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公开(公告)号：CN106972017A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201710006922.7
申请日：2017-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
CPC classification number: H01L27/10885 , H01L27/10814 , H01L27/10823 , H01L27/10855 , H01L27/10891 , H01L27/10805
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：基板，包括间隔开的有源区以及使有源区彼此隔离的器件隔离区；和柱阵列图案，包括交叠有源区的多个柱图案，该多个柱图案在第一方向上和在交叉第一方向的第二方向上以相等的距离彼此间隔开，其中该多个柱图案包括在第一方向上和在第二方向上交替地设置的第一柱图案和第二柱图案，第一柱图案的水平横截面的形状不同于第二柱图案的水平横截面的形状。
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公开(公告)号：CN108231691B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN201711392771.X
申请日：2017-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8242
Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在第一区域与第二区域之间的衬底上形成器件隔离膜；形成第一密封膜和第二密封膜，使得第二密封膜的蚀刻选择性小于第一密封膜的蚀刻选择性；图案化第一密封膜和第二密封膜以暴露器件隔离膜的一部分和第二区域，使得底切被限定在第二密封膜的下表面下方；形成填充底切的填充膜，填充膜的厚度在第二密封膜的侧表面上比在其上表面上更厚；去除填充膜的一部分以在底切中形成填充间隔物；在填充间隔物上形成高k电介质膜和金属膜，并且图案化高k电介质膜和金属膜。
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公开(公告)号：CN114975448A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210612427.1
申请日：2018-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242 , H01L21/768 , H01L21/8238 , H01L23/535 , H01L27/092 , H01L27/11 , H01L29/10 , C01G23/053
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。所述半导体装置包括：衬底，包括单元区、核心区及位于单元区与核心区之间的边界区；边界元件隔离层，位于衬底的边界区中以将单元区与核心区隔开；高介电常数介电层，位于边界元件隔离层的至少一部分及衬底的核心区上；第一逸出功金属图案，包括与边界元件隔离层交叠的第一延伸部，第一逸出功金属图案位于高介电常数介电层上；以及第二逸出功金属图案，包括与边界元件隔离层交叠的第二延伸部，第二逸出功金属图案位于第一逸出功金属图案上，其中第一延伸部在从核心区朝单元区的方向上延伸的第一长度与第二延伸部在从核心区朝单元区的方向上延伸的第二长度不同。
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公开(公告)号：CN108400130A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201810127428.0
申请日：2018-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/535
CPC classification number: H01L27/1104 , H01L21/823807 , H01L27/092 , H01L27/10852 , H01L27/10867 , H01L27/10885 , H01L27/10888 , H01L27/10894 , H01L29/1029 , H01L23/535
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。所述半导体装置包括：衬底，包括单元区、核心区及位于单元区与核心区之间的边界区；边界元件隔离层，位于衬底的边界区中以将单元区与核心区隔开；高介电常数介电层，位于边界元件隔离层的至少一部分及衬底的核心区上；第一逸出功金属图案，包括与边界元件隔离层交叠的第一延伸部，第一逸出功金属图案位于高介电常数介电层上；以及第二逸出功金属图案，包括与边界元件隔离层交叠的第二延伸部，第二逸出功金属图案位于第一逸出功金属图案上，其中第一延伸部在从核心区朝单元区的方向上延伸的第一长度与第二延伸部在从核心区朝单元区的方向上延伸的第二长度不同。
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