公开(公告)号：CN102013391B

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201010277983.5

申请日：2010-09-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田和成 ,  本并薰 ,  楢崎敦司 ,  小野山步 ,  本田成人 ,  藤井亮一 ,  平田智也

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3083 ,  H01L21/304 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体衬底(1)的表面(1a)中，残留有从外周端部朝向内侧、具有规定的宽度并沿着外周端部延伸的钝化膜(3)。通过对半导体衬底(1)的外周端部进行磨削，形成与表面(1a)和背面(1b)正交的外周端面(1c)。通过对背面(1b)进行磨削，从而使半导体衬底(1)的厚度变薄到规定的厚度。在使磨削了的背面朝向上方的状态下，通过一边使半导体衬底(1)旋转一边在背面上喷出混合酸，从而在背面实施蚀刻处理除去破碎层。由此，抑制半导体衬底的出缺口、破裂。

公开(公告)号：CN101196668B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200710198911.X

申请日：2007-12-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 竹口彻 ,  今村卓司 ,  山吉一司 ,  入住智之 ,  西浦笃德 ,  本并薰

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1362 ,  H01L29/786 ,  H01L21/027 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L28/60 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明涉及显示装置及其制造方法。在使用了多晶半导体膜的薄膜晶体管中，在形成保持电容的情况下，多是将多晶半导体膜也用于电容的一个电极。在具备了具有这样的多晶半导体膜的保持电容和薄膜晶体管的显示装置中，由于保持电容表现出起因于半导体膜的电压依赖性，故引起了显示不良。在本发明的显示装置中，在由用作保持电容(130)的下部电极的多晶半导体膜构成的半导体层(4d)的上层层叠了金属性导电膜(5)。

公开(公告)号：CN101030005A

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200710085016.7

申请日：2007-02-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 伊藤康悦 ,  本并薰

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/133 ,  G09F9/00

CPC classification number: G02F1/133553 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136231

Abstract: 本发明提供一种图像显示装置，其不仅在像素区域内的反射电极的下层形成用于附加电路等的信号线，而且还能够减少在反射电极的表面形成凹凸形状时的制造工序数。该图像显示装置中，在玻璃基板(14)上形成附加电路，并使钝化膜(4)成膜。进而在绝缘膜(2)成膜后，形成接触孔，使信号线(3)成膜，与附加电路连接。通过在图案形成信号线(3)及绝缘膜(2)之后形成有机绝缘膜(1)，从而能够依赖信号线(3)及绝缘膜(2)的台阶，在有机绝缘膜(1)的表面形成凹凸形状。通过在有机绝缘膜(1)上形成反射电极(10)，从而能够在反射电极(10)的表面也形成凹凸形状。即，不必实施用于形成有机绝缘膜(1)的表面凹凸形状的光刻法工序，能够降低制造成本。