公开(公告)号：CN103459316A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201280016553.5

申请日：2012-01-30

Applicant: 三星泰科威株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 宋荣日 ,  金炯根 ,  洪秉熙 ,  安钟贤

IPC: C01B31/02 ,  C01B31/12 ,  B01J23/755 ,  B01J19/24

CPC classification number: C01B32/186 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C16/26 ,  C23C16/4582 ,  C23C16/545

Abstract: 一种用于合成石墨烯的方法和设备。所述方法包括：将催化剂金属以水平方向或者垂直方向装载到室中；通过加热催化剂金属来增大催化剂金属的颗粒的尺寸；在催化剂金属中提供气相碳源的同时，升高室内部的温度；以及通过冷却催化剂金属来形成石墨烯。

公开(公告)号：CN103459316B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201280016553.5

申请日：2012-01-30

Applicant: 韩华泰科株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 宋荣日 ,  金炯根 ,  洪秉熙 ,  安钟贤

IPC: C01B31/02 ,  C01B31/12 ,  B01J23/755 ,  B01J19/24

CPC classification number: C01B32/186 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C16/26 ,  C23C16/4582 ,  C23C16/545

Abstract: 一种用于合成石墨烯的方法和设备。所述方法包括：将催化剂金属以水平方向或者垂直方向装载到室中；通过加热催化剂金属来增大催化剂金属的颗粒的尺寸；在催化剂金属中提供气相碳源的同时，升高室内部的温度；以及通过冷却催化剂金属来形成石墨烯。

公开(公告)号：CN103958730A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201280058356.X

申请日：2012-10-29

Applicant: 三星泰科威株式会社

Inventor： 尹锺赫 ,  罗德和 ,  宋荣日 ,  元栋观

IPC: C23C16/06 ,  C01B31/02

Abstract: 一种将用于合成石墨烯的催化金属的铜基薄金属膜以及利用其的石墨烯制造方法，该铜基薄金属膜包括银0.001wt％至0.05wt％。

公开(公告)号：CN102020271A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN201010292705.7

申请日：2010-09-20

Applicant: 三星泰科威株式会社 ,  成均馆大学产学协力团

Inventor： 宋荣日 ,  安钟贤 ,  李荣彬 ,  洪秉熙

IPC: C01B31/04

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  C23C16/01 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/26 ,  H01B1/04 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02664

Abstract: 本发明提供了一种制造石墨烯的方法、由所述方法制造的石墨烯、包含所述石墨烯的导电薄膜、包含所述石墨烯的透明电极和包含所述石墨烯的辐射或加热装置。所述方法包括：制备石墨烯构件，所述石墨烯构件包括基体构件、形成在所述基体构件上的亲水性氧化物层、形成在所述氧化物层上的疏水性金属催化剂层和在所述金属催化剂层上生长出的石墨烯；将水施加于所述石墨烯构件；将所述金属催化剂层与所述氧化物层分离；使用蚀刻工艺去除所述金属催化剂层。

公开(公告)号：CN103459315A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201280016322.4

申请日：2012-03-30

Applicant: 三星泰科威株式会社

Inventor： 宋荣日

IPC: C01B31/02 ,  C23C18/31 ,  C23C18/18 ,  C23C18/22 ,  B01J19/18

CPC classification number: C01B31/0446 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/184 ,  C01B32/186 ,  C01B32/194 ,  Y10T428/30

Abstract: 一种制造石墨烯膜的方法，所述方法包括：在催化剂金属膜的表面上形成石墨烯；在石墨烯的上面没有形成催化剂金属膜的表面上形成第一膜；去除催化剂金属膜；以及对石墨烯执行掺杂过程，其中，通过使用辊对辊方法在一个方向上执行形成石墨烯、形成第一膜、去除催化剂金属膜、执行掺杂过程的步骤。

公开(公告)号：CN103221335A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201180055772.X

申请日：2011-11-17

Applicant: 三星泰科威株式会社

Inventor： 罗德和 ,  尹钟赫 ,  宋荣日 ,  元栋观

IPC: B82B3/00 ,  B29C59/02

CPC classification number: B32B37/025 ,  B65H19/29 ,  C01B32/186 ,  C01B32/194 ,  Y10T156/1702

Abstract: 提供了用于转移石墨烯的方法和设备。石墨烯转移方法包括：石墨烯合成操作，包括在催化剂金属膜的至少一个表面上形成至少一层石墨烯；基底膜附着操作，包括使基底膜的粘性第一表面接触所述至少一层石墨烯并通过使用第一辊将催化剂金属膜和基底膜压紧；基底膜分离操作，包括将基底膜与催化剂金属膜分离，使得所述至少一层石墨烯和基底膜一起与催化剂金属膜分离。

公开(公告)号：CN102020271B

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201010292705.7

申请日：2010-09-20

Applicant: 三星泰科威株式会社 ,  成均馆大学产学协力团

Inventor： 宋荣日 ,  安钟贤 ,  李荣彬 ,  洪秉熙

IPC: C01B31/04

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  C23C16/01 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/26 ,  H01B1/04 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02664

Abstract: 本发明提供了一种制造石墨烯的方法、由所述方法制造的石墨烯、包含所述石墨烯的导电薄膜、包含所述石墨烯的透明电极和包含所述石墨烯的辐射或加热装置。所述方法包括：制备石墨烯构件，所述石墨烯构件包括基体构件、形成在所述基体构件上的亲水性氧化物层、形成在所述氧化物层上的疏水性金属催化剂层和在所述金属催化剂层上生长出的石墨烯；将水施加于所述石墨烯构件；将所述金属催化剂层与所述氧化物层分离；使用蚀刻工艺去除所述金属催化剂层。