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公开(公告)号：CN1996572A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610141682.3
申请日：2006-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L27/24 , H01L45/00 , G11C11/56
CPC classification number: G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/35 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1675 , Y10S977/734
Abstract: 本发明提供了一种制造具有富勒烯层的相变随机存取存储器的方法。该制造相变随机存取存储器的方法包括在衬底上形成开关装置和连接到所述开关装置的下电极、形成覆盖所述下电极的层间介电膜、和在所述层间介电膜中形成暴露一部分下电极的下电极接触孔；通过用栓材料填充所述下电极接触孔而形成下电极接触栓；在至少包括所述下电极接触栓的上表面的区域上形成富勒烯层；和在所述富勒烯层上依次堆叠相变层和上电极。
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公开(公告)号：CN101271960A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200710185759.1
申请日：2007-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/143 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1608 , H01L45/1675
Abstract: 本发明涉及一种相变材料层及其形成方法，相变存储器件及其形成方法。该相变材料层是包括上层部分和下层部分的单层。上层部分和下层部分的晶格是不同的。相变材料层通过供应带有掺杂气体的第一源到衬底形成掺杂的下层而形成。停止该掺杂气体的供应并且通过供应第二源到下层上而形成非掺杂的上层。形成上层和下层使得该上层和下层的晶格不同。
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公开(公告)号：CN101192650A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200710306140.1
申请日：2007-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5678 , C23C16/305 , C23C16/45531 , C23C16/45553 , G11C13/0004 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1616 , H01L45/1683 , Y10T428/31678
Abstract: 提供一种利用Ge化合物形成相变层的方法和利用其制造相变存储器件的方法。制造相变层存储器件的方法包括在待于其上形成相变层的底层上提供第一前体，其中第一前体是包含锗(Ge)且具有环状结构的二价前体。第一前体可以是具有Ge－N键的环亚甲锗烷基基于Ge的化合物或大环亚甲锗烷基基于Ge的化合物。可以利用MOCVD方法、循环CVD方法或ALD方法形成相变层。相变层的组成可以由在0.001－10托范围内的沉积压力、在150℃－350℃范围内的沉积温度和/或在0－1slm范围内的反应气体流量控制。
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公开(公告)号：CN101192649A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200710305197.X
申请日：2007-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/148 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/51 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144
Abstract: 提供了一种相变存储器件以及一种制造相变存储器件的方法。相变存储器件可以包括开关元件以及连接到开关元件的存储节点，其中存储节点包括底部电极和顶部电极、插置在底部电极和顶部电极之间的相变层以及插置在顶部电极和相变层之间的钛－碲(Ti－Te)基扩散势垒层。Ti－Te基扩散势垒层可以为TixTe1－x层，其中x可以大于0并且小于0.5。
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公开(公告)号：CN101162758A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200710096084.3
申请日：2007-04-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1683 , G11C13/0004 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1616
Abstract: 提供一种包含相变层表面处理工艺的制备相变存储装置的方法，所述方法包含：在形成相变层之前，在其上欲形成相变层的底层表面上形成涂层，其中所述涂层具有有助于烷基容易地粘附到所述底层表面的化学结构。在形成涂层之后，采用原子层沉积(ALD)法形成相变层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101093873A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200610136260.7
申请日：2006-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/148 , C23C16/0272 , C23C16/305 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1616 , H01L45/1683
Abstract: 本发明公开了在非晶材料层上制造具有良好结晶性和良好表面形貌的GeSbTe薄膜的方法，以及使用该GeSbTe薄膜制造方法制造相变随机访问存储器的方法及相变随机访问存储器。制造GeSbTe薄膜的方法包括如下操作：通过向非晶材料层上表面供给选自由Ge前驱体、Sb前驱体及Te前驱体组成的组中的一种或两种，由此获得由Ge、Sb、Te、Sb2Te3或掺Sb的Ge形成的籽晶层；以及通过向籽晶层的上表面供给Ge前驱体、Sb前驱体和Te前驱体而形成GeSbTe薄膜。
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公开(公告)号：CN101378013A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200810128072.9
申请日：2008-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/31 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/28282 , H01L21/02178 , H01L21/02263 , H01L21/02356 , H01L21/02362 , H01L21/31604 , H01L21/3162
Abstract: 本发明提供了一种形成氧化铝层的方法和利用该方法制造电荷捕获存储装置的方法。形成氧化铝层的方法可以包括在下面的层上形成非晶氧化铝层、在非晶氧化铝层上形成结晶辅助层和使非晶氧化铝层结晶。形成结晶辅助层的步骤可以包括在非晶氧化铝层上形成非晶辅助层和使非晶辅助层结晶。
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公开(公告)号：CN101232036A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200810008555.5
申请日：2008-01-23
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 申雄澈
CPC classification number: H01L45/1233 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1616 , H01L45/1666 , H01L45/1683
Abstract: 本发明公开一种包含相变层的相变存储器及其制造方法。该相变存储器包括存储节点和开关器件。开关器件连接到存储节点。存储节点包括选择生长在下电极上的相变层。在制造相变存储器的方法中，绝缘中间层形成在半导体衬底上以覆盖开关器件。形成连接到开关器件的下电极，相变层选择生长在所述下电极上。
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公开(公告)号：CN101165934A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710100842.4
申请日：2007-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
CPC classification number: C23C16/305 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1616 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供一种制造相变存储器的方法和形成该相变存储器中的相变层的方法。制造相变存储器的方法包括供应包括Ge的二价第一前体到其上将形成所述相变层的底层上。所述相变层利用MOCVD、循环CVD和ALD方法中的一种形成，并且所述相变层的成分通过沉积压力、沉积温度或反应气体的供应速率控制。所述沉积压力范围为0.001托－10托，所述沉积温度范围为150－350℃，并且所述反应气体的供应速率范围为0－1slm。
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公开(公告)号：CN101000946A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200610121685.0
申请日：2006-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1233 , C23C16/305 , C23C16/45531 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1616 , H01L45/1675 , H01L45/1683
Abstract: 提供了一种形成相变材料薄膜的方法和一种利用该相变材料薄膜制造相变存储器件的方法。该形成相变材料薄膜的方法包括：同时向反应室中供应包括Ge的第一前体和包括Te的第二前体，由此在衬底上形成GeTe薄膜；同时向所述GeTe薄膜上供应包括Te的第二前体和包括Sb的第三前体，由此形成SbTe薄膜；以及重复执行供应所述第一和第二前体以及供应所述第二和第三前体，由此形成GeSbTe薄膜。当为了制造半导体存储器件而利用该形成方法形成相变层时，存储器特性得以改善，而且制造处理提供了简化的工艺和减少的生产成本。
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