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公开(公告)号：CN108984018A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810567594.2
申请日：2018-06-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种用于驱动至少划分为触摸感测区域和指纹感测区域的触摸屏中的指纹感测阵列的指纹控制器、一种操作指纹控制器的方法以及一种用于驱动包括指纹感测阵列的触摸屏的驱动集成电路。所述方法包括：从外部模块接收参考定时信号；与参考定时信号同步地生成用于驱动指纹感测阵列的指纹感测定时信号；以及基于指纹感测定时信号驱动指纹感测阵列。
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公开(公告)号：CN103716530B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201310450205.5
申请日：2013-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/232
CPC classification number: H04N5/23241 , G03B2217/007 , G06F1/3206 , H04N5/23222
Abstract: 提供一种用于控制相机的方法和移动装置。所述方法包括：执行与相机有关的第一应用；响应于第一应用的执行而开启相机；检测与第一应用的终止有关的用户输入；确定用户输入是否为请求执行与相机有关的第二应用的应用（App）转换事件；当用户输入是应用转换事件时，终止第一应用的执行，并执行第二应用；当用户输入不是应用转换事件时，终止第一应用的执行，并关闭相机。
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公开(公告)号：CN1303462C
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200410035215.3
申请日：2004-03-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1335
CPC classification number: G02B6/0053 , G02B6/0056 , G02F1/133615
Abstract: 本发明涉及一种光学薄片和应用这种光学薄片的LCD装置。根据本发明的一种LCD装置包括：一其上显示图像的LCD面板；一发光的灯单元；一用来把来自灯单元的光均匀导入到该LCD面板的光导板；一设置在该LCD面板和该光导板之间的光学薄片。该光学薄片包括一用来把来自该光导板的光会聚到该LCD面板上的聚光层，和一粘附在该聚光层的面向该LCD面板的表面上的用来选择性透过和反射由聚光层会聚的光线的反射偏振层。通过这种配置，本发明提供了一种光学薄片和应用这种光学薄片的LCD装置，其减少了辉线，增强了亮度，而且能够防止该光学薄片皱缩。
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公开(公告)号：CN118260588A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311222256.2
申请日：2023-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F18/214 , G06F18/23 , G06N20/00 , G06N3/04
Abstract: 提供了一种提供人工智能(AI)算法的方法、AI算法的操作方法、电子设备、记录介质和计算机程序。提供AI算法的方法包括：加载关于半导体的光谱和半导体的结构的数据集；计算关于半导体的光谱的分布外(OOD)指数；通过将数据集聚类采样到关于根据半导体的OOD指数的至少一个学习数据集中来执行数据拆分；以及提供在已经学习了至少一个学习数据集的多种AI算法当中的最优AI算法。
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公开(公告)号：CN115911045A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210522953.9
申请日：2022-05-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体器件，包括：有源图案，在衬底上；一对第一源/漏图案，在有源图案上；一对第二源/漏图案，在一对第一源/漏图案的顶表面上；栅电极，跨有源图案延伸，并且该栅电极具有面向一对第一源/漏图案和一对第二源/漏图案的侧壁；第一沟道结构，跨栅电极延伸并将一对第一源/漏图案彼此连接；以及第二沟道结构，跨栅电极延伸并将一对第二源/漏图案彼此连接。栅电极包括第一沟道结构的底表面与有源图案的顶表面之间的第一下部、以及第一沟道结构的顶表面与第二沟道结构的底表面之间的第一上部。第一下部的厚度大于第一上部的厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113224162A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110148536.8
申请日：2021-02-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了形成集成电路器件的方法。该方法可以包括在衬底上形成下部结构。下部结构可以包括第一VFET和第二VFET、在第一VFET和第二VFET之间的初始隔离结构、以及在初始隔离结构的相反两侧上和在初始隔离结构与衬底之间的栅极衬层。第一VFET和第二VFET中的每个可以包括底部源极/漏极区、依次堆叠的沟道区和顶部源极/漏极区以及在沟道区的侧表面上的栅极结构。初始隔离结构可以包括依次堆叠的牺牲层和间隙盖层。该方法还可以包括在下部结构上形成顶部盖层、然后通过去除牺牲层而在第一VFET和第二VFET之间形成腔。
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公开(公告)号：CN111916352A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010380974.2
申请日：2020-05-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/78
Abstract: 提供了形成垂直场效应晶体管器件的方法。该方法可以包括在基底上形成第一沟道区和第二沟道区，在基底以及第一沟道区和第二沟道区上形成衬垫，通过去除衬垫的一部分和基底的一部分，在第一沟道区和第二沟道区之间的基底中形成凹部，在基底的凹部中形成底部源极/漏极区，在底部源极/漏极区上形成封盖层，去除衬垫和封盖层，在基底和底部源极/漏极区上形成间隔物，以及在第一沟道区和第二沟道区的侧表面上形成栅极结构。
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公开(公告)号：CN111414792A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201911425163.3
申请日：2019-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种指纹识别设备包括显示器、感测触摸的触摸传感器面板(TSP)以及扫描指纹的指纹识别集成电路(FPIC)。FPIC包括：像素，包括接收由指纹反射的光的光电元件；低噪声放大器(LNA)，通过转换从光电元件接收的电荷来输出信号电压；以及模数转换器(ADC)，将信号电压转换为数字信号。ADC包括：提供可变参考电压的可变参考电压发生器；比较器，将可变参考电压与信号电压相加，对相加的结果执行相关双采样，并通过将相关双采样的结果与斜坡电压进行比较来输出比较信号；以及计数器，通过对比较信号进行计数来输出数字信号。
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公开(公告)号：CN111176494A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201910834738.0
申请日：2019-09-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了电容性触摸面板及其用于获取电容的方法。该方法包括：获取电容性触摸面板中的存在多个电容的多个点之中的选定点处的选定电容值，将所述选定电容值确定为参考电容值，以及使用平衡码执行多驱动，并使用所述参考电容值获取来自所述多个点之中的至少一个点的电容值。
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公开(公告)号：CN110718547A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910630398.X
申请日：2019-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件，包括：半导体衬底，具有凹陷顶部部分和非凹陷顶部部分；第一鳍，从非凹陷顶部部分向上突出并且具有第一厚度；第二鳍，从凹陷顶部部分向上突出并且具有大于第一厚度的第二厚度；第一栅极结构，在非凹陷顶部部分上并且从非凹陷顶部部分围绕第一鳍至第一高度；和第二栅极结构，在凹陷的顶部上并且从凹陷顶部部分围绕第二鳍至不同于第一高度的第二高度。
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