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公开(公告)号：CN108350596B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201580084388.0
申请日：2015-11-12
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及Cu镀层的形成方法、带有Cu镀层的基板的制造方法及带有Cu镀层的基板。本发明的Cu镀层的形成方法包含：在基板的一表面以平均结晶粒径成为50nm以上且300nm以下的方式形成Cu种子层的第1工序；在氧气氛中在Cu种子层的表面形成氧化膜的第2工序；将氧化膜的一部分除去的第3工序；对Cu种子层给电、在Cu种子层的氧化膜的表面通过电解镀覆而形成Cu镀层的第4工序。
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公开(公告)号：CN109219868A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201780034537.1
申请日：2017-05-15
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/78
Abstract: 半导体装置具备半导体基板(1)、绝缘膜(2)以及电极(3)。半导体基板(1)具有第一表面(1a)。绝缘膜(2)设置于半导体基板(1)的第一表面(1a)上，且在与第一表面(1a)相反的一侧具有第二表面(2a)。电极(3)连接于绝缘膜(2)的第二表面(2a)，且具有侧面(3a)、与所述绝缘膜(2)接触的第一面(3e)以及位于与第一面(3e)相反的一侧的第二面(3f)。电极(3)的第二面(3f)的外周形成于比第一面(3e)的外周靠内侧的位置。
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公开(公告)号：CN116134593A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202080104728.2
申请日：2020-08-03
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 佐藤祐司
IPC: H01L21/60
Abstract: 得到减轻被键合的布线部件对包括半导体元件的基底造成的影响来提高可靠性的半导体装置。半导体装置具备：半导体元件(1)，具有第一主面；第一金属部件(2)，形成于第一主面上；第二金属部件(3)，形成于第一金属部件(2)的上表面上；第三金属部件(4)，形成于第二金属部件(3)的上表面上；第四金属部件(5)，形成于第三金属部件(4)的上表面上，以铜为主成分；以及布线部件(6)，接合到与第三金属部件(4)的形成位置对应的第四金属部件(5)的上表面上，以铜为主成分。
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公开(公告)号：CN115116865A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210246261.6
申请日：2022-03-14
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 得到能够抑制制造成本且可靠地将电极部件从装置上表面引出的半导体装置的制造方法。将具有主电极和控制电极的半导体芯片接合至基板。将具有第1电极、第2电极和连接它们的配线的配线用芯片接合至基板。将主电极部件经由第1接合材料接合至主电极。将控制电极部件经由第2接合材料接合至第2电极。将控制电极与第1电极通过连接部件连接。将接合后的半导体芯片、基板、配线用芯片、主电极部件、控制电极部件及连接部件置入模具，在将主电极部件及控制电极部件的前端面按压至设置于它们与模具之间的缓冲材料的状态下向模具中注入封装材料，通过其将半导体芯片、基板、配线用芯片、主电极部件、控制电极部件及连接部件封装。不对封装材料进行磨削。
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公开(公告)号：CN114041207A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201980098022.7
申请日：2019-07-04
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/04
Abstract: 半导体装置(10)具备基底板(1)、衬底(2)、半导体元件(3)、壳体(4)和布线端子(5)。壳体(4)以覆盖衬底(2)及半导体元件(3)的方式配置于基底板(1)上。布线端子(5)与半导体元件(3)电连接。壳体(4)包括第1壳体部(41)和与第1壳体部(41)分开的第2壳体部(42)。布线端子(5)包括第1布线部(51)和第2布线部(52)。第1布线部(51)以从壳体(4)的内部向外部突出的方式配置并且与半导体元件电连接。第2布线部(52)相对于第1布线部(51)弯曲并且配置于壳体(4)的外部。第1壳体部(41)及第2壳体部(42)以夹住第1布线部(51)的方式配置。
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公开(公告)号：CN109727960A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811261366.9
申请日：2018-10-26
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明得到高可靠性且长寿命的半导体模块、其制造方法以及电力变换装置。导体板(14、16)经由接合材料(13、15)接合至半导体元件(2、3)的上表面电极(5、7)。作为导线或者带状连接件的配线(17、18)与导体板(14、16)键合。接合材料(13、15)是向金属的烧结材料的间隙加入了树脂而成的。
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公开(公告)号：CN115699267B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202080101224.5
申请日：2020-05-28
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 佐藤祐司
IPC: H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522
Abstract: 在半导体装置(1)中，在规定于半导体基板(3)的键合区域(20)中形成有具有第一凹凸部(6)的第一构造体(5)和覆盖第一构造体(5)的具有第二凹凸部(8)的第二构造体(7)。金属布线(13)被接合于第二构造体(7)中的第二凹凸部(8)。第二凹凸部(8)中的凹陷的深度比第一凹凸部(6)中的凹陷的深度浅。规定键合区域(20)的绝缘性构件(11)以到达半导体基板(3)的方式形成。
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公开(公告)号：CN115699267A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202080101224.5
申请日：2020-05-28
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 佐藤祐司
IPC: H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522
Abstract: 在半导体装置(1)中，在规定于半导体基板(3)的键合区域(20)中形成有具有第一凹凸部(6)的第一构造体(5)和覆盖第一构造体(5)的具有第二凹凸部(8)的第二构造体(7)。金属布线(13)被接合于第二构造体(7)中的第二凹凸部(8)。第二凹凸部(8)中的凹陷的深度比第一凹凸部(6)中的凹陷的深度浅。规定键合区域(20)的绝缘性构件(11)以到达半导体基板(3)的方式形成。
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公开(公告)号：CN109219868B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN201780034537.1
申请日：2017-05-15
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/78
Abstract: 半导体装置具备半导体基板(1)、绝缘膜(2)以及电极(3)。半导体基板(1)具有第一表面(1a)。绝缘膜(2)设置于半导体基板(1)的第一表面(1a)上，且在与第一表面(1a)相反的一侧具有第二表面(2a)。电极(3)连接于绝缘膜(2)的第二表面(2a)，且具有侧面(3a)、与所述绝缘膜(2)接触的第一面(3e)以及位于与第一面(3e)相反的一侧的第二面(3f)。电极(3)的第二面(3f)的外周形成于比第一面(3e)的外周靠内侧的位置。
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公开(公告)号：CN114792671A
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202210065866.5
申请日：2022-01-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 得到能够容易地提高绝缘耐量的半导体装置、功率模块及半导体装置的制造方法。第2导体板(2)与第1导体板(1)分离。多个半导体元件(3)的背面电极与第1导体板连接。中继基板(7)设置于第2导体板之上。中继基板(7)具有多个第1中继焊盘(10)和与多个第1中继焊盘连接的第2中继焊盘(11)。多个半导体元件的控制电极(4)与多个第1中继焊盘分别连接。第1导体块(13)与多个半导体元件(3)的表面电极(5)连接。第2导体块(14)与第2中继焊盘(11)连接。第1导体板(1)从封装材料(15)的第1主面(S1)露出。第2导体板(2)不从第1主面(S1)露出。第1及第2导体块(14)从第2主面(S2)露出。
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