公开(公告)号：CN106980188A

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201611186285.8

申请日：2016-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗炳勋 ,  朴昌泳 ,  朴勇和

IPC: G02F1/017 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/075 ,  H01L31/105

CPC classification number: H01L33/06 ,  G02F1/01725 ,  G02F2001/01733 ,  H01L33/30 ,  H01L33/60 ,  G02F2001/01766 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/075 ,  H01L31/105

Abstract: 提供一种光器件，包括有源层，该有源层包括两个外势垒和该两个外势垒之间的耦合量子阱。该耦合量子阱包括：第一量子阱层；第二量子阱层；第三量子阱层；第一耦合势垒，在第一量子阱层与第二量子阱层之间；以及第二耦合势垒，在第二量子阱层与第三量子阱层之间。第二量子阱层在第一量子阱层与第三量子阱层之间。第二量子阱层的能带隙小于第一量子阱层的能带隙，而且第三量子阱层的能带隙等于或小于第二量子阱层的能带隙。

公开(公告)号：CN106898949A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201610877534.1

申请日：2016-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴昌泳 ,  罗炳勋 ,  朴勇和

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/06 ,  H04N13/02

CPC classification number: H01S5/343 ,  H01S5/06 ,  H04N13/204

Abstract: 本发明公开了一种边缘发射激光光源和包括该边缘发射激光光源的三维(3D)图像获取装置。边缘发射激光光源包括基底；设置在基底上的活性层；波长选择部分，包括配置为选择从活性层发射的光的波长的光栅区域；以及增益部分，配置为使具有选择的波长的光在与活性层平行的方向上共振。

公开(公告)号：CN116471922A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202310079634.X

申请日：2023-01-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗炳勋 ,  李周浩

IPC: H10N97/00 ,  H01L23/64

Abstract: 提供了电容器和包括该电容器的半导体器件。该电容器包括：具有钙钛矿晶体结构的电介质层；第一电极和第二电极，彼此间隔开且电介质层在它们之间。第一电极和第二电极中的至少一个包括具有钙钛矿晶体结构的金属性层、具有离子性质的第一离子层和半导体层。

公开(公告)号：CN110873910B

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN201910643478.9

申请日：2019-07-16

Applicant: 三星电子株式会社 ,  马萨诸塞大学

Inventor： 韩承勋 ,  罗炳勋 ,  巴巴克·米尔扎普尔贝内卡拉耶 ,  阿米尔·阿巴比

IPC: G02B5/08 ,  G02B1/00 ,  H01S5/183 ,  H01S5/187

Abstract: 提供了一种基于超材料的反射器，包括：第一超材料层，包括第一纳米结构的阵列；以及设置在第一超材料层上的第二超材料层，第二超材料层包括第二纳米结构的阵列，其中，第二纳米结构的布置不同于第一纳米结构的布置。

公开(公告)号：CN114792758A

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202210066297.6

申请日：2022-01-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗炳勋 ,  李基荣 ,  李周浩 ,  郑明镐

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/11502

Abstract: 一种电容器和包括该电容器的半导体器件，该电容器包括：第一电极，包括具有钙钛矿晶体结构的第一增强材料和具有钙钛矿晶体结构的第一金属性材料；在第一电极上的第二电极；和在第一电极和第二电极之间的电介质层，其中第一金属性材料具有大于第一增强材料的电负性的电负性。

公开(公告)号：CN106980188B

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN201611186285.8

申请日：2016-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗炳勋 ,  朴昌泳 ,  朴勇和

IPC: G02F1/017 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/075 ,  H01L31/105

Abstract: 提供一种光器件，包括有源层，该有源层包括两个外势垒和该两个外势垒之间的耦合量子阱。该耦合量子阱包括：第一量子阱层；第二量子阱层；第三量子阱层；第一耦合势垒，在第一量子阱层与第二量子阱层之间；以及第二耦合势垒，在第二量子阱层与第三量子阱层之间。第二量子阱层在第一量子阱层与第三量子阱层之间。第二量子阱层的能带隙小于第一量子阱层的能带隙，而且第三量子阱层的能带隙等于或小于第二量子阱层的能带隙。

公开(公告)号：CN110824819A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910047098.9

申请日：2019-01-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩承勋 ,  罗炳勋 ,  柳长雨

IPC: G03B21/20

Abstract: 公开了一种结构光投影仪，包括：光源，被配置为发射光；结构光图案掩模，被配置为接收光源发射的光，结构光图案掩模包括第一区域和第二区域，第一区域被配置为产生具有第一偏振的第一结构光，第二区域被配置为产生具有与第一偏振不同的第二偏振的第二结构光；以及偏振复用偏转器，被配置为使结构光图案掩模产生的所述第一结构光和所述第二结构光分别偏转到不同方向。

公开(公告)号：CN109324466A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201810244963.4

申请日：2018-03-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩承勋 ,  罗炳勋 ,  柳长雨

IPC: G03B21/20

Abstract: 一种超颖投影仪包括：边发射器件，被配置为通过其侧表面发射光；超颖结构层，与边发射器件的上表面间隔开，包括多个纳米结构，所述多个纳米结构具有小于从边发射器件发射的光的波长的亚波长形状尺度；以及路径改变构件，被配置为改变从边发射器件发射的光的路径，以引导该路径朝向超颖结构层。超颖投影仪因此可以被配置为基于将从边发射器件发射的光引导通过超颖结构层来发射结构光的光图案，同时具有相对紧凑的装置尺寸。

公开(公告)号：CN102135671B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201010593275.2

申请日：2010-12-17

Applicant: 三星电子株式会社 ,  光州科学技术院

Inventor： 赵龙哲 ,  李用卓 ,  朴勇和 ,  罗炳勋 ,  朴光模 ,  朴昌洙

IPC: G02F1/017

CPC classification number: G02F1/017 ,  B82Y20/00 ,  G02F1/218 ,  G02F2001/0155 ,  G02F2201/307 ,  G02F2203/12

Abstract: 本发明公开了基于法布里-珀罗谐振反射的具有宽带宽的光调制器。该光调制器包括：底部分布布喇格反射器(DBR)层；包括至少一层和改性层的顶部DBR层；以及设置在底部DBR层和顶部DBR层之间的有源层，其中所述至少一层包括至少一对具有第一折射系数的第一折射系数层和具有第二折射系数的第二折射系数层，所述改性层包括至少一对具有第三折射系数的第三折射系数层和具有第四折射系数的第四折射系数层，所述第三折射系数与所述第四折射系数不同，以及所述第三折射系数层和所述第四折射系数层二者中的至少一个具有第二光学厚度，该第二光学厚度既不是λ/4，也不是λ/4的奇数倍。

公开(公告)号：CN110888195B

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN201910612743.7

申请日：2019-07-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳长雨 ,  韩承勋 ,  权南燮 ,  罗炳勋 ,  李旻璟 ,  李受娟

IPC: G02B6/00 ,  G09F9/35 ,  H10K59/50 ,  H04M1/22

Abstract: 提供一种照明设备，包括：显示面板，包括被配置为显示图像的第一表面、与第一表面相对的第二表面、设置在第一表面和第二表面之间的多个显示像素和被配置为使入射在第二表面上的光透射过第一表面的透射窗口；光源，设置在显示面板的第二表面上，并且被配置为朝向显示面板向对象发射光；以及光传送器，设置在光源和显示面板之间，光传送器被配置为将从光源发射的光作为泛光照明通过透射窗口传送到对象。