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公开(公告)号：CN104576861A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410562329.7
申请日：2014-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/0025 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明提供半导体缓冲结构、半导体器件以及制造半导体器件的方法。该半导体缓冲结构包括硅衬底、形成在硅衬底上的成核层以及形成在成核层上的缓冲层。缓冲层包括由具有均匀的组分比的氮化物半导体材料形成的第一层、在第一层上的由与成核层相同的材料形成的第二层以及在第二层上的由与第一层相同的材料以相同的组分比形成的第三层。
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公开(公告)号：CN101740694A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910225274.X
申请日：2009-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/12
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/12
Abstract: 本发明公开了一种发光器件及其制造方法。本发明提供一种采用晶片接合方法制造的发光二极管(LED)以及通过采用晶片接合方法制造LED的方法。晶片接合方法可以包括在半导体层和接合基板之间插设由金属形成的应力弛豫层。当采用应力弛豫层时，由于金属的柔性，接合基板和生长基板之间的应力可以被抵消，并且由此可以减少或防止接合基板的弯曲或翘曲。
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公开(公告)号：CN100413632C
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200410089930.5
申请日：2004-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B23K35/262 , B23K35/001 , H01L24/10 , H01L24/81 , H01L33/62 , H01L2224/0401 , H01L2224/06102 , H01L2224/16 , H01L2224/81801 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种焊料凸点及其制造方法，以及使用该焊料凸点制造方法焊接发光装置的方法。具体而言，该焊料凸点由包括第一元素至第三元素的化合物形成，其中第一和第三元素一起形成一种具有多个中间相和固相线的化合物。
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公开(公告)号：CN1527448A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN200310120206.X
申请日：2003-12-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01S5/022
CPC classification number: H01S5/0206 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01S5/0207 , H01S5/02236 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/2205 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体激光二极管的辅助装配座及其制造方法，该辅助装配座倒装焊接到一个具有阶梯状第一和第二电极的半导体激光二极管芯片上。该辅助装配座包括：一个具有第一和第二表面的衬底，所述第一和第二表面隔开与所述第一和第二电极之间的高度差相当的阶跃高度；第一和第二金属层，分别形成于所述第一和第二表面上且厚度相同；以及第一和第二焊料层，分别形成于所述第一和第二金属层上且厚度相同，并且分别焊接到所述第一和第二电极上。通过一个工序同时形成厚度相同的两焊料层，由此具有相同的化学成分比，提供几乎相同的熔融特性；可通过辅助装配座有效地排放出在半导体激光二极管芯片工作期间产生的热量。
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