公开(公告)号：CN114823132A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202111503368.6

申请日：2021-12-10

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 田喜善 ,  金亨旭 ,  朴宰成 ,  安㤸淳 ,  李奎卓 ,  张银河

IPC: H01G4/005 ,  H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  H01G4/224

Abstract: 本公开提供了一种多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，包括多个介电层；侧边缘部，设置在所述主体上；以及外电极，设置在所述主体上。通过控制所述介电层和所述侧边缘部的每个位置的Si的含量来改善所述多层电子组件的可靠性。

公开(公告)号：CN116364419A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202210961789.1

申请日：2022-08-11

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金亨旭 ,  朴宰成 ,  李种皓 ,  张银河 ,  李钟焕

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 公开了一种介电组合物和包括该介电组合物的多层电容器。所述介电组合物包括：BaTiO3基主成分；以及副成分，包括稀土元素，其中，所述稀土元素包括Dy和Eu，基于100摩尔的BaTiO3基主成分，Dy和Eu摩尔含量满足条件0.10

公开(公告)号：CN114694967A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202110912371.7

申请日：2021-08-10

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 南洪棋 ,  白承仁 ,  洪智秀 ,  张银河 ,  田喜善 ,  朴宰成

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/012

Abstract: 本公开提供一种多层电容器。所述多层电容器包括主体以及外电极，所述主体包括多个介电层和多个内电极，所述多个内电极在第一方向上层叠。所述主体包括有效部、覆盖部和侧边缘部，所述有效部中设置有所述多个内电极以形成电容，所述有效部对应于所述多个内电极中的设置在所述第一方向上的最外侧处的内电极之间的区域，所述覆盖部在所述第一方向上覆盖所述有效部，所述侧边缘部在垂直于所述第一方向的第二方向上覆盖所述有效部，并且，1.49

公开(公告)号：CN114446649A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111270689.6

申请日：2021-10-29

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 李济熹 ,  白承仁 ,  洪智秀 ,  张银河 ,  金亨旭 ,  朴宰成

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本公开提供了一种多层电容器。所述多层电容器包括：主体，包括多层结构，在多层结构中，多个内电极在第一方向上堆叠且所述介电层介于所述多个内电极之间；以及外电极，形成在所述主体外部并且连接到所述内电极。所述主体包括有效部和侧边缘部，所述侧边缘部覆盖所述有效部的在第二方向上彼此相对的第一表面和第二表面，并且1

公开(公告)号：CN114974887A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202111579198.X

申请日：2021-12-22

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 安㤸淳 ,  白承仁 ,  洪智秀 ,  张银河 ,  田喜善 ,  朴宰成 ,  李济熹

IPC: H01G4/008 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本公开提供了一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括陶瓷主体、第一外电极和第二外电极，所述陶瓷主体包括电容形成部、第一边缘部和第二边缘部，所述电容形成部包括介电层以及第一内电极和第二内电极，且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，所述第一边缘部设置在所述电容形成部的一个表面上，所述第二边缘部设置在所述电容形成部的另一表面上。满足‑0.1≤(Tm‑Ta)/Ta，其中，Tm是所述第一边缘部和所述第二边缘部中的至少一者在第二方向上的中央区域的平均高度，Ta是所述电容形成部在第二方向上的外部区域的平均高度。

公开(公告)号：CN114823136A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202111611367.3

申请日：2021-12-27

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 洪智秀 ,  白承仁 ,  张银河 ,  田喜善 ,  朴宰成

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本公开提供一种陶瓷电子组件。所述陶瓷电子组件包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体上并且连接到所述内电极。所述介电层包含多个晶粒和设置在相邻晶粒之间的晶界，并且GB1/G1为5或更大，其中，G1是所述晶粒的Si的质量含量，并且GB1是所述晶界的Si的质量含量。

公开(公告)号：CN114520115A

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202111191491.9

申请日：2021-10-13

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金亨旭 ,  白承仁 ,  洪智秀 ,  张银河 ,  朴宰成 ,  李忠垠

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/012

Abstract: 本公开提供了一种多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，包括介电层；侧边缘部，分别设置在主体的侧表面上；以及外电极，分别设置在主体的端表面上。主体包括电容形成部和覆盖部，电容形成部包括与介电层交替设置的内电极，覆盖部分别设置在电容形成部的上表面和下表面上。Ga2/Ga1大于或等于0.8且小于1.0，并且Ga2/Gc1大于或等于0.8且小于1.0。a1是电容形成部的中央部，a2是电容形成部的与覆盖部中的一个覆盖部相邻的边界部，c1是所述一个覆盖部的与所述电容形成部相邻的边界部。Ga1、Ga2和Gc1分别是a1、a2和c1处的介电晶粒的平均尺寸。