公开(公告)号：CN102013391A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN201010277983.5

申请日：2010-09-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田和成 ,  本并薰 ,  楢崎敦司 ,  小野山步 ,  本田成人 ,  藤井亮一 ,  平田智也

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3083 ,  H01L21/304 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体衬底(1)的表面(1a)中，残留有从外周端部朝向内侧、具有规定的宽度并沿着外周端部延伸的钝化膜(3)。通过对半导体衬底(1)的外周端部进行磨削，形成与表面(1a)和背面(1b)正交的外周端面(1c)。通过对背面(1b)进行磨削，从而使半导体衬底(1)的厚度变薄到规定的厚度。在使磨削了的背面朝向上方的状态下，通过一边使半导体衬底(1)旋转一边在背面上喷出混合酸，从而在背面实施蚀刻处理除去破碎层。由此，抑制半导体衬底的出缺口、破裂。

公开(公告)号：CN102013391B

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201010277983.5

申请日：2010-09-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田和成 ,  本并薰 ,  楢崎敦司 ,  小野山步 ,  本田成人 ,  藤井亮一 ,  平田智也

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3083 ,  H01L21/304 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体衬底(1)的表面(1a)中，残留有从外周端部朝向内侧、具有规定的宽度并沿着外周端部延伸的钝化膜(3)。通过对半导体衬底(1)的外周端部进行磨削，形成与表面(1a)和背面(1b)正交的外周端面(1c)。通过对背面(1b)进行磨削，从而使半导体衬底(1)的厚度变薄到规定的厚度。在使磨削了的背面朝向上方的状态下，通过一边使半导体衬底(1)旋转一边在背面上喷出混合酸，从而在背面实施蚀刻处理除去破碎层。由此，抑制半导体衬底的出缺口、破裂。