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公开(公告)号：CN117250824A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202310215581.X
申请日：2023-03-07
Applicant: 三星电子株式会社 , 成均馆大学校产学协力团
IPC: G03F1/62 , G03F1/22 , H01L21/033
Abstract: 提供了用于极紫外线曝光的薄膜及其制造方法。所述方法包括：在催化剂衬底上形成含石墨层；对所述含石墨层的第一表面进行表面处理以形成第一处理层；和在所述第一处理层上形成第一钝化层，其中，形成所述第一处理层包括通过对所述第一表面的所述表面处理去除所述含石墨层中包括的C‑O‑C键。
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公开(公告)号：CN105839076B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201610077444.4
申请日：2016-02-03
Applicant: 成均馆大学校产学协力团
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种薄膜沉积装置，在该薄膜沉积装置中源单元被配置在等离子体单元的下端，并且所述等离子体单元包括栅格。
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公开(公告)号：CN105473761B
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201480023046.3
申请日：2014-08-04
Applicant: 成均馆大学校产学协力团
IPC: C23C16/44
Abstract: 一种薄膜沉积装置被提供。该装置包括衬底装载单元，其被配置来将衬底装载在该衬底装载单元上；衬底运输单元，其与所述衬底装载单元连接且被配置来移动所述衬底；和薄膜沉积单元，其被配置来在所述衬底上沉积薄膜，其中所述薄膜沉积单元包括多个等离子体模块，还有提供在各个所述等离子体模块之间且被配置为通过升高或降低来连接相邻等离子体模块下面的空间或使相邻等离子体模块下面的空间彼此隔离的隔离构件，且所述衬底运输单元在所述多个等离子体模块之间轮流移动所述衬底装载单元从而允许薄膜被形成在所述衬底上。
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公开(公告)号：CN103140439A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201180044473.6
申请日：2011-07-15
Applicant: 成均馆大学校产学协力团 , 三星泰科威株式会社
CPC classification number: C01B31/0453 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , C23C16/01 , C23C16/26
Abstract: 本发明涉及用于在低温形成石墨烯的方法，涉及用于直接转移使用相同方法的石墨烯的方法，以及涉及石墨烯片材。用于在低温形成石墨烯的所述方法包括供给含有碳源的气体至在衬底上形成的用于生长石墨烯的金属氧化剂层，并通过电感耦合等离子体化学气相沉积（ICP-CVD）方式在500℃或更低的低温形成石墨烯。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105369218A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510474152.X
申请日：2015-08-05
Applicant: 成均馆大学校产学协力团
Abstract: 本发明涉及无机薄膜的高速沉积方法以及用于所述方法的装置。所述方法包括通过交替使用源气体和反应物气体对衬底进行等离子体处理；并且使所述源气体和反应物气体在衬底的表面上反应以在所述衬底上形成无机薄膜，其中所述源气体和反应物气体的等离子体处理分别在彼此独立的等离子体模块中进行，并且所述源气体包括惰性气体和前体，所述前体包含选自由硅、铝、锌以及它们的组合组成的群组中的金属。
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公开(公告)号：CN105821395B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201610044459.0
申请日：2016-01-22
Applicant: 成均馆大学校产学协力团
IPC: C23C16/54 , C23C16/44 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了金属氧化物薄膜的沉积方法和金属氧化物薄膜的制备装置。
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公开(公告)号：CN105369218B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201510474152.X
申请日：2015-08-05
Applicant: 成均馆大学校产学协力团
Abstract: 本发明涉及无机薄膜的高速沉积方法以及用于所述方法的装置。所述方法包括通过交替使用源气体和反应物气体对衬底进行等离子体处理；并且使所述源气体和反应物气体在衬底的表面上反应以在所述衬底上形成无机薄膜，其中所述源气体和反应物气体的等离子体处理分别在彼此独立的等离子体模块中进行，并且所述源气体包括惰性气体和前体，所述前体包含选自由硅、铝、锌以及它们的组合组成的群组中的金属。
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公开(公告)号：CN105839076A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610077444.4
申请日：2016-02-03
Applicant: 成均馆大学校产学协力团
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45536
Abstract: 本发明公开了一种薄膜沉积装置，在该薄膜沉积装置中源单元被配置在等离子体单元的下端，并且所述等离子体单元包括栅格。
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公开(公告)号：CN105803426B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201610029865.X
申请日：2016-01-18
Applicant: 成均馆大学校产学协力团
IPC: C23C16/513 , C23C16/455 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及使用具有超薄结构的沉积装置的薄膜沉积方法及该沉积装置。具体公开了一种超薄结构的薄膜沉积方法和一种超薄结构的薄膜沉积装置，所述方法包括：通过使用源气体和反应物气体对衬底进行等离子体处理；以及通过使所述源气体与所述反应物气体在所述衬底的表面上反应而在所述衬底上形成薄膜，其中通过使用所述源气体和所述反应物气体对所述衬底进行等离子体处理在单个等离子体模块内执行，以及所述等离子体处理选择性地对所述衬底的整体或部分进行。
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