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公开(公告)号：CN103914405B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201410006692.0
申请日：2014-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/1027
Abstract: 提供了包括存储管理单元（MMU）的片上系统及其存储地址转换方法。所述SoC包括：主知识产权（IP），被配置为输出与多个工作集合中的每一个工作集合相应的请求；包括多个存储管理单元（MMU）的MMU模块，每个MMU被分配用于工作集合中的一个并且被配置为将与所述请求相应的虚拟地址转换为物理地址；第一总线互连，被配置为将所述MMU模块与存储设备连接以及发送所述请求到所述存储设备，在多个MMU中的至少一个中已经对所述请求执行地址转换；以及第二总线互连，被配置为将所述主IP与所述MMU模块连接以及将所述MMU中的一个分配用于多个工作集合中的每一个工作集合。
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公开(公告)号：CN104241142A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410095174.0
申请日：2014-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/441
CPC classification number: H01L21/28008 , H01L21/31138 , H01L21/32139 , H01L21/823431 , H01L21/82345 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66545
Abstract: 本发明提供了制造半导体器件的方法。制造半导体器件的方法包括：在基板上形成层间绝缘层，该层间绝缘层包括第一沟槽和第二沟槽；沿第一沟槽的侧壁表面和底表面形成第一导电层以及沿第二沟槽的侧壁表面和底表面形成第二导电层；在第二导电层上形成掩模图案，该掩模图案填充第二沟槽并且是底部抗反射涂层（BARC）；以及利用掩模图案除去第一导电层。
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公开(公告)号：CN104021090A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410073091.1
申请日：2014-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F12/06 , G06F12/0292
Abstract: 提供了一种操作集成电路的方法。所述方法包括：从第二存储设备接收数据块偏移量，使用该数据块偏移量获得目标条目地址，并且基于目标条目地址读取第一存储设备中存储的缓存器描述符中所包括的多个条目当中的条目。该方法还包括：使用在所述条目中包括的物理地址从所述第一存储设备中包括的多个数据缓存器当中的一数据缓存器读取数据，并将该数据传送到第二存储设备。
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公开(公告)号：CN119133178A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202410758369.2
申请日：2024-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/08 , H01L29/06 , H01L21/8234
Abstract: 提供了集成电路器件及其形成方法。集成电路器件可以包括：晶体管，该晶体管包括在水平方向上彼此间隔开的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；背面配电网络结构(BSPDNS)；在第一源极/漏极区和第二源极/漏极区与BSPDNS之间的基板；在基板中并被第一源极/漏极区重叠的背面接触；在基板中并被第二源极/漏极区重叠的占位器；以及在背面接触和占位器之间在基板中的腔。
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公开(公告)号：CN118738050A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410355860.0
申请日：2024-03-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/07 , H01L21/8234 , H01L21/8232
Abstract: 提供了集成电路器件及其形成方法。集成电路器件可以包括背侧配电网络结构(BSPDNS)、在BSPDNS上的逻辑器件区和无源器件区、背侧绝缘层和坝，背侧绝缘层包括在BSPDNS和逻辑器件区之间延伸的第一部分以及在BSPDNS和无源器件区之间延伸的第二部分，无源器件区包括在背侧绝缘层中的半导体层，坝将背侧绝缘层的第一部分与无源器件区的半导体层分开。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117724765A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311186118.3
申请日：2023-09-14
Applicant: 三星电子株式会社 , 延世大学校产学协力团
Abstract: 提供了一种处理器和检测软错误的方法。该处理器包括指令流水线，其顺序地处理原始指令和通过复制原始指令而生成的复制指令。原始寄存器堆将通过在指令流水线中处理原始指令而获得的结果存储在其第n索引的寄存器内。复制寄存器堆将通过在指令流水线中处理复制指令而获得的结果存储在其第n索引的寄存器内。比较单元响应于控制信号而比较原始寄存器堆中的第n索引的寄存器与复制寄存器堆中的第n索引的寄存器并且输出错误检测信号。
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公开(公告)号：CN116960104A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310467664.8
申请日：2023-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/48 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本公开提供了半导体器件以及制造半导体器件的互连结构的方法。提供一种半导体器件，该半导体器件包括互连结构和连接到互连结构的至少一个前段制程(FEOL)元件，该互连结构包括：第一金属图案或通路结构，在其侧壁上具有间隔物结构；和第一层间电介质(ILD)层，形成在其侧壁上具有间隔物结构的第一金属图案或通路结构的侧部处，其中间隔物结构包括与第一ILD层中包括的材料不同的电介质材料。
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公开(公告)号：CN106656273B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201610941545.1
申请日：2016-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04B5/00 , H04M1/72412 , H04W4/80 , H04M1/18
Abstract: 公开移动系统、移动电子装置和保护套装置。所述移动系统包括电子装置和保护套装置。电子装置通过近场通信(NFC)方案与外部装置进行通信。保护套装置包括：后侧盖，安装在电子装置的后表面以包围电子装置的后表面；前侧盖，选择性地覆盖电子装置的前表面并包括显示模块；连接器装置，连接后侧盖与前侧盖。保护套装置通过从电子装置发射的第一电磁波从电子装置接收电力和信息数据，并使用电力在显示模块上显示信息数据。
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公开(公告)号：CN104021090B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201410073091.1
申请日：2014-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/1009 , G06F13/28
CPC classification number: G06F12/06 , G06F12/0292
Abstract: 提供了一种操作集成电路的方法。所述方法包括：从第二存储设备接收数据块偏移量，使用该数据块偏移量获得目标条目地址，并且基于目标条目地址读取第一存储设备中存储的缓存器描述符中所包括的多个条目当中的条目。该方法还包括：使用在所述条目中包括的物理地址从所述第一存储设备中包括的多个数据缓存器当中的一数据缓存器读取数据，并将该数据传送到第二存储设备。
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公开(公告)号：CN106658465A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610949685.3
申请日：2016-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种通信电路芯片、电子装置以及辅助通信装置。所述通信电路芯片包括控制器、电源管理器和存储器。控制器基于通过天线接收的接收信号选择性地与第一存储卡和第二存储卡之中的一个存储卡通信。电源管理器响应于通过天线接收的接收信号向被选择以与控制器通信的所述一个存储卡传输电力。存储器存储内容数据，从而识别存储在第一存储卡和第二存储卡中的每个中的数据的内容。控制器参考存储的内容数据从第一存储卡和第二存储卡之中选择将与控制器通信的所述一个存储卡。
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