公开(公告)号：CN117438386A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202310864292.2

申请日：2023-07-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日野泰成 ,  新井规由 ,  鹿野武敏

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/40 ,  H01L21/50 ,  H02M7/5387 ,  H02M1/08

Abstract: 提供改善了可靠性的半导体装置及使用了该半导体装置的电力转换装置。还涉及半导体装置的制造方法。半导体装置(1)具有半导体元件(2)、第1散热基板(4)、第2散热基板(5)和散热块(6)。半导体元件(2)具有电极(3)。在第1散热基板(4)搭载有半导体元件(2)。散热块(6)以与电极(3)相对的方式配置。在从散热块(6)进行观察时，第2散热基板(5)配置于与电极(3)相反侧。接合材料(13)将散热块(6)的侧面覆盖，与半导体元件(2)的电极(3)及第2散热基板(5)接触。

公开(公告)号：CN104282641B

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201410314663.0

申请日：2014-07-03

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 新井规由 ,  碓井修

IPC: H01L23/367

CPC classification number: H01L23/3675 ,  H01L23/053 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/42 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49811 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置，其无需牺牲成本以及绝缘耐压就提高了散热性。本发明所涉及的半导体装置(100)具有：基座板(1)；绝缘层(2)，其设置在基座板(1)的上表面；金属图案(3)，其设置在绝缘层(2)上表面；半导体元件(7)，其与金属图案(3)接合；以及绝缘基板(11)，其与半导体元件(7)上表面接触并配置在该上表面，绝缘基板(11)的端部(11b)在俯视观察时位于半导体元件(7)的外侧，绝缘基板(11)的端部(11b)与金属图案(3)直接或间接地接合，半导体元件(7)在上表面具有电极，在绝缘基板(11)的俯视观察时与半导体元件(7)上表面的电极重叠的部分处设置通孔(11a)。

公开(公告)号：CN106663639A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201480081620.0

申请日：2014-08-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 北岛由美惠 ,  柳本辰则 ,  新井规由

IPC: H01L21/60 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明的目的在于得到一种接合部的可靠性高的半导体装置。本发明所涉及的半导体装置具有：绝缘基板(1)，其形成有导电性图案(4b)；以及电极端子(6)及半导体元件，它们与导电性图案(4b)接合，电极端子(6)和导电性图案(4b)在接合面(7)处进行了超声波接合，进行超声波接合的部位为多个。

公开(公告)号：CN104282641A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410314663.0

申请日：2014-07-03

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 新井规由 ,  碓井修

IPC: H01L23/367

CPC classification number: H01L23/3675 ,  H01L23/053 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/42 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49811 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置，其无需牺牲成本以及绝缘耐压就提高了散热性。本发明所涉及的半导体装置(100)具有：基座板(1)；绝缘层(2)，其设置在基座板(1)的上表面；金属图案(3)，其设置在绝缘层(2)上表面；半导体元件(7)，其与金属图案(3)接合；以及绝缘基板(11)，其与半导体元件(7)上表面接触并配置在该上表面，绝缘基板(11)的端部(11b)在俯视观察时位于半导体元件(7)的外侧，绝缘基板(11)的端部(11b)与金属图案(3)直接或间接地接合，半导体元件(7)在上表面具有电极，在绝缘基板(11)的俯视观察时与半导体元件(7)上表面的电极重叠的部分处设置通孔(11a)。

公开(公告)号：CN1510744A

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN03157742.3

申请日：2003-08-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 新井规由 ,  本田喜久

IPC: H01L23/29 ,  H05K9/00

CPC classification number: H01L23/24 ,  H01L23/552 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 在将功率半导体元件等芯片封装后的功率模块中，对模块内的多个电极(引线)设置降噪声的部件，在安装空间方面存在困难。解决手段是：在功率模块中，把连接芯片和连接端子的多个电极(8)集中用单一的铁氧体磁芯(15)包围起来，并把该铁氧体磁芯埋设在芯片保护用的凝胶质硅(14)中。