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公开(公告)号：CN107996017B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201580082638.7
申请日：2015-09-03
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种功率转换装置。收纳有一个或多个功率用半导体开关元件的功率用半导体模块(10A)具有：与功率用半导体开关元件的集电极电位连接的集电极主端子(10A1)和集电极辅助端子(10A3)；与功率用半导体开关元件的栅极电位连接的栅极辅助端子(10A4)；及与功率用半导体开关元件的发射极电位连接的发射极主端子(10A2)和发射极辅助端子(10A5)。功率转换装置具有生成对集电极辅助端子与发射极辅助端子间的电压进行检测而得的分压电压并传送至栅极驱动电路的分压电路基板。分压电路基板电连接至集电极辅助端子和发射极辅助端子来搭载于功率用半导体模块。栅极驱动电路(12A)根据分压电路基板所输出的分压电压来变更功率用半导体开关元件的驱动速度。
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公开(公告)号：CN110214412A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201780084235.5
申请日：2017-01-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M7/5387
Abstract: 功率转换装置具备六个半导体模块(12U1、12U2、12V1、12V2、12W1、12W2)。六个半导体模块(12U1、12U2、12V1、12V2、12W1、12W2)的表面分别具有第1端子(P)、第2端子(N)及第3端子(AC)。构成同一相的半导体模块组的两个半导体模块的第1端子彼此相对地进行配置，多个半导体模块组沿与半导体模块组内的两个半导体模块的排列方向正交的方向进行排列。
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公开(公告)号：CN110168899A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201680091410.9
申请日：2016-12-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M7/48
Abstract: 功率转换转置(1)包括正侧开关元件的正极与第一端子进行电连接、正侧开关元件的负极和负侧开关元件的正极与第二端子进行电连接、负侧开关元件的负极与第三端子进行电连接的功率模块(12)。功率模块(12)的第一端子经由平行平板导体即汇流条(43)中的第一导体与滤波电容器(41)的P端子(41a)进行电连接，功率模块(12)的第三端子经由汇流条(43)中的第二导体与滤波电容器(41)的N端子(41b)进行电连接，平行平板导体即汇流条(43)形成为L字形，并且功率模块(12)的第二端子经由与汇流条(43)物理性不同的导体条(44)与负载进行电连接。
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公开(公告)号：CN106104993B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201580015507.7
申请日：2015-05-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M1/08 , H02M1/00 , H02M7/48 , H03K17/687
Abstract: 其目的在于防止电压变动导致的电力用半导体元件的误动作，防止电力用半导体元件的损坏。本发明的驱动电路(34)具备：电压检测部(电路(37))，检测正偏置电压和负偏置电压的合计电压、负偏置电压、正偏置电压中的任意种；以及开关元件(晶体管(81))，与电力用元件(支路(32u))的控制端子和负电压供给电源(直流电源(62))的负极侧连接，电压检测部(电路(37))在检测对象电压的值比设定电压值降低了的情况下、或者当在检测对象电压的值比设定电压值降低了的状态下电力用元件(支路(32u))中的控制端子与基准端子之间的电压上升了的情况下，使开关元件(晶体管(81))导通，对电力用元件(支路(32u))中的所述端子之间供给0V以下的电压。
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公开(公告)号：CN103650137B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201280034222.4
申请日：2012-07-05
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/28 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L23/36 , H01L23/3735 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2224/48227 , H01L2224/49111 , H01L2224/4917 , H01L2224/49175 , H01L2924/12032 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 在将Si半导体元件和宽能带隙半导体元件配置于相同的功率半导体模块内的情况下，将宽能带隙半导体元件的温度上升抑制得较低，抑制宽能带隙半导体元件的芯片总面积的增大，得到能够低成本地制造的功率半导体模块。Si制开关元件（4）配置于功率半导体模块（100）的中央区域中，SiC制二极管元件（5）配置于功率半导体模块（100）的中央区域的两侧或者包围中央区域的周边部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105164908A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201280075211.0
申请日：2012-08-10
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M7/483
CPC classification number: H02M7/537 , H02M7/487 , H02M2001/0048 , H02M2001/327 , Y02B70/1491
Abstract: 构成三电平功率转换装置中的一个相的功率转换电路的第一至第六开关元件(1～6)包括晶体管元件(1a～6a)和与晶体管元件(1a～6a)反向并联连接的二极管元件(1b～6b)。利用能双向导通的MOSFET构成第二、第三、第五及第六晶体管元件(2a，3a，5a，6a)。
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公开(公告)号：CN107925352B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201580082652.7
申请日：2015-09-03
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M3/155
Abstract: 本发明所涉及的功率转换装置包括：具有半导体开关元件(10A、10B)的功率转换主电路(10)；分别驱动半导体开关元件的栅极驱动电路(12A、12B)；以及连接在至少1组栅极驱动电路(12A、12B)之间的1个或多个阻抗元件群(16)。至少1个栅极驱动电路(12A、12B)具备对阻抗元件群(16)的电压进行检测的检测部(12A4、12B4)，并根据检测部(12A4、12B4)的输出使半导体开关元件(10A、10B)的驱动速度变化。
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公开(公告)号：CN111788769A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201880089207.7
申请日：2018-11-01
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 电力用半导体模块(1000)具备：至少1个上臂，设置于正极线(PL)与节点(NDa)之间，包括并联连接的电力用半导体元件(1Pa)和续流二极管(2Pa)；至少1个下臂，设置于负极线(NL)与节点(NDa)之间，包括并联连接的电力用半导体元件(1Na)和续流二极管(2Na)；以及缓冲电路(5)，设置于正极线(PL)与负极线(NL)之间。缓冲电路(5)包括串联连接的缓冲电容器(3)和缓冲电阻(4)。至少1个控制端子(7)将表示缓冲电阻(3)的温度的电压或与缓冲电阻(3)的温度相关联的电压输出到对电力用半导体元件(1Pa，1Na)进行驱动的驱动器(11)。
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公开(公告)号：CN107996017A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201580082638.7
申请日：2015-09-03
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03K17/567 , H02M1/00 , H02M1/08 , H02M3/00 , H02M7/003 , H02M7/48 , H02M7/538 , H03K17/166 , H03K17/7955 , H03K19/017509 , H03K2217/0081
Abstract: 本发明提供一种功率转换装置。收纳有一个或多个功率用半导体开关元件的功率用半导体模块(10A)具有：与功率用半导体开关元件的集电极电位连接的集电极主端子(10A1)和集电极辅助端子(10A3)；与功率用半导体开关元件的栅极电位连接的栅极辅助端子(10A4)；及与功率用半导体开关元件的发射极电位连接的发射极主端子(10A2)和发射极辅助端子(10A5)。功率转换装置具有生成对集电极辅助端子与发射极辅助端子间的电压进行检测而得的分压电压并传送至栅极驱动电路的分压电路基板。分压电路基板电连接至集电极辅助端子和发射极辅助端子来搭载于功率用半导体模块。栅极驱动电路(12A)根据分压电路基板所输出的分压电压来变更功率用半导体开关元件的驱动速度。
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公开(公告)号：CN105637748B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201380080235.X
申请日：2013-10-17
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H02M1/44 , H01F2017/065 , H02M7/003 , H02M7/42 , H05K7/209
Abstract: 搭载于功率单元的半导体元件部因进行开关动作而产生辐射噪声。在用于降低该辐射噪声的功率单元的外部设置有铁芯。铁芯设置得越靠近成为辐射噪声产生源的半导体元件部，降低辐射噪声的效果越高，但由于功率单元内没有设置铁芯的空间，因此辐射噪声的降低具有极限。因此，提供一种在内部具有铁芯的功率单元。本发明所涉及的功率单元为了在功率单元(2)内设置第1铁芯(6)，连接到逆变器(3)的输出的第1输出侧导体棒(16)、第2输出侧导体棒(17)、第3输出侧导体棒(18)具有第1汇集部(15)。该第1汇集部(15)贯通设置于功率单元(2)内的第1铁芯(6)的第1贯通部(33)。
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