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公开(公告)号：CN109037668B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201810600191.3
申请日：2018-06-12
IPC: H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M10/0567 , H01M10/052
Abstract: 锂二次电池包括：正极；负极；以及设置在所述正极和所述负极之间的电解质，其中所述正极包括由式1表示的正极活性材料，所述电解质包括锂盐、非水溶剂以及由式2表示的磷酸酯化合物，且所述磷酸酯化合物的量小于约3重量％，基于所述电解质的总重量，其中，在式1中，0.9≤x≤1.2，0.7≤y≤0.98，且0≤z
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公开(公告)号：CN111525189A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010078239.6
申请日：2020-02-03
IPC: H01M10/0567 , H01M10/052 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及电解质和包括其的锂电池。电解质包括：锂盐；非水溶剂；由式2表示的烷基磺酸酯化合物；和由式3表示的不饱和砜化合物，其中，在式2中，Q1和Q2各自独立地为取代或未取代的C1‑C20烷基，和在式3中，Q3和Q4各自独立地为由‑(L1)‑(R1)表示的基团、乙烯基、烯丙基、或者取代或未取代的C1‑C20烷基，且Q3或Q4的至少一个为由‑(L1)‑(R1)表示的基团、乙烯基、或烯丙基，L1为取代或未取代的C2‑C20亚烯基或者取代或未取代的C2‑C20亚炔基，和R1为氢或取代或未取代的C2‑C20烷基。式2式3
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公开(公告)号：CN109037668A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810600191.3
申请日：2018-06-12
IPC: H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M10/0567 , H01M10/052
Abstract: 锂二次电池包括：正极；负极；以及设置在所述正极和所述负极之间的电解质，其中所述正极包括由式1表示的正极活性材料，所述电解质包括锂盐、非水溶剂以及由式2表示的磷酸酯化合物，且所述磷酸酯化合物的量小于约3重量％，基于所述电解质的总重量，其中，在式1中，0.9≤x≤1.2，0.7≤y≤0.98，且0≤z
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公开(公告)号：CN116023369A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211317388.9
申请日：2022-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D409/14 , C07D409/04 , H10K39/32 , H10K85/60
Abstract: 公开了化合物、膜、红外传感器和电子设备，所述化合物由化学式1表示，所述膜、红外传感器和电子设备包括所述化合物。在化学式1中，Q1、Q2、X1、X2、R1、R2和A1与说明书中相同。[化学式1]。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113861177A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202110736836.8
申请日：2021-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D409/14 , C07D517/04 , C07D495/14 , C07D519/00 , H01L27/30 , H01L51/46
Abstract: 本发明涉及化合物、红外吸收剂、红外吸收/阻挡膜、光电器件、传感器、电子设备和图像传感器。由化学式1表示的化合物。在化学式1中，R1至R4、R11a至R14c和n与详细的说明书中限定的相同。[化学式1]。
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公开(公告)号：CN119177446A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202410805223.9
申请日：2024-06-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供蚀刻组合物、使用其蚀刻含金属的膜的方法和使用其制造半导体器件的方法。所述蚀刻组合物包括氧化剂、酸和选择性蚀刻抑制剂，其中所述氧化剂为不含金属的，所述选择性蚀刻抑制剂包括包含第一重复单元和第二重复单元的共聚物，所述第一重复单元不同于所述第二重复单元，并且所述第一重复单元为含氮的重复单元。
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公开(公告)号：CN114497377A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111261026.8
申请日：2021-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/42
Abstract: 公开传感器和电子设备。所述传感器包括第一和第二电极、以及在所述第一和第二电极之间的红外光电转换层，所述红外光电转换层配置成吸收在红外波长谱的至少一部分中的光并且将所吸收的光转换成电信号。所述红外光电转换层包括具有在红外波长谱中的最大吸收波长的第一材料、与所述第一材料形成pn结的第二材料、和具有比所述第一材料的能带隙大了大于或等于约1.0eV的能带隙的第三材料。所述第一材料、第二材料、和第三材料彼此不同，并且所述第一材料、第二材料、和第三材料各自为非聚合物型材料。
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公开(公告)号：CN119842402A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411449104.0
申请日：2024-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K13/00 , H01L21/768
Abstract: 提供蚀刻组合物、通过使用其蚀刻含金属的膜的方法和通过使用其制造半导体器件的方法。所述蚀刻组合物可包括氧化剂、缓冲剂和选择性蚀刻抑制剂。所述选择性蚀刻抑制剂可包括由式1表示的第一化合物和不同于所述第一化合物的第二化合物。所述第二化合物可包括环。所述环可为吡唑基团、咪唑基团、三唑基团或四唑基团，或者所述环可为各自与苯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、或其任意组合稠合的吡唑基团、咪唑基团或三唑基团。式1的描述提供于本说明书中。式1#imgabs0#
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