公开(公告)号：CN1861841A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200610080203.1

申请日：2006-05-11

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金汉基 ,  金明洙 ,  许明洙 ,  郑锡宪 ,  姜熙哲

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明提供了一种用于原位多晶薄膜生长的方法。催化剂增强化学气相沉积(CECVD)装置被用于使多晶硅薄膜生长。不需要后续的退火或脱氢工艺。该方法包括排尽室内气体以形成真空室，然后净化真空室并引入催化剂。然后在真空室内放置基底，并将反应气体注射到室中。在真空室内反应气体与催化剂反应以在基底上生长多晶薄膜。本发明的方法缩短了工艺时间并降低了生产成本，并且，由于省去了笨重的退火设备，本发明可用于制造更大的器件。

公开(公告)号：CN1861840A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200610080157.5

申请日：2006-05-09

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 姜熙哲 ,  古野和雄 ,  金汉基 ,  金明洙

IPC: C23C16/448

CPC classification number: C23C16/44 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明提供了一种催化剂增强化学气相沉积(CECVD)设备，在该CECVD设备中，喷头和催化剂支撑体相互独立。该CECVD设备具有在喷头、催化剂丝和基底之间的良好的间隔，并可被净化以防止在低温下运行的部分上形成的污染。该CECVD设备包括：反应室；喷头，用于将反应气体引入到反应室中；催化剂丝，用于分解反应气体；催化剂支撑体，用于支撑催化剂丝；基底，已分解的气体沉积在其上；基底支撑体，用于支撑基底。