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公开(公告)号：CN114497055A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202110695655.5
申请日：2021-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11568 , H01L27/11578
Abstract: 提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：第一导线，在垂直于基底的顶表面的第一方向上堆叠；第二导线，在第一方向上延伸，并且与第一导线相交；以及存储器单元，分别设置在第一导线与第二导线之间的多个相交点处。存储器单元中的每个存储器单元包括平行于基底的顶表面的半导体图案、围绕半导体图案的沟道区的第一栅电极和第二栅电极以及位于半导体图案与第一栅电极和第二栅电极中的每个之间的电荷存储图案，半导体图案包括具有第一导电类型的源区、具有第二导电类型的漏区以及在源区与漏区之间的沟道区。
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公开(公告)号：CN112802522A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011259565.3
申请日：2020-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 提供了电阻式存储器装置和操作电阻式存储器的方法。所述电阻式存储器装置包括存储器单元阵列、控制逻辑、电压生成器和读出电路。存储器单元阵列包括连接到位线的存储器单元。每个存储器单元包括用于存储数据的可变电阻元件。控制逻辑接收读取命令并且基于读取命令生成用于生成多个读取电压的电压控制信号。电压生成器基于电压控制信号向位线顺序地施加读取电压。读出电路连接到位线。控制逻辑通过控制读出电路将响应于多个读取电压而从存储器单元顺序地输出的电流的值与参考电流顺序地进行比较，来确定存储在存储器单元中的数据的值。
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公开(公告)号：CN110391332A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910306629.1
申请日：2019-04-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00 , H01L27/1157
Abstract: 提供一种半导体器件及形成半导体器件的方法。半导体器件的一个例子包括：交替重复设置在半导体衬底上的层间绝缘层和水平结构；在半导体衬底上在与半导体衬底的上表面垂直的方向上延伸且在与半导体衬底的上表面平行的第一水平方向上延伸的分离结构；以及设置在分离结构之间的竖直结构。每个水平结构包括多个半导体区域，每一个水平结构的多个半导体区域包括在远离对应竖直结构的侧表面的方向上顺序地布置并且具有不同导电类型的第一半导体区域以及第二半导体区域。
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公开(公告)号：CN110349961A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910242203.4
申请日：2019-03-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11578 , H01L27/11573 , H01L27/11526
Abstract: 本发明提供了一种三维半导体存储器件及其制造方法。所述三维半导体存储器件包括：多个电极结构，所述多个电极结构设置在衬底上并在一个方向上彼此平行地延伸，多个电极结构中的每一个电极结构包括在所述衬底上交替堆叠的电极和绝缘层；多个垂直结构，所述多个垂直结构穿透所述多个电极结构；以及电极分隔结构，所述电极分隔结构设置在所述多个电极结构中彼此相邻的两个电极结构之间。每个所述电极包括：与所述电极分隔结构相邻的外部部分；以及与所述多个垂直结构相邻的内部部分，其中所述外部部分的厚度小于所述内部部分的厚度。
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公开(公告)号：CN109103198A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810585838.X
申请日：2018-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 本公开提供了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：在基板上的多个沟道结构，每个沟道结构在垂直于基板的第一方向上延伸并具有栅极绝缘层和沟道层；公共源极延伸区，包括具有n型导电性的第一半导体层，在基板和沟道结构之间；多个栅电极，在公共源极延伸区上并在每个沟道结构的侧壁上在第一方向上彼此间隔开；以及在基板上的公共源极区，与公共源极延伸区接触并包括具有n型导电性的第二半导体层，其中每个沟道结构的栅极绝缘层延伸以覆盖公共源极延伸区的上表面以及底表面的至少一部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102710739A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210065491.9
申请日：2012-03-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F3/0488 , G06F3/0481 , G06F3/04817 , G06F3/04845 , G06F3/04886
Abstract: 提供一种移动终端及用于该移动终端的对象改变支持方法。所述移动终端包括：显示单元，用于输出至少一个对象；控制单元，控制以下操作中的至少一个：响应于将输出的对象改变为在功能上与输出的对象相似但在类型上与输出的对象不同的第二对象的信号，直接将第二对象显示在显示单元上，而不使用屏幕转换；以及响应于将输出的对象改变为在功能上与输出的对象相似但在类型上与输出的对象不同的第二对象的信号，将引导帧输出到显示单元上，以便于改变输出的对象，而不使用屏幕转换。
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公开(公告)号：CN113224063B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202110074133.3
申请日：2021-01-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体存储器装置可以包括在第一方向上彼此间隔开的第一电极和第二电极以及与第一电极和第二电极两者接触的第一半导体图案。第一半导体图案可以包括在第一方向上顺序地设置的第一子半导体图案至第四子半导体图案。第一子半导体图案和第四子半导体图案可以分别与第一电极和第二电极接触。第一子半导体图案和第三子半导体图案可以具有第一导电类型，第二子半导体图案和第四子半导体图案可以具有与第一导电类型不同的第二导电类型。第一子半导体图案至第四子半导体图案中的每一个可以包括过渡金属和硫族元素。
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公开(公告)号：CN110534524B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201910276163.5
申请日：2019-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种垂直半导体装置，该垂直半导体装置包括其中绝缘图案和导电图案交替且重复地堆叠在基底上的导电图案结构。导电图案结构包括具有阶梯形状的边缘部分。导电图案中的每个导电图案包括与边缘部分中的阶梯的上表面对应的垫区域。垫导电图案被设置为接触垫区域的上表面的一部分。掩模图案设置在垫导电图案的上表面上。接触塞穿透掩模图案以接触垫导电图案。
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公开(公告)号：CN118042845A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202311409969.X
申请日：2023-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种三维铁电存储器装置，包括：沟道，其位于衬底上并在基本上垂直于衬底上表面的竖直方向上延伸；栅极绝缘图案和导电图案，栅极绝缘图案和导电图案在基本上平行于衬底上表面的水平方向上堆叠在沟道的侧壁上并围绕沟道的侧壁；铁电图案，其接触导电图案的外侧壁的一部分；栅电极，其接触铁电图案；以及分别接触沟道的下表面和上表面的第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案。
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公开(公告)号：CN117881193A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311305406.6
申请日：2023-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体存储器件包括：单元基板；顺序地堆叠在所述单元基板上并且在第一方向上延伸的多个栅电极；在不同于所述第一方向的第二方向上延伸并且穿透所述多个栅电极的第一沟道结构和第二沟道结构；以及设置在所述多个栅电极上的位线。所述第一沟道结构和所述第二沟道结构均包括顺序地设置在所述多个栅电极的侧壁上的铁电层、沟道层、栅极绝缘层和背栅电极。所述第一沟道结构和所述第二沟道结构在所述第一方向上彼此相邻并且共享位线。
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