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公开(公告)号：CN116364422A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211702163.5
申请日：2022-12-28
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种多层电容器。所述多层电容器包括：主体；以及外电极，设置在所述主体外部，其中，所述主体包括：有效部，包括堆叠的多个介电层和多个内电极，且介电层介于所述多个内电极之间；以及侧边缘部，覆盖所述有效部的侧表面中的至少一个侧表面，所述内电极从所述至少一个侧表面延伸，其中，所述侧边缘部包括电介质，所述电介质包括BaTiO3基主成分、含稀土元素第一副成分和含Zr的第二副成分，其中，基于100摩尔所述BaTiO3基主成分，当所述稀土元素的摩尔含量为RE时，Zr的摩尔含量和RE满足0.20≤Zr/RE≤0.37。
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公开(公告)号：CN118571649A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410072966.X
申请日：2024-01-18
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供了一种多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，包括介电层和内电极，所述内电极在第一方向上与所述介电层交替设置；以及外电极，设置在所述主体的外部并且连接到所述内电极。所述介电层包括在所述第一方向上堆叠的第一层和第二层，并且所述第一层和所述第二层中的每个包括Ba、Ti和Si。当包括在所述第一层中的Si与Ti的摩尔比被称为S1并且包括在所述第二层中的Si与Ti的摩尔比被称为S2时，满足1.5≤S2/S1≤3.0。
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公开(公告)号：CN118352161A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202311602628.4
申请日：2023-11-27
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种多层电子组件。所述多层电子组件包括介电层和内电极；其中，所述介电层包括稀土元素、Mn和Ti。所述稀土元素包括包含Dy和Tb的第一稀土元素以及包含与所述第一稀土元素不同的稀土元素的第二稀土元素。基于所述介电层中包含的100摩尔的Ti，将所述稀土元素的摩尔数定义为RE，将Dy的摩尔数定义为A1，将Tb的摩尔数定义为A2，并且满足0.5mol≤RE≤0.9mol且1
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公开(公告)号：CN114694967A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202110912371.7
申请日：2021-08-10
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种多层电容器。所述多层电容器包括主体以及外电极，所述主体包括多个介电层和多个内电极，所述多个内电极在第一方向上层叠。所述主体包括有效部、覆盖部和侧边缘部，所述有效部中设置有所述多个内电极以形成电容，所述有效部对应于所述多个内电极中的设置在所述第一方向上的最外侧处的内电极之间的区域，所述覆盖部在所述第一方向上覆盖所述有效部，所述侧边缘部在垂直于所述第一方向的第二方向上覆盖所述有效部，并且，1.49
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114613597A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202111214859.9
申请日：2021-10-19
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供了一种介电组合物和包括该介电组合物的多层电子组件。所述介电组合物包括：BaTiO3基主成分和第一副成分，其中，所述第一副成分包括镝(Dy)和铽(Tb)，基于100mol的所述主成分的Ti，镝(Dy)的含量和铽(Tb)的含量的总和(Dy+Tb)大于1.5mol且小于或等于2.0mol，并且0.1≤Tb/Dy
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公开(公告)号：CN114446649A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111270689.6
申请日：2021-10-29
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供了一种多层电容器。所述多层电容器包括：主体，包括多层结构，在多层结构中，多个内电极在第一方向上堆叠且所述介电层介于所述多个内电极之间；以及外电极，形成在所述主体外部并且连接到所述内电极。所述主体包括有效部和侧边缘部，所述侧边缘部覆盖所述有效部的在第二方向上彼此相对的第一表面和第二表面，并且1
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公开(公告)号：CN114974887A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202111579198.X
申请日：2021-12-22
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供了一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括陶瓷主体、第一外电极和第二外电极，所述陶瓷主体包括电容形成部、第一边缘部和第二边缘部，所述电容形成部包括介电层以及第一内电极和第二内电极，且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，所述第一边缘部设置在所述电容形成部的一个表面上，所述第二边缘部设置在所述电容形成部的另一表面上。满足‑0.1≤(Tm‑Ta)/Ta，其中，Tm是所述第一边缘部和所述第二边缘部中的至少一者在第二方向上的中央区域的平均高度，Ta是所述电容形成部在第二方向上的外部区域的平均高度。
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公开(公告)号：CN114823136A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202111611367.3
申请日：2021-12-27
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种陶瓷电子组件。所述陶瓷电子组件包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体上并且连接到所述内电极。所述介电层包含多个晶粒和设置在相邻晶粒之间的晶界，并且GB1/G1为5或更大，其中，G1是所述晶粒的Si的质量含量，并且GB1是所述晶界的Si的质量含量。
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公开(公告)号：CN114520115A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202111191491.9
申请日：2021-10-13
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供了一种多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，包括介电层；侧边缘部，分别设置在主体的侧表面上；以及外电极，分别设置在主体的端表面上。主体包括电容形成部和覆盖部，电容形成部包括与介电层交替设置的内电极，覆盖部分别设置在电容形成部的上表面和下表面上。Ga2/Ga1大于或等于0.8且小于1.0，并且Ga2/Gc1大于或等于0.8且小于1.0。a1是电容形成部的中央部，a2是电容形成部的与覆盖部中的一个覆盖部相邻的边界部，c1是所述一个覆盖部的与所述电容形成部相邻的边界部。Ga1、Ga2和Gc1分别是a1、a2和c1处的介电晶粒的平均尺寸。
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