公开(公告)号：CN101165934A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200710100842.4

申请日：2007-04-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申雄澈 ,  李在昊 ,  姜允善

IPC: H01L45/00

CPC classification number: C23C16/305 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明提供一种制造相变存储器的方法和形成该相变存储器中的相变层的方法。制造相变存储器的方法包括供应包括Ge的二价第一前体到其上将形成所述相变层的底层上。所述相变层利用MOCVD、循环CVD和ALD方法中的一种形成，并且所述相变层的成分通过沉积压力、沉积温度或反应气体的供应速率控制。所述沉积压力范围为0.001托－10托，所述沉积温度范围为150－350℃，并且所述反应气体的供应速率范围为0－1slm。

公开(公告)号：CN101008099A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200610172885.9

申请日：2006-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔秉龙 ,  金钟玟 ,  李银京 ,  赵庆相 ,  权纯在 ,  李在昊

IPC: C30B1/00 ,  C30B29/62 ,  H01L33/00 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

Abstract: 本发明涉及一种生产纳米线的方法。该方法包括以下步骤：提供具有多个管道形式的孔的多孔模板，将纳米颗粒或纳米颗粒前体填充到该管道中，以及将填充的纳米颗粒或纳米颗粒前体形成为纳米线。根据该方法，可以以简单方式生产高直线性并排列有序的纳米线。

公开(公告)号：CN101192650A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200710306140.1

申请日：2007-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申雄澈 ,  李在昊 ,  姜允善

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56

CPC classification number: G11C11/5678 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45553 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683 ,  Y10T428/31678

Abstract: 提供一种利用Ge化合物形成相变层的方法和利用其制造相变存储器件的方法。制造相变层存储器件的方法包括在待于其上形成相变层的底层上提供第一前体，其中第一前体是包含锗(Ge)且具有环状结构的二价前体。第一前体可以是具有Ge－N键的环亚甲锗烷基基于Ge的化合物或大环亚甲锗烷基基于Ge的化合物。可以利用MOCVD方法、循环CVD方法或ALD方法形成相变层。相变层的组成可以由在0.001－10托范围内的沉积压力、在150℃－350℃范围内的沉积温度和/或在0－1slm范围内的反应气体流量控制。

公开(公告)号：CN1964076A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200610143565.0

申请日：2006-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛光洙 ,  金丙基 ,  李银京 ,  闵约赛 ,  赵庆相 ,  李在昊 ,  崔在荣

IPC: H01L29/792 ,  H01L29/51 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/42332 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/42348

Abstract: 本发明提供了一种使用纳米点作为俘获位的半导体存储器件及其制造方法。所述半导体存储器件包括半导体衬底、形成于半导体衬底中的第一杂质区和第二杂质区、和形成于半导体衬底上与第一和第二杂质区接触的栅结构，其中栅结构包括隧穿层、多个形成于隧穿层上的纳米点、和形成于隧穿层和纳米点上的控制绝缘层，且控制绝缘层包括高k介电层。

公开(公告)号：CN101013741A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200710004081.2

申请日：2007-01-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 周原提 ,  崔太林 ,  李在昊

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  H01L45/00 ,  H01L27/32 ,  H01L27/24 ,  G11C13/02 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L51/0579 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/5614 ,  G11C11/5664 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/285 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0036

Abstract: 本发明公开了有机存储装置及制造该装置的方法。该有机存储装置包括第一电极、第二电极及在第一和第二电极之间延伸的有机活性层，其中有机活性层由一种或多种导电有机材料形成，该导电有机材料包含杂原子且以以下方式构造，使得所述杂原子可用来结合或络合有机活性层内的金属原子。然后，金属离子可以在有机活性层被还原而形成金属丝，从而形成低电阻态，反过来，金属丝可经氧化形成高电阻态，由此用作存储装置。