公开(公告)号：CN1861840A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200610080157.5

申请日：2006-05-09

申请人： 三星SDI株式会社

发明人： 姜熙哲 ,  古野和雄 ,  金汉基 ,  金明洙

IPC分类号： C23C16/448

CPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/455

摘要： 本发明提供了一种催化剂增强化学气相沉积(CECVD)设备，在该CECVD设备中，喷头和催化剂支撑体相互独立。该CECVD设备具有在喷头、催化剂丝和基底之间的良好的间隔，并可被净化以防止在低温下运行的部分上形成的污染。该CECVD设备包括：反应室；喷头，用于将反应气体引入到反应室中；催化剂丝，用于分解反应气体；催化剂支撑体，用于支撑催化剂丝；基底，已分解的气体沉积在其上；基底支撑体，用于支撑基底。

公开(公告)号：CN1990902A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610169203.9

申请日：2006-12-20

申请人： 三星SDI株式会社

发明人： 许明洙 ,  古野和雄 ,  翰尚辰 ,  安宰弘 ,  郑锡宪

IPC分类号： C23C14/24 ,  C23C14/54 ,  C23C14/12

CPC分类号： C23C14/12 ,  C23C14/243

摘要： 本发明公开了一种蒸发源和用于沉积薄膜的方法，该蒸发源包括：熔罐，具有用于放置沉积材料的预定空间和至少一个遮挡件，遮挡件位于熔罐内部，并与所述预定空间平行，以将熔罐划分成多个通道；加热单元；至少一个喷嘴，与熔罐流体连通，喷嘴具有多个喷口。

公开(公告)号：CN1861839A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200610078368.5

申请日：2006-05-15

申请人： 三星SDI株式会社

发明人： 康熙哲 ,  古野和雄 ,  金汉基 ,  金明洙

IPC分类号： C23C16/448

CPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/46

摘要： 本发明公开了一种催化剂增强的化学汽相淀积(CECVD)设备和淀积方法，其中为防止催化剂丝因热变形导致松垂而向催化剂丝施加张力，并且为防止产生异物而使用辅助气体。该CECVD设备可构造为具有：处理腔、将处理气体导入处理腔的喷头、和提供在处理腔中并分解从喷头导入的处理气体的可拉伸的催化剂丝结构，由催化剂丝结构分解的气体淀积于基片上，从而使张力施加到催化剂丝以便防止催化剂丝因热变形导致松垂，且使用辅助气体从而防止产生异物，因此消除了基片温度不均匀的发生和膜生长不均匀的发生，并随之提高了催化剂丝的耐久性。

公开(公告)号：CN1814854A

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200510092373.7

申请日：2005-08-29

申请人： 三星SDI株式会社

发明人： 金度根 ,  许明洙 ,  郑锡宪 ,  康熙哲 ,  古野和雄

IPC分类号： C23C14/26

摘要： 一种蒸发源和蒸镀装置，该蒸发源将坩埚和加热部以及喷嘴部配置在一个划分空间，缩小其尺寸；所述蒸镀装置利用所述蒸发源将蒸镀物质蒸镀在基板上。所述蒸发源包括：壳体(110)；内设于所述壳体(110)内的坩埚(120)；内设于所述壳体(110)中，用于加热坩埚(120)而设于其周边的加热部；喷嘴部，经由喷射嘴(140)将从所述坩埚(120)蒸发的蒸镀物质喷射到位于壳体(110)外部的基板(220)上。