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公开(公告)号：CN102857179A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210212126.6
申请日：2012-06-26
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03F3/20
CPC classification number: H03F1/0277 , H03F1/565 , H03F3/191 , H03F3/211 , H03F3/72 , H03F2203/21136 , H03F2203/7233
Abstract: 本发明获得对于元件差异及频率特性不敏感且低损耗的功率放大器。放大元件（Tr1）放大从输入端子（IN）输入的输入信号。放大元件（Tr2）对放大元件（Tr1）的输出信号进行放大。放大元件（Tr2）的输出信号从输出端子（OUT）输出。匹配电路（M3a、M3b）连接在放大元件（Tr2）的输出与输出端子（OUT）之间。开关（SW1）连接在放大元件（Tr1）的输出与放大元件（Tr2）的输入之间。开关（SW2）的一端连接到放大元件（Tr1）的输出。匹配电路（M3a、M3b）具有串联连接在放大元件（Tr2）的输出与接地点之间的电感器（L5）及电容器（C1）。在连接电感器（L5）与电容器（C1）的连接点（Ｘ）连接有开关（SW2）的另一端。
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公开(公告)号：CN114731141B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN201980101189.4
申请日：2019-12-10
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 佐佐木善伸
Abstract: 放大元件(T1)放大输入信号。高次谐波匹配电路(3)经由第一线缆(W1)与放大元件(T1)的输出端连接。高次谐波匹配电路(3)具有：与第一线缆(W1)连接的第一电感器(L1)、与第一电感器(L1)串联地连接的第一电容器(C1)、与第一电感器(L1)并联地连接的第二电感器(L2)、以及与第二电感器(L2)串联地连接的第二电容器(C2)。第一电感器(L1)与第二电感器(L2)形成呈减极性的互感的减极性耦合器。
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公开(公告)号：CN116325493B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202080105811.1
申请日：2020-12-03
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 佐佐木善伸
Abstract: 一种多赫蒂放大器，通过第一输入相位延迟电路(2)、载波放大器(4)和第二输出相位延迟电路(7)的路径的通过相位、与通过第二输入相位延迟电路(3)、峰值放大器(5)和第二输出相位延迟电路(7)的路径的通过相位在工作频带上相同。从第一晶体管(10)观察第一晶体管(10)的漏极侧的寄生电容与第一输出相位延迟电路(6)在工作频带的中心频率处构成90度线路。从第二晶体管(12)观察第二晶体管(12)的漏极侧的寄生电容与第二输出相位延迟电路(7)在中心频率处构成0度线路。峰值放大器(5)截止时从合成点(13)观察的由第二晶体管(12)和第二输出相位延迟电路(7)构成的电路的电纳除以频率得到的值相对于频率具有正的斜率。
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公开(公告)号：CN111989861B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201880092262.1
申请日：2018-04-16
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 佐佐木善伸
Abstract: 本发明涉及在相同金属板上，主要将放大用GaN类芯片与形成有其预匹配电路的GaAs类芯片通过导线而连接的高频功率放大器。本发明涉及的高频功率放大器通过将呈现减极性互感的耦合器设置于GaAs类芯片，从而能够抵消相邻的导线间的互感，能够抑制从GaN类芯片的栅极端子观察信号源时的二次谐波阻抗的相对于频率的扩展，能够将所期望的基波频带处的功率放大器的效率保持得高。
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公开(公告)号：CN114731141A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201980101189.4
申请日：2019-12-10
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 佐佐木善伸
Abstract: 放大元件(T1)放大输入信号。高次谐波匹配电路(3)经由第一线缆(W1)与放大元件(T1)的输出端连接。高次谐波匹配电路(3)具有：与第一线缆(W1)连接的第一电感器(L1)、与第一电感器(L1)串联地连接的第一电容器(C1)、与第一电感器(L1)并联地连接的第二电感器(L2)、以及与第二电感器(L2)串联地连接的第二电容器(C2)。第一电感器(L1)与第二电感器(L2)形成呈减极性的互感的减极性耦合器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107070439B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201610946484.8
申请日：2016-11-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/16 , H01L27/06 , H01L29/737 , H01L29/78
Abstract: 得到一种半导体装置，其能够实现稳定性和低消耗电力这两者。耗尽型的场效应晶体管(Q1)具有栅极端子、漏极端子以及源极端子。III－V族异质结的双极晶体管(Q2)具有基极端子、与栅极端子电连接的发射极端子、以及连接于与源极端子相同的电位的集电极端子。第1电阻(Rbe)连接在基极端子和发射极端子之间。第2电阻(Rcb)连接在基极端子和集电极端子之间。
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公开(公告)号：CN107070439A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201610946484.8
申请日：2016-11-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/16 , H01L27/06 , H01L29/737 , H01L29/78
Abstract: 得到一种半导体装置，其能够实现稳定性和低消耗电力这两者。耗尽型的场效应晶体管(Q1)具有栅极端子、漏极端子以及源极端子。III－V族异质结的双极晶体管(Q2)具有基极端子、与栅极端子电连接的发射极端子、以及连接于与源极端子相同的电位的集电极端子。第1电阻(Rbe)连接在基极端子和发射极端子之间。第2电阻(Rcb)连接在基极端子和集电极端子之间。
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公开(公告)号：CN105914440A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610104417.1
申请日：2016-02-25
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 佐佐木善伸
IPC: H01P5/08
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制不稳定动作、并且适合小型化的半导体装置。本发明涉及的半导体装置具有：输入端子，其固定在封装件；输入预匹配基板，其设置在该封装件之中；半导体元件，其设置在该封装件之中，形成在与该输入预匹配基板不同的基板；匹配电路，其具有形成在该输入预匹配基板的电路元件、将该输入端子与该电路元件连接的第1导线、以及将该电路元件与该半导体元件连接的第2导线；第1MIM电容器，其作为该电路元件的一部分而形成；以及第1稳定化电路，其作为该电路元件的一部分而形成，对振荡进行抑制，该第1MIM电容器的下部电极通过设置在该输入预匹配基板的通路孔与该封装件连接。
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公开(公告)号：CN103888089A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201310696260.2
申请日：2013-12-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03F3/20
CPC classification number: H03F3/211 , H03F1/0277 , H03F3/24 , H03F3/72 , H03F2203/21175 , H03F2203/7221 , H03F2203/7233
Abstract: 本发明涉及确保两个功率放大路径的隔离功能且降低电路损失的功率放大器。放大器(A1、A2)串联连接在输入端子(IN)和输出端子(OUT)之间。连接点(P1)存在于输入端子(IN)和放大器(A1、A2)的输入之间。连接点(P2)存在于输出端子(OUT)和放大器(A1、A2)的输出之间。在从输入端子(IN)经由放大器(A1、A2)到输出端子(OUT)的路径中，连接点(P2)是阻抗最低的点。放大器(A3)在连接点(P1)和连接点(P2)之间与放大器(A1、A2)并联连接。连接点(P3)存在于放大器(A3)的输出和连接点(P2)之间。电容器(C1)连接于连接点(P3)和接地之间。开关(SW)在连接点(P3)和接地之间与电容器(C1)串联连接。开关(SW)在放大器(A3)接通时断开，在放大器(A1、A2)接通时接通。
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公开(公告)号：CN112154603B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN201880093657.3
申请日：2018-05-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03F3/68 , H01L29/78 , H03F3/60 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种放大器，其特征在于，上述放大器具备：输入匹配电路；至少一个放大用晶体管，从该输入匹配电路接收信号；第一虚设晶体管，从该输入匹配电路接收信号；第二虚设晶体管，从该输入匹配电路接收信号；以及输出匹配电路，输出该放大用晶体管的输出，该放大用晶体管夹在该第一虚设晶体管和该第二虚设晶体管之间，该放大用晶体管、该第一虚设晶体管以及该第二虚设晶体管沿着该输入匹配电路设置成一列。
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