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公开(公告)号：CN1990902A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610169203.9
申请日：2006-12-20
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: C23C14/12 , C23C14/243
Abstract: 本发明公开了一种蒸发源和用于沉积薄膜的方法，该蒸发源包括：熔罐，具有用于放置沉积材料的预定空间和至少一个遮挡件，遮挡件位于熔罐内部，并与所述预定空间平行，以将熔罐划分成多个通道；加热单元；至少一个喷嘴，与熔罐流体连通，喷嘴具有多个喷口。
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