    申请日：2005-11-28

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 唐木田升市 ,  西田隆彦 ,  中谷光德 ,  森川浩昭

    IPC: H01L31/0224

    CPC classification number: H01L31/022425 ,  Y02E10/50

    Abstract: 太阳能电池单元，包括光电变换衬底(10)、在上述衬底的一个面一侧设置的第一电极(21)、在上述衬底的另一个面一侧设置的第二电极(17)以及在上述衬底的另一个面一侧设置的第三电极(19)。上述第三电极从上述第二电极取出电力并且在沿着上述光电变换衬底的面的方向在其外缘部与上述第二电极交叠。上述第二电极的厚度比上述第三电极的厚度厚并且上述第二电极的厚度与上述第三电极的厚度之差大于等于10μm、小于等于30μm。

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