多层电容器
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112542316A

    公开(公告)日:2021-03-23

    申请号:CN202011449729.9

    申请日:2018-12-18

    Abstract: 本公开提供了一种多层电容器。所述多层电容器包括主体和多个外电极,所述主体包括利用多个介电层和多个内电极形成的堆叠结构。每个外电极包括导电层和覆盖所述导电层的镀层,所述导电层设置在所述主体的相应的端部并且连接到所述多个内电极的相应部分。每个导电层包括镍(Ni)和钛酸钡(BT),并且相应的所述导电层的截面中被镍占据的面积相对于所述截面的总面积的比率为30%至65%。

    半导体封装件
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112185904A

    公开(公告)日:2021-01-05

    申请号:CN201911345575.6

    申请日:2019-12-24

    Abstract: 本公开提供了一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:半导体芯片,具有其上设置有连接垫的有效表面以及与所述有效表面相对的无效表面;散热构件,设置在所述半导体芯片的所述无效表面上并且包括石墨基材料;粘合构件,设置在所述半导体芯片和所述散热构件之间;包封剂,覆盖所述半导体芯片和所述散热构件中的每个的至少一部分;以及互连结构,设置在所述半导体芯片的所述有效表面上并且包括电连接到所述连接垫的重新分布层。所述包封剂覆盖所述粘合构件的侧表面的至少一部分。

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