公开(公告)号：CN102194688A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110001689.6

申请日：2011-01-06

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 藤井亮一 ,  本田成人 ,  梄崎敦司 ,  本并薰

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/314 ,  H01L21/762 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/063 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/8611 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供能在不产生绝缘膜厚度的偏差或衬底损伤的情况下形成在半导体衬底中埋入绝缘膜的RESURF结构的功率用半导体装置的制造方法和用该方法制造的功率用半导体装置。本发明的制造方法具有：工序（a），在半导体衬底（6）上形成硅氮化膜（7）；工序（b），在工序（a）后，沿半导体衬底（6）的边缘部形成环状的沟槽（2）；工序（c），在沟槽（2）的内表面形成第一硅氧化膜（10）；工序（d），在工序（c）后，在半导体衬底（6）的整个面形成第二硅氧化膜（13）以掩埋沟槽（2）；工序（e），以硅氮化膜（7）为阻挡层进行第二硅氧化膜（13）的平坦化处理；工序（f），在除去硅氮化膜（7）的区域形成第三硅氧化膜（14）。

公开(公告)号：CN101887884A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN201010134779.8

申请日：2010-03-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 樽井阳一郎 ,  楢崎敦司 ,  藤井亮一

IPC: H01L23/62

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/408 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种使用了保护环的半导体装置，在其中设置有：包围pn结区域(8)的p型保护环区域(7)；覆盖p型保护环区域(7)的绝缘膜(9)；通过设置在绝缘膜(9)的接触孔(10)与p型保护环区域(7)电连接的导电膜(11)；以及覆盖绝缘膜(9)和导电膜(11)的半绝缘膜(12)。进而，导电膜(11)断续地配置。由此，即使异物等附着在导电膜(11)的表面，也能够确保所希望的耐压特性。

公开(公告)号：CN101887884B

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201010134779.8

申请日：2010-03-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 樽井阳一郎 ,  楢崎敦司 ,  藤井亮一

IPC: H01L23/62

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/408 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种使用了保护环的半导体装置，在其中设置有：包围pn结区域(8)的p型保护环区域(7)；覆盖p型保护环区域(7)的绝缘膜(9)；通过设置在绝缘膜(9)的接触孔(10)与p型保护环区域(7)电连接的导电膜(11)；以及覆盖绝缘膜(9)和导电膜(11)的半绝缘膜(12)。进而，导电膜(11)断续地配置。由此，即使异物等附着在导电膜(11)的表面，也能够确保所希望的耐压特性。

公开(公告)号：CN102013391A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN201010277983.5

申请日：2010-09-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田和成 ,  本并薰 ,  楢崎敦司 ,  小野山步 ,  本田成人 ,  藤井亮一 ,  平田智也

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3083 ,  H01L21/304 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体衬底(1)的表面(1a)中，残留有从外周端部朝向内侧、具有规定的宽度并沿着外周端部延伸的钝化膜(3)。通过对半导体衬底(1)的外周端部进行磨削，形成与表面(1a)和背面(1b)正交的外周端面(1c)。通过对背面(1b)进行磨削，从而使半导体衬底(1)的厚度变薄到规定的厚度。在使磨削了的背面朝向上方的状态下，通过一边使半导体衬底(1)旋转一边在背面上喷出混合酸，从而在背面实施蚀刻处理除去破碎层。由此，抑制半导体衬底的出缺口、破裂。

公开(公告)号：CN102194688B

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201110001689.6

申请日：2011-01-06

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 藤井亮一 ,  本田成人 ,  梄崎敦司 ,  本并薰

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/314 ,  H01L21/762 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/063 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/8611 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供能在不产生绝缘膜厚度的偏差或衬底损伤的情况下形成在半导体衬底中埋入绝缘膜的RESURF结构的功率用半导体装置的制造方法和用该方法制造的功率用半导体装置。本发明的制造方法具有：工序（a），在半导体衬底（6）上形成硅氮化膜（7）；工序（b），在工序（a）后，沿半导体衬底（6）的边缘部形成环状的沟槽（2）；工序（c），在沟槽（2）的内表面形成第一硅氧化膜（10）；工序（d），在工序（c）后，在半导体衬底（6）的整个面形成第二硅氧化膜（13）以掩埋沟槽（2）；工序（e），以硅氮化膜（7）为阻挡层进行第二硅氧化膜（13）的平坦化处理；工序（f），在除去硅氮化膜（7）的区域形成第三硅氧化膜（14）。

公开(公告)号：CN102013391B

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201010277983.5

申请日：2010-09-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田和成 ,  本并薰 ,  楢崎敦司 ,  小野山步 ,  本田成人 ,  藤井亮一 ,  平田智也

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3083 ,  H01L21/304 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体衬底(1)的表面(1a)中，残留有从外周端部朝向内侧、具有规定的宽度并沿着外周端部延伸的钝化膜(3)。通过对半导体衬底(1)的外周端部进行磨削，形成与表面(1a)和背面(1b)正交的外周端面(1c)。通过对背面(1b)进行磨削，从而使半导体衬底(1)的厚度变薄到规定的厚度。在使磨削了的背面朝向上方的状态下，通过一边使半导体衬底(1)旋转一边在背面上喷出混合酸，从而在背面实施蚀刻处理除去破碎层。由此，抑制半导体衬底的出缺口、破裂。