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公开(公告)号：CN109752906A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811085097.5
申请日：2018-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03B21/20
Abstract: 本公开提供了一种元投影仪、光源装置及包括元投影仪的对象识别装置和电子装置。元投影仪包括配置为沿着光路发射光的光源阵列。光源阵列包括第一发光阵列和第二发光阵列，第一发光阵列包括配置为发射具有第一组光特性的第一光的多个第一发光元件，第二发光阵列包括配置为发射具有第二组光特性的第二光的多个第二发光元件，第二组光特性不同于第一组光特性。元投影仪包括与光路对准的元结构层。元投影仪包括具有比从光源阵列发射的光的波长更小的亚波长形状尺寸的多个纳米结构。元结构层被配置为对第一光和第二光关于彼此进行不同地调制。
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公开(公告)号：CN107728341A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710650596.3
申请日：2017-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/19 , G02F1/0147 , G02F1/0553 , G02F1/21 , G02F2001/0151 , G02F2201/346 , G02F2202/00 , G02F2202/32 , G02F2203/50 , H04B10/548 , H04B10/67 , H04B10/80 , G02F1/0063 , G02F1/0126
Abstract: 提供了光学调制器和包括光学调制器的三维图像获取设备。光学调制器可以包括含相变材料的光学调制层。第一电极可以被提供在光学调制层的第一表面上。第二电极可以被提供在光学调制层的第二表面上。第一相控制层可以布置为面对光学调制层，第一电极设置在第一相控制层与光学调制层之间。第二相控制层可以布置为面对光学调制层，第二电极设置在第二相控制层与光学调制层之间。第一相控制层和第二相控制层的每个可以具有对应于λ/4的奇数倍的光学厚度，其中λ是待被调制的入射光的目标波长。光学调制器还可以包括布置为面对光学调制层的至少一个反射层。光学调制层可以具有约10nm以下的厚度。光学调制器的工作电压可以为约10V以下。
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公开(公告)号：CN106980188A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201611186285.8
申请日：2016-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/017 , H01L31/0352 , H01L31/075 , H01L31/105
CPC classification number: H01L33/06 , G02F1/01725 , G02F2001/01733 , H01L33/30 , H01L33/60 , G02F2001/01766 , H01L31/035236 , H01L31/075 , H01L31/105
Abstract: 提供一种光器件，包括有源层，该有源层包括两个外势垒和该两个外势垒之间的耦合量子阱。该耦合量子阱包括：第一量子阱层；第二量子阱层；第三量子阱层；第一耦合势垒，在第一量子阱层与第二量子阱层之间；以及第二耦合势垒，在第二量子阱层与第三量子阱层之间。第二量子阱层在第一量子阱层与第三量子阱层之间。第二量子阱层的能带隙小于第一量子阱层的能带隙，而且第三量子阱层的能带隙等于或小于第二量子阱层的能带隙。
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公开(公告)号：CN106898949A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201610877534.1
申请日：2016-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01S5/343 , H01S5/06 , H04N13/204
Abstract: 本发明公开了一种边缘发射激光光源和包括该边缘发射激光光源的三维(3D)图像获取装置。边缘发射激光光源包括基底；设置在基底上的活性层；波长选择部分，包括配置为选择从活性层发射的光的波长的光栅区域；以及增益部分，配置为使具有选择的波长的光在与活性层平行的方向上共振。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN106980188B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201611186285.8
申请日：2016-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/017 , H01L31/0352 , H01L31/075 , H01L31/105
Abstract: 提供一种光器件，包括有源层，该有源层包括两个外势垒和该两个外势垒之间的耦合量子阱。该耦合量子阱包括：第一量子阱层；第二量子阱层；第三量子阱层；第一耦合势垒，在第一量子阱层与第二量子阱层之间；以及第二耦合势垒，在第二量子阱层与第三量子阱层之间。第二量子阱层在第一量子阱层与第三量子阱层之间。第二量子阱层的能带隙小于第一量子阱层的能带隙，而且第三量子阱层的能带隙等于或小于第二量子阱层的能带隙。
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公开(公告)号：CN109324466A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201810244963.4
申请日：2018-03-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03B21/20
Abstract: 一种超颖投影仪包括：边发射器件，被配置为通过其侧表面发射光；超颖结构层，与边发射器件的上表面间隔开，包括多个纳米结构，所述多个纳米结构具有小于从边发射器件发射的光的波长的亚波长形状尺度；以及路径改变构件，被配置为改变从边发射器件发射的光的路径，以引导该路径朝向超颖结构层。超颖投影仪因此可以被配置为基于将从边发射器件发射的光引导通过超颖结构层来发射结构光的光图案，同时具有相对紧凑的装置尺寸。
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公开(公告)号：CN102135671B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201010593275.2
申请日：2010-12-17
IPC: G02F1/017
CPC classification number: G02F1/017 , B82Y20/00 , G02F1/218 , G02F2001/0155 , G02F2201/307 , G02F2203/12
Abstract: 本发明公开了基于法布里-珀罗谐振反射的具有宽带宽的光调制器。该光调制器包括：底部分布布喇格反射器(DBR)层；包括至少一层和改性层的顶部DBR层；以及设置在底部DBR层和顶部DBR层之间的有源层，其中所述至少一层包括至少一对具有第一折射系数的第一折射系数层和具有第二折射系数的第二折射系数层，所述改性层包括至少一对具有第三折射系数的第三折射系数层和具有第四折射系数的第四折射系数层，所述第三折射系数与所述第四折射系数不同，以及所述第三折射系数层和所述第四折射系数层二者中的至少一个具有第二光学厚度，该第二光学厚度既不是λ/4，也不是λ/4的奇数倍。
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