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公开(公告)号:CN112151267A
公开(公告)日:2020-12-29
申请号:CN202010541176.3
申请日:2020-06-15
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供了一种介电组合物和包括其的多层电子组件。所述介电组合物包括主成分和第一副成分,所述主成分具有由ABO3表示的钙钛矿结构,其中A是Ba、Sr和Ca中的至少一种,B是Ti、Zr和Hf中的至少一种。所述第一副成分包括0.1摩尔或更多的稀土元素、0.02摩尔或更多的Nb以及大于或等于0.25摩尔且小于或等于0.9摩尔的Mg,所述稀土元素和Nb的含量之和为1.5摩尔或更少。
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公开(公告)号:CN114678218A
公开(公告)日:2022-06-28
申请号:CN202110918200.5
申请日:2021-08-11
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供了一种介电组合物和多层电子组件。所述多层电子组件包括:主体,包括介电层和与所述介电层交替地设置的内电极;以及外电极,设置在所述主体上,其中,包括在所述介电层中的尺寸为100nm至250nm的介电晶粒的数量相对于包括在所述介电层中的介电晶粒的总数的比为55%或更大。
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公开(公告)号:CN110136959A
公开(公告)日:2019-08-16
申请号:CN201811311539.3
申请日:2018-11-06
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种电容器组件及制造该电容器组件的方法。所述电容器组件包括:主体,所述主体中交替堆叠有介电层和内电极;以及外电极,设置在所述主体上且连接到所述内电极。所述介电层包括复合层、第一保护层和第二保护层,所述复合层包括介电材料粉末和金属颗粒,所述第一保护层和所述第二保护层包括介电材料粉末并通过所述复合层分开。所述第一保护层和所述第二保护层中的每个的厚度等于或大于所述介电层的厚度的1/3。
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公开(公告)号:CN109767917A
公开(公告)日:2019-05-17
申请号:CN201811053867.8
申请日:2018-09-11
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种多层电容器及介电组合物。所述多层电容器包括:主体,包括介电层以及交替地设置的第一内电极和第二内电极,且相应的介电层插设在所述第一内电极和所述第二内电极之间;以及第一外电极和第二外电极,设置在所述主体上,并分别连接到所述第一内电极和所述第二内电极。所述介电层包含BaTiO3作为主要成分,并包括多个晶粒以及相邻晶粒之间形成的晶界,基于所述晶界中的氧化物的总含量,所述晶界包含含量为8.0wt%至18.0wt%的Si以及总含量为2.0wt%至6.0wt%的Al和Mg。
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公开(公告)号:CN109748581A
公开(公告)日:2019-05-14
申请号:CN201810396538.7
申请日:2018-04-28
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/638 , H01G4/12 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供一种介电组合物和多层电子组件。所述多层电子组件包括:主体,包括交替地设置的第一内电极和第二内电极,且相应的介电层插设在所述第一内电极和所述第二内电极之间;以及第一外电极和第二外电极,设置在所述主体上以分别连接到所述第一内电极和所述第二内电极,其中,所述介电层中的每个包括BamTiO3并包括多个晶粒和形成在相邻的晶粒之间的晶界,并且基于所述晶界中的氧化物的总量的100重量份,所述晶界中的Si和Dy的总含量为10至15重量份。
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