公开(公告)号：CN103459316A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201280016553.5

申请日：2012-01-30

Applicant: 三星泰科威株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 宋荣日 ,  金炯根 ,  洪秉熙 ,  安钟贤

IPC: C01B31/02 ,  C01B31/12 ,  B01J23/755 ,  B01J19/24

CPC classification number: C01B32/186 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C16/26 ,  C23C16/4582 ,  C23C16/545

Abstract: 一种用于合成石墨烯的方法和设备。所述方法包括：将催化剂金属以水平方向或者垂直方向装载到室中；通过加热催化剂金属来增大催化剂金属的颗粒的尺寸；在催化剂金属中提供气相碳源的同时，升高室内部的温度；以及通过冷却催化剂金属来形成石墨烯。

公开(公告)号：CN103140439A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201180044473.6

申请日：2011-07-15

Applicant: 成均馆大学校产学协力团 ,  三星泰科威株式会社

Inventor： 洪秉熙 ,  安钟贤 ,  刘址范 ,  裴秀康 ,  郑明姬 ,  张镐旭 ,  李荣斌 ,  金想珍

IPC: C01B31/02 ,  C23C16/26 ,  C23C16/50

CPC classification number: C01B31/0453 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  C23C16/01 ,  C23C16/26

Abstract: 本发明涉及用于在低温形成石墨烯的方法，涉及用于直接转移使用相同方法的石墨烯的方法，以及涉及石墨烯片材。用于在低温形成石墨烯的所述方法包括供给含有碳源的气体至在衬底上形成的用于生长石墨烯的金属氧化剂层，并通过电感耦合等离子体化学气相沉积（ICP-CVD）方式在500℃或更低的低温形成石墨烯。

公开(公告)号：CN103459316B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201280016553.5

申请日：2012-01-30

Applicant: 韩华泰科株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 宋荣日 ,  金炯根 ,  洪秉熙 ,  安钟贤

IPC: C01B31/02 ,  C01B31/12 ,  B01J23/755 ,  B01J19/24

CPC classification number: C01B32/186 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C16/26 ,  C23C16/4582 ,  C23C16/545

Abstract: 一种用于合成石墨烯的方法和设备。所述方法包括：将催化剂金属以水平方向或者垂直方向装载到室中；通过加热催化剂金属来增大催化剂金属的颗粒的尺寸；在催化剂金属中提供气相碳源的同时，升高室内部的温度；以及通过冷却催化剂金属来形成石墨烯。

公开(公告)号：CN102656016A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201080053934.1

申请日：2010-10-18

Applicant: 成均馆大学校产学协力团

Inventor： 洪秉熙 ,  安钟贤 ,  裵秀康 ,  金炯根

IPC: B41M5/03 ,  B41M5/10

CPC classification number: B32B43/006 ,  B32B37/0053 ,  B32B38/00 ,  B32B38/18 ,  B32B2313/04 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/182 ,  C01B32/194 ,  C08J7/00 ,  C08J7/02 ,  Y10T156/17 ,  Y10T156/1956 ,  Y10T428/30

Abstract: 本公开涉及石墨烯卷对卷转印方法、石墨烯卷对卷转印装置、由石墨烯卷对卷转印方法制造的石墨烯卷以及石墨烯卷的用途。

公开(公告)号：CN102020271B

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201010292705.7

申请日：2010-09-20

Applicant: 三星泰科威株式会社 ,  成均馆大学产学协力团

Inventor： 宋荣日 ,  安钟贤 ,  李荣彬 ,  洪秉熙

IPC: C01B31/04

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  C23C16/01 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/26 ,  H01B1/04 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02664

Abstract: 本发明提供了一种制造石墨烯的方法、由所述方法制造的石墨烯、包含所述石墨烯的导电薄膜、包含所述石墨烯的透明电极和包含所述石墨烯的辐射或加热装置。所述方法包括：制备石墨烯构件，所述石墨烯构件包括基体构件、形成在所述基体构件上的亲水性氧化物层、形成在所述氧化物层上的疏水性金属催化剂层和在所述金属催化剂层上生长出的石墨烯；将水施加于所述石墨烯构件；将所述金属催化剂层与所述氧化物层分离；使用蚀刻工艺去除所述金属催化剂层。

公开(公告)号：CN102020271A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN201010292705.7

申请日：2010-09-20

Applicant: 三星泰科威株式会社 ,  成均馆大学产学协力团

Inventor： 宋荣日 ,  安钟贤 ,  李荣彬 ,  洪秉熙

IPC: C01B31/04

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  C23C16/01 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/26 ,  H01B1/04 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02664

Abstract: 本发明提供了一种制造石墨烯的方法、由所述方法制造的石墨烯、包含所述石墨烯的导电薄膜、包含所述石墨烯的透明电极和包含所述石墨烯的辐射或加热装置。所述方法包括：制备石墨烯构件，所述石墨烯构件包括基体构件、形成在所述基体构件上的亲水性氧化物层、形成在所述氧化物层上的疏水性金属催化剂层和在所述金属催化剂层上生长出的石墨烯；将水施加于所述石墨烯构件；将所述金属催化剂层与所述氧化物层分离；使用蚀刻工艺去除所述金属催化剂层。