多赫蒂放大器
    12.
    发明公开
    多赫蒂放大器 审中-实审

    公开(公告)号:CN117321911A

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202180098251.6

    申请日:2021-05-27

    Abstract: 多赫蒂放大器(100)构成为,具备:载波放大器(4),其对分别具有第1高次谐波和第2高次谐波的第1高频信号进行放大;峰值放大器(7),其对分别具有第1高次谐波和第2高次谐波的第2高频信号进行放大;第1串联谐振电路(9),其连接在载波放大器(4)的输出端(4a)与接地端之间,以第1高次谐波的频率进行谐振;第2串联谐振电路(10),其连接在峰值放大器(7)的输出端(7a)与接地端之间,以第1高次谐波的频率进行谐振;第1并联谐振电路(11),其一端与载波放大器(4)的输出端(4a)连接,另一端与峰值放大器(7)的输出端(7a)连接,以第2高次谐波的频率进行谐振;以及第2并联谐振电路(13),其一端与峰值放大器(7)的输出端(7a)及第1并联谐振电路(11)的另一端分别连接,另一端与负载(17)电连接,以第2高次谐波的频率进行谐振。

    功率放大器
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103684287A

    公开(公告)日:2014-03-26

    申请号:CN201310408044.3

    申请日:2013-09-10

    Abstract: 获得能够抑制因半导体加工偏差引起的无功电流的变动的功率放大器。放大元件(Tr3)将从外部输入的输入信号放大。偏置电路(2)将偏置电流供应至放大元件(Tr3)的输入。在偏置电路(2)中,第一电阻(Rb8)的一端连接于来自电池的电池电压所施加的参考电压端子(Vref)。第二电阻(Rb10)在第一电阻(Rb8)的另一端与接地点之间连接。第一晶体管(Trb8)的基极连接于第一电阻(Rb8)和第二电阻(Rb10)的连接点,集电极连接于电源,发射极连接于放大元件(Tr3)的输入。第一电阻(Rb8)、第二电阻(Rb10)由相同的材料构成。

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