-
公开(公告)号：CN115572540A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202210699991.1
申请日：2022-06-20
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C08G77/62 , C04B41/65
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组合物，组合物包含含硅聚合物和溶剂，其中由关系式1计算的折射率(RI)减少率小于或等于3％；由组合物制造的二氧化硅层；以及包含二氧化硅层的电子装置。在关系式1中，RI100：通过将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在8英寸裸晶片上至7200埃厚度，且在100℃温度下烘烤3分钟，在633纳米波长处测量的折射率，且RI250：通过将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在8英寸裸晶片上至7200埃厚度，且在250℃温度下烘烤3分钟，在633纳米波长处测量的折射率。折射率(RI)减少率(％)＝{(RI100‑RI250)/RI100}*100。
-
公开(公告)号：CN111944320B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202010411761.1
申请日：2020-05-15
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 公开了一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及电子装置，用于形成二氧化硅层的组成物包含全氢聚硅氮烷和溶剂，其中在CDCl3中的全氢聚硅氮烷的1H‑NMR光谱中，当从N3SiH1和N2SiH2导出的波峰称为波峰1且从NSiH3导出的波峰称为波峰2时，比率(P1/(P1+P2))大于或等于0.77，且比率(PA/PB)大于或等于约1.5。P1、P2、PA及PB的定义与说明书中的定义相同。本公开可提供具有极佳层厚度均一性的二氧化硅层。
-
公开(公告)号：CN108335970A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201710893281.1
申请日：2017-09-27
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L21/033
CPC classification number: H01L21/3086 , H01L21/0337 , H01L21/3081 , H01L21/31144 , H01L21/32139
Abstract: 一种形成图案的方法、精细图案层以及半导体装置。形成图案的方法包括：在衬底上形成蚀刻对象层，在蚀刻对象层上形成具有凸图案的第一层，形成完全覆盖第一层的凸图案的第二层，部分地移除第二层以暴露出凸图案的顶部、同时留下设置于凸图案的侧处的第二层，移除第一层以暴露出蚀刻对象层的顶部，以及使用设置于被移除的第一层的凸部的侧面处的第二层作为蚀刻掩模对蚀刻对象层进行蚀刻，其中第一层及第二层中的一者为含碳的层且另一者为含硅的层，含硅的层是通过对含硅的组合物进行涂布并对硅的组合物进行热处理来形成。本发明可实现精细的图案并同时提高良率。
-
公开(公告)号：CN119024654A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410424324.1
申请日：2024-04-10
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: G03F7/32
Abstract: 提供一种形成图案的方法，所述方法包括在衬底上涂覆含金属抗蚀剂组合物；进行干燥并加热以在衬底上形成含金属抗蚀剂膜；使用经图案化掩模对含金属抗蚀剂膜进行曝光；以及涂覆显影剂组合物以移除未曝光区，进而形成抗蚀剂图案。与显影前抗蚀剂膜的厚度相比，显影后抗蚀剂膜的厚度增加了约5％到约100％，且基于原子总数计，显影后的抗蚀剂膜的表面可包含约5at％到约20at％的选自磷元素及硫元素中的至少一者。
-
公开(公告)号：CN119024641A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410640016.2
申请日：2024-05-22
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 一种被配置用于从含金属抗蚀剂移除边珠和/或作为含金属抗蚀剂的显影剂组合物的组合物是无水的，并且包含有机溶剂和选自氨基酸类化合物、含硫的酸化合物和含硫的胺类化合物中的至少一种添加剂。一种组合物、使用所述组合物形成图案的方法及形成图案的系统，所述方法包括：在衬底上涂布含金属的抗蚀剂组合物；沿着衬底的边缘涂布本实施例的被配置用于从含金属抗蚀剂移除边珠的所述组合物；进行干燥和加热以在衬底上形成含金属的抗蚀剂膜；对含金属的抗蚀剂膜进行曝光；以及利用含金属抗蚀剂的显影剂组合物对含金属的抗蚀剂膜进行显影。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115703943B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202210845890.0
申请日：2022-07-19
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C09D5/25 , C09D1/00 , C08G77/62
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组合物、由组合物制造的二氧化硅层以及包含二氧化硅层的电子装置。用于形成二氧化硅层的组合物包含含硅聚合物和溶剂，其中70％浓缩固体含量的粘度与50％浓缩固体含量的粘度之间的差值为400厘泊到2,200厘泊。
-
公开(公告)号：CN115703943A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210845890.0
申请日：2022-07-19
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C09D5/25 , C09D1/00 , C08G77/62
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组合物、由组合物制造的二氧化硅层以及包含二氧化硅层的电子装置。用于形成二氧化硅层的组合物包含含硅聚合物和溶剂，其中70％浓缩固体含量的粘度与50％浓缩固体含量的粘度之间的差值为400厘泊到2,200厘泊。
-
公开(公告)号：CN113528014A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110406105.7
申请日：2021-04-15
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C08G77/62
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组成物，一种使用所述组成物的二氧化硅层以及包括所述二氧化硅层的电子装置。所述组成物包含含硅聚合物和溶剂，其中含硅聚合物具有约8,000克/摩尔到约15,000克/摩尔的重量平均分子量(Mw)，且由凯氏(kjeldahl)滴定法测量的含硅聚合物的氮含量按含硅聚合物的总重量计是约25重量％到约30重量％。
-
公开(公告)号：CN109957261B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201811353793.X
申请日：2018-11-14
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D1/00 , H01L23/498
Abstract: 本发明公开一种用于形成包含含硅聚合物和溶剂的二氧化硅层的组合物、由其制造的二氧化硅层以及包含二氧化硅层的电子装置，其中二氧化硅(SiO2)转化率约大于0且约小于或等于15。二氧化硅转化率由关系等式1计算：[关系等式1]二氧化硅转化率＝(通过以6700埃的厚度将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在裸露晶片上且允许在85℃的温度和85％的相对湿度的条件下承受24小时的Si‑O/Si‑H的面积比)‑(通过以6700埃的厚度将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在裸露晶片上且允许在85℃的温度和85％的相对湿度的条件下承受2小时的Si‑O/Si‑H的面积比)。
-
公开(公告)号：CN110903764A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201811610012.0
申请日：2018-12-27
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C09D183/14 , C09D1/00
Abstract: 本发明公开一种用于形成二氧化硅层的组合物、一种用于使用所述组合物制造二氧化硅层的方法、一种利用所述方法制造的二氧化硅层以及一种包括所述二氧化硅层的电子装置，所述用于形成二氧化硅层的组合物包含：含硅聚合物，包括聚硅氮烷、聚硅氧氮烷或其组合；以及溶剂，其中所述含硅聚合物具有4,000g/mol到13,000g/mol的换算为聚苯乙烯的重量平均分子量，且满足方程式1，在方程式1中，A指示在凝胶渗透色谱曲线中所述含硅聚合物的换算为聚苯乙烯的重量平均分子量为2,700g/mol到9,000g/mol的峰面积，且B指示在凝胶渗透色谱曲线中所述含硅聚合物的换算为聚苯乙烯的重量平均分子量为200g/mol到2,700g/mol的峰面积。[方程式1]0.98≤B/A≤1.24。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
21
records
(took 0.03 seconds)
