公开(公告)号：CN116364419A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202210961789.1

申请日：2022-08-11

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金亨旭 ,  朴宰成 ,  李种皓 ,  张银河 ,  李钟焕

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 公开了一种介电组合物和包括该介电组合物的多层电容器。所述介电组合物包括：BaTiO3基主成分；以及副成分，包括稀土元素，其中，所述稀土元素包括Dy和Eu，基于100摩尔的BaTiO3基主成分，Dy和Eu摩尔含量满足条件0.10

公开(公告)号：CN118352161A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202311602628.4

申请日：2023-11-27

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 权亨纯 ,  金亨旭 ,  金庆植 ,  洪智秀 ,  白承仁 ,  崔民英 ,  朴时泽 ,  李钟焕 ,  朴宰成

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G4/018 ,  H01G4/005

Abstract: 本公开提供一种多层电子组件。所述多层电子组件包括介电层和内电极；其中，所述介电层包括稀土元素、Mn和Ti。所述稀土元素包括包含Dy和Tb的第一稀土元素以及包含与所述第一稀土元素不同的稀土元素的第二稀土元素。基于所述介电层中包含的100摩尔的Ti，将所述稀土元素的摩尔数定义为RE，将Dy的摩尔数定义为A1，将Tb的摩尔数定义为A2，并且满足0.5mol≤RE≤0.9mol且1

公开(公告)号：CN118538538A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410188012.5

申请日：2024-02-20

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 柳惠沅 ,  金庆植 ,  白承仁 ,  崔民英 ,  李钟焕 ,  权亨纯

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本公开提供一种多层电子组件，所述多层电子组件包括主体以及设置在所述主体上的外电极，所述主体包括多个介电层和多个内电极。所述主体包括电容形成部和覆盖部，所述电容形成部包括在第一方向上交替设置的所述多个介电层以及所述多个内电极，所述覆盖部设置在所述电容形成部在所述第一方向上的两个表面上。所述多个介电层中的一个介电层包括包含Al的第一受体元素、包含Mg、Mn和V中的至少一种的第二受体元素以及Ti。所述一个介电层和所述覆盖部均包括多个介电晶粒，并且包括在所述一个介电层中的所述多个介电晶粒的平均尺寸(G1)相对于包括在所述覆盖部中的所述多个介电晶粒的平均尺寸(G2)的比率(G1/G2)满足1.00≤G1/G2

公开(公告)号：CN118248458A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202310849482.7

申请日：2023-07-11

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金庆植 ,  白承仁 ,  李钟焕 ,  崔民英

IPC: H01G4/224 ,  H01G4/30 ,  H01G4/12

Abstract: 本公开提供一种多层电子组件，多层电子组件包括：主体，包括介电层以及第一内电极和第二内电极，第一内电极和第二内电极在第一方向上交替设置且介电层介于其间，并且主体具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面；侧边缘部，设置在第五表面和第六表面上；以及外电极，设置在第三表面和第四表面上。侧边缘部包括BaTiO3、Zn和Zr，相对于包括在侧边缘部中的100mol的Ti，侧边缘部中的Zn的量和Zr的量分别大于等于0.5mol且小于等于1.0mol。侧边缘部中的Zn的量和Zr的量分别与介电层中的Zn的量和Zr的量不同。

公开(公告)号：CN114678218A

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202110918200.5

申请日：2021-08-11

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金庆植 ,  李钟焕 ,  朴柾玧 ,  咸泰瑛 ,  徐仁泰 ,  朴宰成

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/012 ,  H01G4/12

Abstract: 本公开提供了一种介电组合物和多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，包括介电层和与所述介电层交替地设置的内电极；以及外电极，设置在所述主体上，其中，包括在所述介电层中的尺寸为100nm至250nm的介电晶粒的数量相对于包括在所述介电层中的介电晶粒的总数的比为55％或更大。