公开(公告)号：CN108663898B

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN201810264409.2

申请日：2018-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全桓徹 ,  金文子 ,  权星元 ,  金熙范 ,  丁昶荣

IPC: G03F1/48 ,  G03F1/62 ,  G03F1/64 ,  G03F7/20

Abstract: 根据示例性实施例，提供一种用于暴露到极紫外光(extreme ultraviolet light，EUVL)的护膜以及一种光刻系统，所述护膜包括护膜膜片以及贴合到所述护膜膜片的框架，其中所述护膜膜片包括碳系主层以及硼系增强层，所述碳系主层具有彼此相对的第一表面与第二表面，所述硼系增强层覆盖选自所述第一表面与所述第二表面中的至少一个表面。根据示例性实施例的护膜可在极紫外光曝光环境中使用较长的时间段。

公开(公告)号：CN106154766B

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201610290516.3

申请日：2016-05-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全桓彻 ,  金文子 ,  权星元 ,  金炳局 ,  R.查利克 ,  郑镛席 ,  崔在爀

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种用于包括极紫外线(EUV)光刻的光刻工艺的保护膜可以减轻在保护膜的隔膜中的热积累。保护膜包括隔膜和在隔膜的至少一个表面上的至少一个热缓冲层。热缓冲层的发射率可以大于隔膜的发射率。热缓冲层的碳含量可以大于隔膜的碳含量。多个热缓冲层可以在隔膜的分开的表面上，热缓冲层可具有不同的性能。盖层可以在至少一个热缓冲层上，盖层可以包括抗氢材料。热缓冲层可以在隔膜的表面的某些部分或全部之上延伸。热缓冲层可以在至少两个隔膜之间。

公开(公告)号：CN108663898A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201810264409.2

申请日：2018-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全桓徹 ,  金文子 ,  权星元 ,  金熙范 ,  丁昶荣

IPC: G03F1/48 ,  G03F1/62 ,  G03F1/64 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F1/64 ,  G03F1/22 ,  G03F1/24 ,  G03F1/62 ,  G03F7/2008 ,  G03F1/48 ,  G03F7/2004

Abstract: 根据示例性实施例，提供一种用于暴露到极紫外光(extreme ultraviolet light，EUVL)的护膜以及一种光刻系统，所述护膜包括护膜膜片以及贴合到所述护膜膜片的框架，其中所述护膜膜片包括碳系主层以及硼系增强层，所述碳系主层具有彼此相对的第一表面与第二表面，所述硼系增强层覆盖选自所述第一表面与所述第二表面中的至少一个表面。根据示例性实施例的护膜可在极紫外光曝光环境中使用较长的时间段。