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公开(公告)号：CN112415737A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010086775.0
申请日：2020-02-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02B26/06
Abstract: 提供了一种光调制器件，包括：可变反射镜，该可变反射镜包括多个栅格结构，所述多个栅格结构包括折射率基于材料的温度而变化的材料；分布式布拉格反射镜，该分布式布拉格反射镜与可变反射镜间隔开且设置在可变反射镜上方，该分布式布拉格反射镜包括交替堆叠的第一材料层和第二材料层，并且第一材料层的折射率与第二材料层的折射率不同；以及加热部，该加热部被配置为加热所述多个栅格结构并且与分布式布拉格反射镜相对地设置在可变反射镜下方。
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公开(公告)号：CN104414667A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410448597.6
申请日：2014-09-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H05G1/30 , G01N23/04 , G01T1/24 , G03G15/222 , H01L27/14676
Abstract: 本发明提供去除残余电荷的方法、使用其的X射线成像方法和装置。该去除来自光导体材料的残余电荷的方法包括：在将X射线照射到该光导体材料上的采集操作期间向该光导体材料施加第一电压以形成静电场；以及在去除操作期间向该光导体材料施加第二电压以减少其中残余电荷的量，第二电压与第一电压不同。在一个或多个示例实施例中，该光导体材料可以包括碘化汞(HgI2)。
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公开(公告)号：CN101335301B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN200810088615.9
申请日：2008-03-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/26 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种用于薄膜晶体管的沟道层、一种薄膜晶体管和它们的制造方法。用于薄膜晶体管的沟道层可以包含掺杂有过渡金属的IZO(氧化铟锌)。薄膜层晶体管可以包括：栅电极和沟道层，形成在基底上；栅绝缘层，形成在栅电极和沟道层之间；源电极和漏电极，接触沟道层的端部。
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公开(公告)号：CN101714870A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910175707.5
申请日：2009-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03K19/20 , H03K19/094
CPC classification number: H01L27/0883 , H01L27/1203
Abstract: 本发明提供了一种反相器、操作反相器的方法以及包括反相器的逻辑电路。所述反相器可包括负载晶体管和驱动晶体管，负载晶体管和驱动晶体管中的至少一个可具有双栅结构。负载晶体管或驱动晶体管的阈值电压可通过双栅结构来调整，从而反相器可以是增强/耗尽(E/D)型反相器。
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公开(公告)号：CN101425543A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810168941.0
申请日：2008-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/84 , G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/7869
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)基板，所述TFT基板包括半导体图案、导电图案、第一布线图案、绝缘图案和第二布线图案。半导体图案形成于基板上。导电图案形成为与基板上的半导体图案相一致的层。第一布线图案形成于半导体图案上。第一布线图案包括源极和与源极间隔开的漏极。绝缘图案形成于具有第一布线图案的基板上以覆盖第一布线图案。第二布线图案形成于绝缘图案上。第二布线图案包括形成于源极和漏极上的栅极。因此，使用两个或三个掩膜制造TFT基板，以使得可以降低制造成本。
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公开(公告)号：CN111158170B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN201910564468.6
申请日：2019-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种光学调制设备、光学调制设备的操作方法和包括光学调制设备的装置。光学调制设备可以包括：反射镜区域；纳米天线区域；以及位于反射镜区域和纳米天线区域之间的有源区域，用于改变有源区域的物理性质的多个第一电极和多个第二电极可以彼此交叉以形成交叉点阵列结构。多个第一电极可以包括在反射镜区域中，或者可以与反射镜区域分开设置。多个第二电极可以包括在纳米天线区域中，以及可以与纳米天线区域分开设置。
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公开(公告)号：CN109254422A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201810379043.3
申请日：2018-04-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供光调制器件及包括光调制器件的光设备。光调制器件可以包括纳米天线、导体、以及位于纳米天线和导体之间的有源层。光调制器件还可以包括位于有源层和导体之间的第一电介质层以及位于有源层和纳米天线之间的第二电介质层。光调制器件还可以包括信号施加单元，该信号施加单元被配置为独立地将电信号施加到纳米天线、有源层和导体中的至少两个。
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公开(公告)号：CN108072985A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711135417.9
申请日：2017-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/015
CPC classification number: G02F1/292 , G01S7/4817 , G02F2202/20 , G02F2202/30 , G02F1/015 , G02F2001/0152
Abstract: 本发明提供一种二维(2D)光调制器件以及包括该2D光调制器件的激光雷达装置。该2D光调制器件可以包括多个相位调制元件和电路板。该多个相位调制元件可以包括具有纳米结构的超表面。该电路板可以包括配置为独立地控制分别传输到所述多个相位调制元件的电信号的多个像素电路单元。该多个像素电路单元的每个可以包括晶体管和电容器。
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