公开(公告)号：CN104078494B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310308658.4

申请日：2013-07-22

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 徐东秀 ,  朴在勋 ,  严基宙 ,  张昌洙 ,  宋寅赫

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明提供了一种功率半导体设备，所述功率半导体设备包括：彼此间隔预定距离而形成的多个沟道栅，形成于所述沟道栅之间的电流增强部件，且所述电流增强部件包括第一导电型发射极层和形成于所述沟道栅表面上的栅极氧化层，以及形成于所述沟道栅之间的抗干扰性改善部件，所述抗干扰性改善部件包括第二导电型体层、形成于所述沟道栅表面上的保护膜和厚度小于所述电流增强部件的所述栅极氧化层的厚度的栅极氧化层。

公开(公告)号：CN106033768A

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：CN201510102793.2

申请日：2015-03-09

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 张昌洙 ,  徐东秀 ,  牟圭铉 ,  朴在勋 ,  宋寅赫

IPC: H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0623

Abstract: 本公开提供一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一导电型主体层；第二导电型电场限制环，设置在第一导电型主体层的上部中；电阻层，设置在第二导电型电场限制环之下；第二导电型阳极层，设置在第一导电型主体层的上部上。由于电阻层设置在第二导电型电场限制环之下，可有优势地影响半导体器件的击穿电压并提高半导体器件的耐用性。

公开(公告)号：CN105609540A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201510312366.7

申请日：2015-06-08

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 朴在勋 ,  吴知然 ,  金智慧 ,  徐东秀 ,  尹善载

IPC: H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0619

Abstract: 提供了一种功率半导体器件。所述功率半导体器件包括：漂移层，具有第一导电型；集电极层，具有第二导电型，并形成在所述漂移层之下；集电极，设置在所述集电极层的下部的至少一部分上，所述集电极使用与所述集电极层具有整流接触的金属形成。

公开(公告)号：CN103794646A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201310024226.0

申请日：2013-01-22

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 朴在勋 ,  张昌洙 ,  宋寅赫 ,  严基宙 ,  徐东秀

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0804

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，包括：第一半导体区，具有第一导电类型；第二半导体区，具有第二导电类型，并且形成在第一半导体区的一个表面上；第三半导体区，具有第一导电类型，并且形成在第二半导体区的一个表面上；栅极电极，形成在穿过第二半导体区和第三半导体区以到达第一半导体区的内部的沟槽中；以及空穴注入单元，形成在栅极电极和第一半导体区之间。

公开(公告)号：CN103178103A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201210436494.9

申请日：2012-11-05

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 徐东秀 ,  朴在勋

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397

Abstract: 提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括半导体衬底，该半导体衬底有正表面和背表面，以及具有自该半导体衬底的正表面后向布置的p型杂质层、低浓度n型杂质层和n型杂质层，所述n型杂质层中具有高浓度p型杂质区并且所述n型杂质层和所述高浓度p型杂质区被暴露于所述背表面；以及深槽，该深槽在所述半导体衬底中垂直形成，该深槽在所述半导体衬底的正表面上开口并且具有与所述高浓度p型杂质区相连的底部表面。这里，可以增加杂质的激活率并且避免薄膜处理期间晶圆的损坏。

公开(公告)号：CN104009081B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201310224034.4

申请日：2013-06-06

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 朴在勋 ,  宋寅赫 ,  徐东秀 ,  金洸洙 ,  严基宙

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66348 ,  H01L27/0817 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0921 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66954 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/768 ,  H01L29/78 ,  H01L31/111 ,  H01L31/1113 ,  H01L51/0512

Abstract: 本发明提供了一种功率半导体器件，该功率半导体器件包括第一导电型漂移层；形成在漂移层上的第二导电型主体层；形成在漂移层下方的第二导电型集电极层；通过穿透主体层及一部分漂移层而形成的第一栅；形成在主体层中并形成为与第一栅间隔开的第一导电型发射极层；遮盖主体层及发射极层的上部并在第一栅上形成为扁平型栅的第二栅；以及形成在具有主体层、发射极层及漂移层的第一和第二栅的接触表面之间的偏析阻止层。本发明还提供了制造该功率半导体器件的方法。本发明提供的功率半导体器件防止了栅传导电压Vth的不稳定性，因此防止了集电极电流的波纹现象，由此提高功率半导体器件的稳定性。

公开(公告)号：CN103178103B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201210436494.9

申请日：2012-11-05

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 徐东秀 ,  朴在勋

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397

Abstract: 提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括半导体衬底，该半导体衬底有正表面和背表面，以及具有自该半导体衬底的正表面后向布置的p型杂质层、低浓度n型杂质层和n型杂质层，所述n型杂质层中具有高浓度p型杂质区并且所述n型杂质层和所述高浓度p型杂质区被暴露于所述背表面；以及深槽，该深槽在所述半导体衬底中垂直形成，该深槽在所述半导体衬底的正表面上开口并且具有与所述高浓度p型杂质区相连的底部表面。这里，可以增加杂质的激活率并且避免薄膜处理期间晶圆的损坏。

公开(公告)号：CN103178113B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201210295888.7

申请日：2012-08-17

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 朴在勋 ,  徐东秀

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法，能够通过在电极与栅极的突起区域的侧面之间形成电容并增加栅源的电容来消除短路现象。该半导体器件可包括：半导体本体，具有预定的体积；源极，形成在半导体本体的上表面上；栅极，形成在半导体本体的沟槽中，并具有从半导体本体的上表面向上突起的突起区域，该沟槽其具有预定的深度并且该突起区域具有根据要设置的电容的水平而改变的突起高度；以及电极，电连接至源极，以与栅极的突起区域的侧面一起形成电容。

公开(公告)号：CN104009081A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201310224034.4

申请日：2013-06-06

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 朴在勋 ,  宋寅赫 ,  徐东秀 ,  金洸洙 ,  严基宙

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66348 ,  H01L27/0817 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0921 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66954 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/768 ,  H01L29/78 ,  H01L31/111 ,  H01L31/1113 ,  H01L51/0512

Abstract: 本发明提供了一种功率半导体器件，该功率半导体器件包括第一导电型漂移层；形成在漂移层上的第二导电型主体层；形成在漂移层下方的第二导电型集电极层；通过穿透主体层及一部分漂移层而形成的第一栅；形成在主体层中并形成为与第一栅间隔开的第一导电型发射极层；遮盖主体层及发射极层的上部并在第一栅上形成为扁平型栅的第二栅；以及形成在具有主体层、发射极层及漂移层的第一和第二栅的接触表面之间的偏析阻止层。本发明还提供了制造该功率半导体器件的方法。本发明提供的功率半导体器件防止了栅传导电压Vth的不稳定性，因此防止了集电极电流的波纹现象，由此提高功率半导体器件的稳定性。

公开(公告)号：CN103839995A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201310114557.3

申请日：2013-04-03

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 宋寅赫 ,  严基宙 ,  张昌洙 ,  朴在勋 ,  徐东秀

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/402 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明公开了一种功率半导体设备。该功率半导体设备包括第二导电型第一结终端扩展（JTE）层被形成为使得该第二导电型第一JTE层与第二导电型阱层的一侧相接触；第二导电型第二JTE层，与所述第二导电型第一JTE层形成在同一直线上，并且被形成为使得该第二导电型第二JTE层在所述基底的长度方向与所述第二导电型第一JTE层相隔离；以及多晶硅层，被形成为使得与所述第二导电型阱层和所述第二导电型第一JTE层的上部相接触。