-
公开(公告)号：CN1740378A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510093332.X
申请日：2005-08-25
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明提供一种将基片直立为约垂直的状态下蒸镀有机物而形成有机薄膜的有机物蒸镀装置，以此不仅可以适用于大型基片，而且可以形成厚度均匀的有机薄膜。本发明所提供的有机物蒸镀装置，包含：室，用于形成壳体并使基片相对地面保持在70°至110°角度；有机物存入部，由用于接收需要蒸镀所述基片上有机物的至少一个有机物存入处组成；有机物喷嘴部，用于喷射需要蒸镀到所述基片上的有机物；连接管道，用于连接所述有机物喷嘴部和有机物存入部；移送装置，用于在所述有机物存入部、有机物喷嘴部和连接管道之中至少可以将所述有机物喷嘴部按垂直方向移动。
-
公开(公告)号：CN102683643A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210060217.2
申请日：2012-03-08
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01M4/139
Abstract: 本发明提供一种用于电极活性材料的气相沉积系统，其能够在通过沉积在电极板上涂覆电极活性材料的过程中防止气相沉积源被用于形成非涂覆部分的遮罩污染。该气相沉积系统包括：拆卷机，供应电极板；卷绕机，卷绕电极板；引导鼓，引导要被传送的电极板；遮罩，成形为具有一预定宽度的圆筒，具有以规则间隔形成的多个狭缝，并在引导鼓下方旋转；气相沉积源，位于遮罩中并喷射电极活性材料到电极板上；防粘附板，形成为板形，并位于遮罩中气相沉积源下方；以及加热器，位于防粘附板下方。
-
公开(公告)号：CN102465252A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110115766.0
申请日：2011-04-28
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 提供了一种将沉积物质沉积到基片中除未涂覆部分之外的涂覆部分的真空沉积装置和使用该真空沉积装置的真空沉积方法。所述真空沉积装置包括：辊筒，在真空腔内支撑具有涂覆部分和未涂覆部分的基片的连续移动；沉积源，安装在所述辊筒的对立侧以向所述涂覆部分提供沉积物质；掩模，在所述沉积源的开口与所述辊筒之间移动时阻断沉积物质从所述沉积源向所述涂覆部分移动；检测传感器，检测在移动的基片上设置的第一参考点和第二参考点；控制器，根据基于第一参考点和第二参考点计算得出的并且在所述掩模上设置的第三参考点和第四参考点是否分别对应于第一参考点和第二参考点来控制所述基片和所述掩模的移动，以便将沉积物质沉积到所述涂覆部分。
-
公开(公告)号：CN1990902A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610169203.9
申请日：2006-12-20
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: C23C14/12 , C23C14/243
Abstract: 本发明公开了一种蒸发源和用于沉积薄膜的方法，该蒸发源包括：熔罐，具有用于放置沉积材料的预定空间和至少一个遮挡件，遮挡件位于熔罐内部，并与所述预定空间平行，以将熔罐划分成多个通道；加热单元；至少一个喷嘴，与熔罐流体连通，喷嘴具有多个喷口。
-
公开(公告)号：CN1861841A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610080203.1
申请日：2006-05-11
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供了一种用于原位多晶薄膜生长的方法。催化剂增强化学气相沉积(CECVD)装置被用于使多晶硅薄膜生长。不需要后续的退火或脱氢工艺。该方法包括排尽室内气体以形成真空室，然后净化真空室并引入催化剂。然后在真空室内放置基底，并将反应气体注射到室中。在真空室内反应气体与催化剂反应以在基底上生长多晶薄膜。本发明的方法缩短了工艺时间并降低了生产成本，并且，由于省去了笨重的退火设备，本发明可用于制造更大的器件。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1861837A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610078524.8
申请日：2006-05-08
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C23C16/24 , C23C16/448 , C23C16/52
Abstract: 本发明公开了一种用于沉积多晶硅且不需要单独的后续退火工艺的CVD装置，该CVD装置包括：室，用于在基底上形成薄膜；喷头，位于室的上部，以将反应气体注入到基底上；分配器，形成有分配孔，用来均匀地分配反应气体；催化剂热丝单元，用来加热和分解通过分配器的分配孔注入的反应气体；卡盘，基底安装在其上；排放孔，用于排放反应气体；屏蔽墙，设置为室的侧墙，并形成有加热器，用来抑制颗粒产生。利用上述结构能将颗粒产生最小化，从而提高产量。同样，薄膜具有优良的结晶度以及其含氢量减小。
-
公开(公告)号：CN1818127A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200510121705.X
申请日：2005-12-01
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: C23C14/12 , C23C14/24 , C23C14/243
Abstract: 一种具有稳定沉积速度和高重现性的沉积源，以及一种包括沉积源的沉积设备，其中该沉积源包括：具有线形开孔部分的加热室；和包括多个孔并与加热室线形开孔部分相连的盖。盖上形成的孔之间的距离沿加热室的线形开孔部分的长边方向变化。盖上形成的孔的数量沿加热室的线形开孔部分的长边方向也可发生变化。
-
公开(公告)号：CN1789484A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510108161.3
申请日：2005-10-09
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明涉及串列形式的薄膜蒸镀系统，提供一种通过固定并支持基片而实现垂直蒸镀、并移送中使微细粒子的影响最小而可以充分确保掩模板平面度的校正系统、垂直型盘移送装置和具有该装置的蒸镀装置。本发明的解决手段为包含：垂直固定基片(10)的基片盘(100)；为了与所述基片盘(100)相校正而垂直固定掩模板(30)的掩模盘(300)；通过联接部联接所述基片盘(100)和掩模盘(300)的盘支座(500)。
-
公开(公告)号：CN1782120A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510126935.5
申请日：2005-11-28
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C23C14/24
Abstract: 本发明提供一种蒸发源和具备该蒸发源的蒸镀装置，其能通过使用反射板来有效提高喷嘴的热量，从而防止蒸镀物质在喷嘴处凝缩。本发明的蒸发源包括：蒸镀物质贮藏部，其放置有蒸镀物质并且局部开口；喷嘴部，其具有连结在所述蒸镀物质贮藏部的开口的部分上并用于喷射所述蒸镀物质的开口部；反射板，其把所述喷嘴部的至少一部分的角部包围；壳体，其包围所述蒸镀物质贮藏部包围；加热部，其位于所述壳体与所述蒸镀物质贮藏部之间。本发明的蒸镀装置具备所述蒸发源。另外，本发明的有机物蒸发源由于改善所述有机物贮藏部和喷嘴部的材质并在它们的表面上附有防止有机物泄漏部件，所以，提高了喷嘴部和有机物贮藏部的导热性，并防止了有机物的泄漏。
-
公开(公告)号：CN102465252B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201110115766.0
申请日：2011-04-28
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 提供了一种将沉积物质沉积到基片中除未涂覆部分之外的涂覆部分的真空沉积装置和使用该真空沉积装置的真空沉积方法。所述真空沉积装置包括：辊筒，在真空腔内支撑具有涂覆部分和未涂覆部分的基片的连续移动；沉积源，安装在所述辊筒的对立侧以向所述涂覆部分提供沉积物质；掩模，在所述沉积源的开口与所述辊筒之间移动时阻断沉积物质从所述沉积源向所述涂覆部分移动；检测传感器，检测在移动的基片上设置的第一参考点和第二参考点；控制器，根据基于第一参考点和第二参考点计算得出的并且在所述掩模上设置的第三参考点和第四参考点是否分别对应于第一参考点和第二参考点来控制所述基片和所述掩模的移动，以便将沉积物质沉积到所述涂覆部分。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
26
records
(took 0.021 seconds)
