-
公开(公告)号：CN1617367A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410100501.3
申请日：2004-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/00 , H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L21/312 , H01L51/0002 , H01L51/0036 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/0516 , H01L51/0545
Abstract: 本申请公开了一种有机薄膜晶体管，包括：衬底、栅电极、有机绝缘层、有机活性层和源/漏电极，其中有机绝缘层与有机活性层之间的界面是具有浮雕结构的界面。依照本发明，不管是否使用有机绝缘材料，都可得到电性能增强的有机薄膜晶体管。
-
公开(公告)号：CN101255156A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810092029.1
申请日：2008-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D417/04 , C07D417/14 , C08G61/12 , H01L51/00 , H01L51/05 , H01L51/30
CPC classification number: C07D417/04 , C07D417/14 , C07D421/14 , H01L51/0036 , H01L51/0512 , Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种合成物，该合成物在聚合物主链上除了含有显示p－型半导体性能的噻吩以及显示n－型半导体性能的噻唑环之外，还包含显示p－型半导体性能的杂亚芳基或亚芳基，包含该合成物的有机半导体聚合物，包含该有机半导体聚合物的有机有源层，包含该有机有源层的有机薄膜晶体管OTFT，包含该OTFT的电子器件，以及它们的制备方法。用于有机半导体聚合物并且包含噻唑环的示例性具体实施方案的合成物，其可以显示出增加的对有机溶剂的溶解度、同面性、可加工性以及改善的薄膜性能。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100406497C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200410098365.9
申请日：2004-12-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0043 , C08G61/122 , C08G61/124 , C08G61/125 , C08G61/126 , C08G73/0694 , H01L21/31691 , H01L51/0036 , H01L51/0516 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了在聚合物主链中含有喹喔啉环的有机薄膜晶体管用复合结构有机半导体聚合物。根据有机半导体聚合物，由于具有n型半导体特性如高电子亲合性的喹喔啉环被结合到具有p型半导体特性的聚噻吩上，有机半导体聚合物同时表现出p型和n型半导体特性。另外，聚噻吩基喹喔啉衍生物表现出高的有机溶剂溶解性、同面性和空气稳定性。此外，当聚噻吩基喹喔啉衍生物用作有机薄膜晶体管的活性层时，有机薄膜晶体管表现出高电荷载流子迁移率和低关态漏电流。
-
公开(公告)号：CN1978439A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200510126966.0
申请日：2005-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D333/04 , C07D487/04 , C07D487/16 , C07D487/06 , C07D487/14 , C07D241/38 , C07D251/12 , C07D213/04 , C07D237/06 , C07D207/30 , C07D233/54 , C07D249/08 , C07D263/30 , C07D261/06 , C07D271/06 , C07D275/02 , C07D277/20 , C07D285/08 , C08G61/12 , H01L51/05 , H01L51/30
CPC classification number: H01L51/0068 , H01L51/0036 , H01L51/0052 , H01L51/0062 , H01L51/0067 , H01L51/0069 , H01L51/007 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了一种星形低聚噻吩－亚芳基衍生物，其中具有p－型半导体特性的低聚噻吩结合在位于分子中部具有n－型半导体特性的亚芳基上，并与亚芳基形成星形，因而同时具有p－型和n－型半导体特性。本发明还公开了一种利用所述低聚噻吩－亚芳基衍生物的有机薄膜晶体管。该星形低聚噻吩－亚芳基衍生物可以在室温下旋涂，使得可以制备有机薄膜晶体管，同时又满足高载流子迁移率和低截止状态漏电流的要求。
-
公开(公告)号：CN1893141A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610087882.5
申请日：2006-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/40
CPC classification number: H01L51/105 , H01L51/0055 , H01L51/052
Abstract: 本发明的实施方案实例用于制造有机薄膜晶体管，该有机薄膜晶体管包括基片、栅极、栅极绝缘层、金属氧化物源/漏极和有机半导体层，其中金属氧化物源/漏极用含有磺酸基的形成自组装单分子层(SAM)的化合物进行表面处理。根据本发明的实施方案实例，可以将源/漏极的表面改性为更加疏水和/或可以增加构成源/漏极的金属氧化物的功函至高出构成有机半导体层的有机半导体材料的功函。根据本发明的一个或多个实施方案实例制造的有机薄膜晶体管可以显示出较高的载流子迁移率。本发明还披露了包括具有由本发明实施方案实例制成的有机薄膜晶体管的显示器件的各种器件实例。
-
公开(公告)号：CN1891732A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200510081923.5
申请日：2005-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0043 , H01L51/0036 , H01L51/0512 , Y10T428/31533
Abstract: 一种示例性的有机半导体共聚物，包括具有聚噻吩结构和受电子单元的聚合重复结构。该受电子单元具有至少一个受电子杂芳族结构，在杂芳族结构中带有至少一个吸电子的亚胺氮，或者包含C2－30杂芳族结构的噻吩－亚芳基。本发明还披露了合成方法和结合有所披露的有机半导体作为如沟道层的电子器件。
-
公开(公告)号：CN1663981A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200410098365.9
申请日：2004-12-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0043 , C08G61/122 , C08G61/124 , C08G61/125 , C08G61/126 , C08G73/0694 , H01L21/31691 , H01L51/0036 , H01L51/0516 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了在聚合物主链中含有喹喔啉环的有机薄膜晶体管用复合结构有机半导体聚合物。根据有机半导体聚合物，由于具有n型半导体特性如高电子亲合性的喹喔啉环被结合到具有p型半导体特性的聚噻吩上，有机半导体聚合物同时表现出p型和n型半导体特性。另外，聚噻吩基喹喔啉衍生物表现出高的有机溶剂溶解性、同面性和空气稳定性。此外，当聚噻吩基喹喔啉衍生物用作有机薄膜晶体管的活性层时，有机薄膜晶体管表现出高电荷载流子迁移率和低关态漏电流。
-
-
-
-
-
-
Search Results
17
records
(took 0.03 seconds)
