公开(公告)号：CN103940772B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201410024138.5

申请日：2014-01-20

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  株式会社岛津制作所

Inventor： 衣川胜 ,  椋田宗明 ,  梅村园子 ,  中川康幸 ,  森谷直司 ,  山口亨 ,  和田幸久

IPC: G01N21/3563

CPC classification number: G01N21/3563 ,  B29B17/02 ,  B29B2017/0279 ,  G01N21/552 ,  Y02W30/622

Abstract: 得到一种树脂种类识别方法以及树脂种类识别装置，即使在使用1台光学性的探测器来识别树脂片的情况下，也能够选择最适合于识别树脂片的红外反射谱，能够依次进行各个树脂片的正确的识别处理。根据与通过对树脂片照射红外光而得到的红外反射强度对应的信号量，执行信号处理，从而选择至少一个识别用信号量，根据与所选择的识别用信号量对应的红外反射谱，识别树脂片的树脂种类。

公开(公告)号：CN103940772A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201410024138.5

申请日：2014-01-20

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  株式会社岛津制作所

Inventor： 衣川胜 ,  椋田宗明 ,  梅村园子 ,  中川康幸 ,  森谷直司 ,  山口亨 ,  和田幸久

IPC: G01N21/3563

CPC classification number: G01N21/3563 ,  B29B17/02 ,  B29B2017/0279 ,  G01N21/552 ,  Y02W30/622

Abstract: 得到一种树脂种类识别方法以及树脂种类识别装置，即使在使用1台光学性的探测器来识别树脂片的情况下，也能够选择最适合于识别树脂片的红外反射谱，能够依次进行各个树脂片的正确的识别处理。根据与通过对树脂片照射红外光而得到的红外反射强度对应的信号量，执行信号处理，从而选择至少一个识别用信号量，根据与所选择的识别用信号量对应的红外反射谱，识别树脂片的树脂种类。

公开(公告)号：CN101995623A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN201010258141.5

申请日：2010-08-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 佐藤行雄 ,  矢部实透 ,  吉原徹 ,  中川康幸 ,  黑川博志

IPC: G02B6/42 ,  G03F7/20 ,  F21V17/00

CPC classification number: G02B6/4201 ,  G02B6/4256 ,  G02B6/4296 ,  G02B7/02 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/0222 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/02288 ,  H01S5/4012 ,  Y10T83/0453

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种光源装置以及框体的制造方法。该光源装置具有半导体激光器(LD)、LED、灯等的发光源、以及透镜、光纤等的传送、转印、会聚等的光学部件，将装置内的硫酸根离子量保持在低水准，由此，能够防止硫酸铵附着于光学部件。光源装置具有：光源，其出射光；光学部件，其对从光源出射的光进行处理；以及框体，其收纳光学部件或者安装光学部件，通过切削不含硫成分的材料来形成框体，所述材料露出于表面。

公开(公告)号：CN101257187B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200810081373.0

申请日：2008-02-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 川崎和重 ,  中川康幸 ,  松冈裕益

IPC: H01S5/028 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/028 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/32341

Abstract: 本发明提供一种即使用于构成在半导体激光器端面上形成的反射膜的电介质膜的膜厚和折射率发生变动也能够稳定地控制反射率的半导体激光装置。半导体激光装置具备折射率小于等于3.5的GaN基板(1)和层叠在基板(1)上的半导体层，同时，在与层叠方向垂直的方向上具有一对相向的共振器端面。一个共振器端面上设置有低反射膜(6)，低反射膜(6)由第1电介质膜(8)、第2电介质膜(9)、第3电介质膜(10)和第4电介质膜(11)构成。如果将它们的折射率表示为n1、n2、n3、n4，则其满足n1＝n3、n2＝n4的关系。另外，在第1电介质膜(8)及第3电介质膜(10)、第2电介质膜(9)及第4电介质膜(11)之间，nd+n’d’＝pλ/4(p：整数，λ：激光的振荡波长)的关系成立。

公开(公告)号：CN101483316A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200810186306.5

申请日：2008-12-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中川康幸

IPC: H01S5/00 ,  C23C14/50 ,  C23C16/458

CPC classification number: H01S5/028

Abstract: 本发明提供一种端面处理用夹具以及使用该夹具的半导体激光装置的制造方法，该夹具能够防止半导体激光装置的光学灾变性损坏劣化，并能够在半导体激光装置本体的端面上形成反射率控制膜。以氧化物和氮化物中的至少一方构成端面处理用夹具(3)的窗部(5)，以使得端面从窗部(5)的窗口(4)露出的方式固定半导体激光条(1)。在此状态下，在半导体激光条(1)的端面(9)上形成反射率控制膜，制造半导体激光装置。由此，因为能够防止金属被引入反射率控制膜中，从而防止被引入的金属导致的光吸收，所以能够防止半导体激光装置的光学灾变性损坏劣化，并能够在半导体激光条(1)的端面(9)上形成反射率控制膜。

公开(公告)号：CN100411262C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200610055079.3

申请日：2004-03-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 松冈裕益 ,  国次恭宏 ,  西口晴美 ,  八木哲哉 ,  中川康幸 ,  堀江淳一

IPC: H01S5/028 ,  H01S5/10

CPC classification number: H01S5/028 ,  H01S5/0287

Abstract: 低反射膜从与激光器芯片接触的一侧开始依次由折射率为n1及膜厚为d1的第1介质膜、折射率为n2及膜厚为d2的第2介质膜、折射率为n3及膜厚为d3的第3介质膜、折射率为n4及膜厚为d4的第4介质膜形成，具体地，第1介质膜上使用折射率n1＝1.638的氧化铝Al2O3、在第2介质膜及第4介质膜上使用折射率n2＝n4＝1.489的氧化硅SiO2、在第3介质膜上使用折射率n3＝2.063的氧化钽Ta2O5。从而，能够获得具有可稳定控制的反射率的半导体激光器。