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公开(公告)号：CN102347368B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201110115503.X
申请日：2011-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/12 , H01L29/36 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66969 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供了晶体管、制造所述晶体管的方法及包括所述晶体管的平板显示器。所述晶体管可以包括具有多层结构的氧化物沟道层。沟道层可包括从栅极绝缘层顺序地布置的第一层和第二层。第一层可以是导体，第二层可以是导电率比第一层的导电率低的半导体。第一层可根据栅极电压条件变成耗尽区。
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公开(公告)号：CN103872138A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310665394.8
申请日：2013-12-10
IPC: H01L29/786 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L27/1214 , H01L29/1033 , H01L29/66742
Abstract: 根据示例实施方式，一种晶体管可以包括：彼此层叠的栅极电极、栅极绝缘层和沟道层；以及源极电极和漏极电极，分别接触沟道层的第一区和第二区。沟道层可以包括金属氮氧化物。沟道层的第一区和第二区可以是用包含氢的等离子体处理的区域，并且第一区和第二区具有比沟道层的剩余区域中的载流子浓度高的载流子浓度。沟道层的第一区和第二区可以具有比沟道层的剩余区域低的氧浓度和比其高的氮浓度。沟道层的金属氮氧化物可以包括锌氮氧化物(ZnON）基的半导体。
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公开(公告)号：CN102347368A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110115503.X
申请日：2011-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/12 , H01L29/36 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66969 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供了晶体管、制造所述晶体管的方法及包括所述晶体管的平板显示器。所述晶体管可以包括具有多层结构的氧化物沟道层。沟道层可包括从栅极绝缘层顺序地布置的第一层和第二层。第一层可以是导体，第二层可以是导电率比第一层的导电率低的半导体。第一层可根据栅极电压条件变成耗尽区。
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公开(公告)号：CN101799628A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010121441.9
申请日：2010-02-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/102 , B82Y30/00 , H01L51/0023 , H01L51/0512 , Y10T428/24802 , Y10T428/24917 , Y10T428/31504 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明公开表面改性剂、叠层结构体和其制法及包括其的晶体管。具体而言，本发明公开包括在一个末端具有乙炔基的化合物的表面改性剂、使用该表面改性剂制造的叠层结构体、制造该叠层结构体的方法、以及包括该叠层结构体的晶体管。
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公开(公告)号：CN101355138A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200710137394.5
申请日：2007-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/105 , C07F9/091 , C07F9/094 , C07F9/2408 , C07F9/2429 , H01L51/0075 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 本发明披露一种包括磷酸酯类自组装单层的有机薄膜晶体管及其制造方法。本发明披露一种有机薄膜晶体管及其制造方法，该有机薄膜晶体管在源电极/漏电极和有机半导体之间可包括没有分子间交联的单键型磷酸酯类自组装单层，从而显示出改进的电性能，例如提高的电荷迁移率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101012334A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200610063978.8
申请日：2006-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C08L83/00 , C08K5/56 , H01B3/18 , H01B3/46 , H01L51/05 , H01L51/40 , C08L29/00 , C08L47/00 , C08L71/00
CPC classification number: H01L51/052 , H01L21/02126 , H01L21/02175 , H01L21/3122 , H01L51/0036 , H01L51/0055 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明涉及一种有机绝缘体组合物，具有此有机绝缘体组合物的有机绝缘膜，具有此有机绝缘膜的有机薄膜晶体管，具有此有机薄膜晶体管的电子设备，以及形成这些产品的方法。本发明还涉及包括氟化硅烷化合物的有机绝缘体组合物，该化合物可以用于改进有机薄膜晶体管的载流子迁移率和滞后现象。提供包括氟化硅烷化合物的有机绝缘体组合物，以及使用该组合物的有机薄膜晶体管。使用此有机绝缘体组合物可以改进此有机薄膜晶体管的滞后和物理特性，例如阈值电压和/或载流子迁移率。此有机薄膜晶体管可有效用于包括液晶显示器(LCD)和/或光电设备在内的各种电子设备的制造。
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公开(公告)号：CN1967103A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610144610.4
申请日：2006-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: F25C5/12 , F25C2400/10 , F25C2600/02 , F25C2600/04 , F25D23/126
Abstract: 一种冰箱的控制方法，所述冰箱包括：储存和排出冰块的储冰部；刨削从所述储冰部排出的冰块以制作刨冰的刨冰单元；向所述刨冰单元供应储存在所述储冰部内的冰块的冰输送驱动部；以及驱动所述刨冰单元以制作刨冰的刨冰单元驱动部，所述控制方法包括步骤：为所述冰输送驱动部设定打开/关闭参考时间，以便所述冰输送驱动部按照预定的操作周期操作；在所述刨冰单元驱动部被停止时，存储从所述冰输送驱动部的最后操作周期开始经过的最后打开/关闭时间；以及在所述刨冰单元驱动部被再次驱动时，驱动所述冰输送驱动部从最后操作周期剩余的最后打开/关闭时间，且然后按照所述操作周期驱动所述冰输送驱动部。
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公开(公告)号：CN1622362A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410095369.1
申请日：2004-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L51/0052 , H01L51/0053 , H01L51/0081 , H01L51/0097 , H01L51/052 , H01L51/10 , H01L51/5237 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种包含衬底、栅极、栅极绝缘层、有机半导体层、源极－漏极和保护层的有机薄膜晶体管，其中在有机半导体层和保护层之间插入缓冲层。该晶体管使得因含有氧气和湿气的环境气体所引起的对晶体管性能的劣化和安装显示器件期间所引起的晶体管性能的下降减至最小。
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公开(公告)号：CN1573543A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410048459.5
申请日：2004-06-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/165 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G03F7/0047 , G03F7/016 , G03F7/027 , Y10S430/117
Abstract: 光敏金属纳米颗粒和用其形成导电图案的方法，其中，具有末端活性基团的硫醇或异氰化物化合物的自组装单分子层形成于光敏金属纳米颗粒表面上，并且光敏基团引入到该末端活性基团。所述光敏金属纳米颗粒通过暴露在光下能够容易地形成具有优异导电率的导电性膜或图案，因此，可以用于以下领域：抗静电的可洗的粘性垫子或鞋子、导电性聚氨酯印刷机滚筒、电磁干扰屏蔽等。
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公开(公告)号：CN1332855A
公开(公告)日：2002-01-23
申请号：CN99815419.9
申请日：1999-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02B6/125
Abstract: 提供了一种光耦合器及其制造方法。该光耦合器具有一输入光波导(Ⅰ)和N个输出光波导(O1、O2、…),并且将从输入光波导(Ⅰ)接收到的光信号分割成N个光信号。该光耦合器还包括:多个Y型接头光波导,其以m个级配置,用于在每一级中将接收到的光信号分支为两个光信号;和多个弯曲的光波导,其交替地连接到Y型接头光波导,至少一个弯曲光波导连接在第m级中Y型接头光波导和输出光波导之间,其中,当光信号的引导方向被设置为纵轴,并且输入光波导与第一级Y型接头光波导之间的接头被设置为开始点时,确定Y型接头光波导和弯曲光波导的位置和尺寸,以便使范围从开始点至每个输出光波导的N个路径中的最长路径最小。光耦合器是采用Y型接头光波导模块(J11、J12、…)连接光波导模块(B11、B21、…)制造的,从而能够设计各种Y型接头光波导结构。另外,提高了模块布局的自由度,从而使光耦合器的设计容易。
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