公开(公告)号：CN108663898A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201810264409.2

申请日：2018-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全桓徹 ,  金文子 ,  权星元 ,  金熙范 ,  丁昶荣

IPC: G03F1/48 ,  G03F1/62 ,  G03F1/64 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F1/64 ,  G03F1/22 ,  G03F1/24 ,  G03F1/62 ,  G03F7/2008 ,  G03F1/48 ,  G03F7/2004

Abstract: 根据示例性实施例，提供一种用于暴露到极紫外光(extreme ultraviolet light，EUVL)的护膜以及一种光刻系统，所述护膜包括护膜膜片以及贴合到所述护膜膜片的框架，其中所述护膜膜片包括碳系主层以及硼系增强层，所述碳系主层具有彼此相对的第一表面与第二表面，所述硼系增强层覆盖选自所述第一表面与所述第二表面中的至少一个表面。根据示例性实施例的护膜可在极紫外光曝光环境中使用较长的时间段。

公开(公告)号：CN117250824A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202310215581.X

申请日：2023-03-07

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 金文子 ,  南基捧 ,  吕振浩 ,  刘炳哲 ,  刘址范 ,  丁昶荣

IPC: G03F1/62 ,  G03F1/22 ,  H01L21/033

Abstract: 提供了用于极紫外线曝光的薄膜及其制造方法。所述方法包括：在催化剂衬底上形成含石墨层；对所述含石墨层的第一表面进行表面处理以形成第一处理层；和在所述第一处理层上形成第一钝化层，其中，形成所述第一处理层包括通过对所述第一表面的所述表面处理去除所述含石墨层中包括的C‑O‑C键。

公开(公告)号：CN113805427A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202110660102.6

申请日：2021-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐焕锡 ,  金成洙 ,  丁昶荣

IPC: G03F1/26 ,  G03F7/20

Abstract: 一种用于极紫外光刻的相移掩模，其包括：衬底；衬底上的反射层；反射层上的封盖层；封盖层上的缓冲图案，缓冲图案包括暴露封盖层的表面的开口；以及缓冲图案上的吸收器图案，吸收器图案包括小于缓冲图案的折射率的折射率和大于缓冲图案的厚度的厚度。缓冲图案包括相对于吸收器图案和封盖层具有蚀刻选择性的材料。

公开(公告)号：CN110119064A

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201910066838.3

申请日：2019-01-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文勇升 ,  金熙范 ,  丁昶荣

IPC: G03F1/48

Abstract: 本发明涉及表膜和包括其的掩模版。提供待用于光刻工艺的表膜。该表膜包括如下的膜，所述膜的至少一部分包括碳同素异形体。所述膜具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面，该膜包括包含掺杂剂的掺杂区域，该掺杂区域与所述第一表面相邻，所述掺杂剂包括硼或氮的至少一种，以及所述掺杂区包括所述掺杂剂的至少一种的原子与碳原子之间的键。