公开(公告)号：CN107459516B

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN201710412902.X

申请日：2017-06-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔容硕 ,  权五逵 ,  林允熙 ,  崔惠成 ,  韩文奎 ,  涩谷宽政 ,  陈勇完 ,  柴田胜则

IPC: C07D421/12 ,  C07D421/04 ,  C07D471/04 ,  C07D495/04 ,  C07D513/04 ,  C07D513/14 ,  C07D471/14 ,  C07D421/14 ,  C07F7/08 ,  C07F7/30 ,  C07D517/04 ,  H01L51/46 ,  H01L27/146 ,  H04N5/225

Abstract: 公开了由化学式1表示的化合物以及包括其的光电器件、图像传感器、和电子设备。在化学式1中，各取代基与详述的说明书中定义的相同。[化学式1]

公开(公告)号：CN114497377A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202111261026.8

申请日：2021-10-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林东晰 ,  金来成 ,  权五逵 ,  金畅基 ,  朴仁仙

IPC: H01L51/42

Abstract: 公开传感器和电子设备。所述传感器包括第一和第二电极、以及在所述第一和第二电极之间的红外光电转换层，所述红外光电转换层配置成吸收在红外波长谱的至少一部分中的光并且将所吸收的光转换成电信号。所述红外光电转换层包括具有在红外波长谱中的最大吸收波长的第一材料、与所述第一材料形成pn结的第二材料、和具有比所述第一材料的能带隙大了大于或等于约1.0eV的能带隙的第三材料。所述第一材料、第二材料、和第三材料彼此不同，并且所述第一材料、第二材料、和第三材料各自为非聚合物型材料。

公开(公告)号：CN111477692A

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN201911042488.3

申请日：2019-10-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李光熙 ,  卢卓均 ,  林东晰 ,  权五逵 ,  朴范雨 ,  崔惠成

IPC: H01L31/02 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0256

Abstract: 本发明提供了一种光电二极管、包括该光电二极管的有机传感器、以及包括该光电二极管或者该有机传感器的电子装置。该光电二极管包括：彼此面对的第一电极和第二电极；在第一电极和第二电极之间的光电转换层；和在光电转换层上的补偿层，该补偿层配置为补偿光的吸收和反射。光电转换层与在第一波长处具有光吸收峰且在第二波长处具有反射峰的第一光谱相关，第一波长和第二波长都在大约750nm至大约1200nm的波长区域内。光电二极管与在第三波长处具有光吸收峰的第二光谱相关，第三波长在大约750nm至大约1200nm的波长区域内，第三波长不同于第一波长。

公开(公告)号：CN111087406B

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN201911004585.3

申请日：2019-10-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权五逵 ,  崔惠成 ,  朴范雨 ,  金煌奭 ,  卢卓均 ,  李光熙 ,  林东晰

IPC: C07D495/04 ,  C07F7/10 ,  H10K85/10 ,  H10K30/20

Abstract: 公开化合物、膜、光电二极管、有机传感器、和电子设备，所述化合物由化学式1表示。在化学式1中，X1、X2、Y1、Y2、Ar、L1、L2、R1、R4、和n与说明书中定义的相同。[化学式1]#imgabs0#

公开(公告)号：CN116023369A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211317388.9

申请日：2022-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权五逵 ,  金来成 ,  林东晰 ,  金象同 ,  朴仁仙

IPC: C07D409/14 ,  C07D409/04 ,  H10K39/32 ,  H10K85/60

Abstract: 公开了化合物、膜、红外传感器和电子设备，所述化合物由化学式1表示，所述膜、红外传感器和电子设备包括所述化合物。在化学式1中，Q1、Q2、X1、X2、R1、R2和A1与说明书中相同。[化学式1]。

公开(公告)号：CN113861177A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202110736836.8

申请日：2021-06-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权五逵 ,  金畅基 ,  崔惠成 ,  金煌奭 ,  朴仁仙 ,  林东晰

IPC: C07D409/14 ,  C07D517/04 ,  C07D495/14 ,  C07D519/00 ,  H01L27/30 ,  H01L51/46

Abstract: 本发明涉及化合物、红外吸收剂、红外吸收/阻挡膜、光电器件、传感器、电子设备和图像传感器。由化学式1表示的化合物。在化学式1中，R1至R4、R11a至R14c和n与详细的说明书中限定的相同。[化学式1]。

公开(公告)号：CN109694374B

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN201811227739.0

申请日：2018-10-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申智琇 ,  崔容硕 ,  柴田胜则 ,  崔泰溱 ,  尹晟荣 ,  权五逵 ,  金相模 ,  涩谷宽政 ,  李启滉 ,  陈勇完 ,  崔惠成 ,  白铁 ,  洪慧林

IPC: C07D421/04 ,  C07D421/14 ,  C07D471/04 ,  C07D471/14 ,  C07F7/08 ,  C07F7/30 ,  H10K85/40 ,  H10K85/60 ,  H10K39/32

Abstract: 公开化合物以及包括其的光电器件、图像传感器、和电子设备。所述化合物由化学式1表示。在化学式1中，各基团与在具体实施方式部分中定义的相同。[化学式1]#imgabs0#

公开(公告)号：CN112830938A

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN202011324156.7

申请日：2020-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔惠成 ,  权五逵 ,  金煌奭 ,  李光熙 ,  林东晰

IPC: C07D519/00 ,  C07D513/04 ,  H01L27/30 ,  H01L51/46

Abstract: 本发明涉及近红外吸收剂、近红外吸收/阻挡膜、光电器件、有机传感器、和电子装置。近红外吸收剂包括由化学式1表示的化合物。近红外吸收/阻挡膜、光电器件、有机传感器、和电子装置可包括所述近红外吸收剂。在化学式1中，Ar、Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、X1、X2、L1、L2、R1、和R2与详细的说明书中定义的相同。[化学式1]

公开(公告)号：CN111697013A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201911064503.4

申请日：2019-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林东晰 ,  李启滉 ,  权五逵 ,  李光熙 ,  金煌奭 ,  朴范雨 ,  崔惠成

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了传感器和包括其的电子设备。该传感器包括：可见光传感器，配置为感测可见波长光谱中的光；近红外光传感器，在可见光传感器上并且被配置为感测近红外波长光谱中的光；以及光学过滤器，在近红外光传感器上并且被配置为选择性地透过可见波长光谱中的光和近红外波长光谱中的光。

公开(公告)号：CN111477692B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN201911042488.3

申请日：2019-10-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李光熙 ,  卢卓均 ,  林东晰 ,  权五逵 ,  朴范雨 ,  崔惠成

IPC: H01L31/02 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0256

Abstract: 本发明提供了一种光电二极管、包括该光电二极管的有机传感器、以及包括该光电二极管或者该有机传感器的电子装置。该光电二极管包括：彼此面对的第一电极和第二电极；在第一电极和第二电极之间的光电转换层；和在光电转换层上的补偿层，该补偿层配置为补偿光的吸收和反射。光电转换层与在第一波长处具有光吸收峰且在第二波长处具有反射峰的第一光谱相关，第一波长和第二波长都在大约750nm至大约1200nm的波长区域内。光电二极管与在第三波长处具有光吸收峰的第二光谱相关，第三波长在大约750nm至大约1200nm的波长区域内，第三波长不同于第一波长。