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公开(公告)号：CN102473751B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201080031337.9
申请日：2010-03-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0236 , C03C15/00
CPC classification number: C03C15/00 , C03C2218/355 , H01L31/02366 , Y02E10/50
Abstract: 包括：第一工序，在透光性基板的表面形成保护膜；第二工序，使以固定的间距有规则地排列的多个开口形成于保护膜而使透光性基板的表面露出；第三工序，将形成有开口的保护膜作为掩膜，对于透光性基板中的形成有保护膜的面，在保护膜具有抗性的条件下实施各向同性蚀刻，在透光性基板的表面形成大致均匀地设置呈大致半球状的凹陷而成的抛物线状的凹凸形状；以及第四工序，去除保护膜，其中，在第四工序中，在形成抛物线状的凹凸形状之后继续进行各向同性蚀刻，从透光性基板剥离保护膜，并且对抛物线状的凹凸形状中的凸部的顶端部实施圆形加工。
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公开(公告)号：CN102414833B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201080018699.4
申请日：2010-03-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/02363 , H01L31/028 , H01L31/03682 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的太阳能电池单元具有：半导体基板；表面凹凸部，形成于上述半导体基板的受光面侧的主面上；半导体层，沿着该表面凹凸部形成且具有导电型；以及反射防止膜，形成于该半导体层的受光面侧，其中，在上述半导体基板的背面侧的主面上形成钝化膜，在该钝化膜中设置至少1个开口部，形成有：第1背面电极，在上述钝化膜上与上述开口部所占的范围的所有部分重叠、并且覆盖上述开口部；以及第2背面电极，在上述钝化膜上与上述第1背面电极所占的范围的所有部分重叠、并且覆盖上述第1背面电极，从而提供在钝化膜上具有不会引起电极剥离、电极导体的高电阻那样的部分性的背面电极的光电子变换效率高的太阳能电池单元及其制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102414833A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080018699.4
申请日：2010-03-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/02363 , H01L31/028 , H01L31/03682 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的太阳能电池单元具有：半导体基板；表面凹凸部，形成于上述半导体基板的受光面侧的主面上；半导体层，沿着该表面凹凸部形成且具有导电型；以及反射防止膜，形成于该半导体层的受光面侧，其中，在上述半导体基板的背面侧的主面上形成钝化膜，在该钝化膜中设置至少1个开口部，形成有：第1背面电极，在上述钝化膜上与上述开口部所占的范围的所有部分重叠、并且覆盖上述开口部；以及第2背面电极，在上述钝化膜上与上述第1背面电极所占的范围的所有部分重叠、并且覆盖上述第1背面电极，从而提供在钝化膜上具有不会引起电极剥离、电极导体的高电阻那样的部分性的背面电极的光电子变换效率高的太阳能电池单元及其制造方法。
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公开(公告)号：CN101652866B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200780052695.6
申请日：2007-12-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L31/02363 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种可以简便地形成纵横比大于0.5的组织的光伏装置的制造方法。包括：在硅基板上形成具有耐蚀刻性的膜的工序；通过照射焦点深度被调整为10μm以上的激光光束，在上述具有耐蚀刻性的膜上打开多个微细孔而使基底的硅基板表面露出的工序；以及对上述硅基板的表面进行蚀刻的工序，在使上述硅基板表面露出的工序中，在上述具有耐蚀刻性的膜的下部的硅基板上，在与上述微细孔同心的位置处形成微细凹陷。
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公开(公告)号：CN101652866A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200780052695.6
申请日：2007-12-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L31/02363 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种可以简便地形成纵横比大于0.5的组织的光伏装置的制造方法。包括：在硅基板上形成具有耐蚀刻性的膜的工序；通过照射焦点深度被调整为10μm以上的激光光束，在上述具有耐蚀刻性的膜上打开多个微细孔而使基底的硅基板表面露出的工序；以及对上述硅基板的表面进行蚀刻的工序，在使上述硅基板表面露出的工序中，在上述具有耐蚀刻性的膜的下部的硅基板上，在与上述微细孔同心的位置处形成微细凹陷。
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公开(公告)号：CN100464395C
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200580031218.2
申请日：2005-10-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/312 , C23C16/38 , H01L21/768
CPC classification number: C23C16/38 , H01L21/318 , H01L21/76801
Abstract: 本发明提供使用具有硼嗪骨架的化合物(优选下述化学式(1)(式中，R1-R6可以分别相同也可以不同，分别单独地选自氢原子、C1-4的烷基，链烯基或炔基，并且R1-R6的至少1个不是氢原子)表示的化合物)作为原料，采用化学气相淀积法在基板上形成膜的方法中，对设置前述基板的部位施加负电荷为特征的膜的制造方法，及使用该方法制造的膜的半导体装置。采用这样的发明可提供长期、稳定地得到低介电常数和高机械强度，同时降低加热膜时放出的气体成分(放出气)量，不引起器件制造工艺上的问题的膜的制造方法。
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公开(公告)号：CN101023516A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200580031218.2
申请日：2005-10-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/312 , C23C16/38 , H01L21/768
CPC classification number: C23C16/38 , H01L21/318 , H01L21/76801
Abstract: 本发明提供使用具有硼嗪骨架的化合物(优选下述化学式(1)(式中，R1－R6可以分别相同也可以不同，分别单独地选自氢原子、C1－4的烷基，链烯基或炔基，并且R1－R6的至少1个不是氢原子)表示的化合物)作为原料，采用化学气相淀积法在基板上形成膜的方法中，对设置前述基板的部位施加负电荷为特征的膜的制造方法，及使用该方法制造的膜的半导体装置。采用这样的发明可提供长期、稳定地得到低介电常数和高机械强度，同时降低加热膜时放出的气体成分(放出气)量，不引起器件制造工艺上的问题的膜的制造方法。
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