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公开(公告)号：CN109427397A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810796330.4
申请日：2018-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了一种存储器装置、一种存储器系统以及一种操作存储器装置的方法。所述存储器装置可包括操作性地连接至共源极线和多条位线的存储器块，其中存储器块包括相对于共源极线和所述多条位线在存储器块中各自具有对应的位置的第一子块和第二子块。可通过从存储器装置外部接收命令和地址来操作存储器装置，并且基于包括被构造为响应于地址而被激活的字线的第一子块或第二子块的对应的位置，利用经过存储器块的第一预充电路径或者经过存储器块的第二预充电路径，响应于命令对存储器块执行预充电操作。
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公开(公告)号：CN109308929A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201810722252.3
申请日：2018-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 为了操作包括多个NAND串的存储器设备，当选择的字线的电压增加时，使多个NAND串中未选择的NAND串浮置，以使得未选择的NAND串的沟道电压升高。当选择的字线的电压降低时，使未选择的NAND串的沟道电压放电。当选择的字线的电压增加时，可以通过使未选择的NAND串浮置以使得未选择的NAND串的沟道电压的升高与选择的字线的电压的增加一起发生来降低负载，当选择的字线的电压降低时，可以通过在选择的字线的电压降低时使未选择的NAND串的升高的沟道电压放电来降低负载。通过这样降低选择的字线的负载，可以缩短电压建立时间并提高存储器设备的操作速度。
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公开(公告)号：CN118486353A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410110522.0
申请日：2024-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 在一些实施例中，一种存储器件包括：存储单元阵列，包括多个存储块，该多个存储块包括多条字线；传输晶体管电路，包括耦接到多条字线的多个传输晶体管；行解码器，被配置为向多个传输晶体管的第一端子提供块选择电压，并向多个传输晶体管的第二端子提供驱动电压；电压发生器，被配置为生成块选择电压和驱动电压；以及控制电路，被配置为控制行解码器和电压发生器，对多个存储块中的目标存储块执行漏电检测操作，将目标存储块的多条第一检测字线设置为第一电压电平，并将目标存储块的多条第二检测字线设置为第二电压电平。
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公开(公告)号：CN114256249A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202110966715.2
申请日：2021-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/11548 , H01L27/11551 , H01L27/11565 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11578
Abstract: 提供了一种存储器装置。所述存储器装置包括：单元区域，在单元区域中设置有存储器块，每个存储器块包括堆叠在基底上的字线和穿透字线的沟道结构；以及外围电路区域，包括外围电路，外围电路对每个存储器块作为单位执行删除数据的擦除操作。外围电路在擦除操作中基于目标存储器块的位置、目标存储器块中包括的每条字线的高度和每个沟道结构的轮廓中的至少一者，来控制向要删除数据的目标存储器块中包括的每条字线施加的电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114078529A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110760456.8
申请日：2021-07-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
Abstract: 一种用于对多页数据进行编程的非易失性存储器设备的操作方法，该操作方法包括：从存储器控制器接收多页数据；将多页数据当中的第一页数据编程到连接到与选择的字线相邻的字线的第一存储器单元；在对第一页数据进行编程之后，基于第一感测值和第二感测值来读取先前存储在连接到选择的字线的第二存储器单元中的先前页数据；通过将基于第一感测值读取的先前页数据的第一位与基于第二感测值读取的先前页数据的第二位进行比较来计算第一失败位数；并且基于第一失败位数将从第二存储器单元读取的先前页数据和多页数据当中的第二页数据编程到第二存储器单元。
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公开(公告)号：CN112242166A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010370136.7
申请日：2020-04-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种非易失性存储器设备的编程方法，所述非易失性存储器设备包括单元串，所述单元串具有垂直于衬底的表面堆叠的存储器单元，所述方法包括：执行第一编程阶段，包括对连接到第一字线的第一存储器单元进行编程并且将第一通过电压施加到所述第一字线上方或下方的其他字线；以及执行第二编程阶段，包括在完全对所述第一存储器单元进行编程之后对第二存储器单元进行编程，所述第二存储器单元连接到比所述第一字线更靠近所述衬底的第二字线，将第二通过电压施加到所述第二字线下方的第一字线组并将第三通过电压施加到所述第二字线上方的第二字线组，所述第二通过电压低于所述第三通过电压。
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公开(公告)号：CN111863102A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201911256059.6
申请日：2019-12-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开一种非易失性存储器装置及其编程方法。所述非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，包括分别连接到多条位线的多个存储器单元；以及控制逻辑单元，被配置为控制关于所述多个存储器单元的编程操作。控制逻辑单元被配置为：在编程操作期间，通过使用正常编程验证条件来执行关于所述多个存储器单元的正常编程验证操作，以及基于在编程操作期间接收的挂起命令，通过使用与正常编程验证条件不同的初始编程验证条件来执行关于所述多个存储器单元的初始编程验证操作。
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公开(公告)号：CN109817266A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811345556.9
申请日：2018-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/34
Abstract: 一种擦除存储设备的方法，所述擦除存储设备的方法包括：在第一擦除时段，对分别连接到多个字线的存储单元执行第一擦除操作，其中，包括在存储块中的存储单元之中的至少一个存储单元没有擦除通过；在第一擦除时段之后，通过向所述多个字线之中的至少一个字线施加验证电压来确定擦除操作速度，并基于确定的擦除操作速度来确定用于每个字线的有效擦除时间；以及在第二擦除时段，基于确定的有效擦除时间，对分别连接到所述多个字线的存储单元执行第二擦除操作。
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公开(公告)号：CN109658968A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201710947609.3
申请日：2017-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金完东
CPC classification number: G11C16/3404 , G11C16/30
Abstract: 根据本发明构思的实施例涉及一种操作非易失性存储器装置的方法。所述方法包括：对第一虚设存储器单元执行第一编程操作；使用验证电压对第一虚设存储器单元执行验证操作；确定第一阈值电压是否比验证电压高；在确定第一阈值电压比验证电压高的情况下对第一虚设存储器单元执行第二编程操作以将第一虚设存储器单元的阈值电压从第一阈值电压降低。
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