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公开(公告)号：CN102194793B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201110041963.2
申请日：2011-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/0688 , H01L27/11519 , H01L27/11551 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/11578 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/7889 , H01L29/7926 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种三维半导体器件，包括在基板上二维布置的堆叠结构、包括第一互连且设置在堆叠结构上的第一互连层以及包括第二互连且设置在第一互连层上的第二互连层。每个堆叠结构具有包括多个堆叠下部字线的下部区和包括设置在堆叠下部字线上的多个堆叠上部字线的上部区。每个第一互连连接到一条下部字线，每个第二互连连接到一条上部字线。
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公开(公告)号：CN102163457A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110040220.3
申请日：2011-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/107 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C2213/71 , H01L27/11578 , H01L27/11582 , H01L29/7926
Abstract: 提供了非易失性存储器件、其编程方法以及包括其的存储系统。所述非易失性存储器件包括衬底以及在与衬底相交的方向上堆叠的多个存储单元。所述编程方法向被选位线施加第一电压，向未选位线施加第二电压，向被选串选择线施加第三电压，向未选串选择线施加第四电压，并且向多个字线施加编程操作电压，其中，所述第一到第三电压是正电压。
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公开(公告)号：CN101625896A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910158752.X
申请日：2009-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/20
Abstract: 提供了一种多层非易失性半导体存储器的自适应控制的方法和设备，该设备包括：多个存储单元，被组织成多个组；和控制电路，具有查找矩阵，用于提供该多个组的每一个的控制参数，其中每个组的特征被存储在该查找矩阵中，以及每个组的控制参数对应于所存储的该组的特征；该方法包括：将多个存储单元组织成多个组；将每个组的特征存储在查找矩阵中；提供多个组的每一个的控制参数，其中每个组的控制参数对应于它的存储的特征；以及根据它的提供的控制参数驱动每个存储单元。
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公开(公告)号：CN101419835A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810179901.6
申请日：2008-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/3418
Abstract: 提供一种包含多个垂直堆叠层的闪速存储器设备。这些层的每层包括多个存储器单元。行解码器电耦合到所述多个层并被配置成向所述多个层提供字线电压。在所述多个层的至少两层中提供的存储器单元属于相同存储器块并且与所述多个层的至少两层的存储器单元相关联的字线电耦合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102194523B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201110047620.7
申请日：2011-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/14 , G11C16/04 , G11C16/08 , G11C16/16 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 提供一种非易失性存储器件的擦除方法。所述擦除方法向分别连接到所述存储单元的多条字线施加字线擦除电压，向连接到地选择晶体管的地选择线施加特定电压，向在向所述地选择线施加所述特定电压的步骤中在其中形成存储串的衬底施加擦除电压，以及响应于所述衬底的电压变化浮置所述地选择线。
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公开(公告)号：CN101206922B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200710160149.6
申请日：2007-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C16/3418 , G11C16/24 , G11C16/3427
Abstract: 本发明提供了在非易失性存储器中编程的方法，使用增量步进脉冲作为被施加到所选择的字线的编程电压。本方法可以包括：施加预充电电压到偶数位线和奇数位线，以便该偶数位线和该奇数位线被交替地充以预充电电压和高于该预充电电压的升压电压。本方法可以还包括：施加与编程数据相对应的位线电压到偶数位线和奇数位线中所选择的位线。
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公开(公告)号：CN102163465A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110041553.8
申请日：2011-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金杜坤
IPC: G11C29/44
CPC classification number: G11C29/781 , G11C29/765 , G11C29/80 , G11C29/82 , G11C29/846 , G11C2229/723 , H01L27/11582
Abstract: 公开了非易失性存储器件和存储系统。非易失性存储器件包括：主存储单元阵列、冗余存储单元阵列和控制器。主存储单元阵列包括多个位线，每个位线连接到垂直于衬底布置的多个串。冗余存储单元阵列包括多个冗余位线，每个冗余位线连接到垂直于衬底布置的多个冗余串。控制器被配置为控制冗余位线之一，以修复主存储单元阵列中的串。
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公开(公告)号：CN101206922A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200710160149.6
申请日：2007-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C16/3418 , G11C16/24 , G11C16/3427
Abstract: 本发明提供了在非易失性存储器中编程的方法，使用增量步进脉冲作为被施加到所选择的字线的编程电压。本方法可以包括：施加预充电电压到偶数位线和奇数位线，以便该偶数位线和该奇数位线被交替地充以预充电电压和高于该预充电电压的升压电压。本方法可以还包括：施加与编程数据相对应的位线电压到偶数位线和奇数位线中所选择的位线。
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