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公开(公告)号：CN119439633A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202410933794.0
申请日：2024-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/20 , G06F18/27 , H01L21/027
Abstract: 本公开的实施例提供了一种预测极紫外剂量的方法、一种设计光生酸剂的方法和一种制造半导体器件的方法。在预测极紫外剂量的方法中，可以分析在极紫外曝光下光生酸剂分子从光生酸剂阳离子到释放质子的整个光化学反应机制。可以通过针对光生酸剂阳离子的结构优化执行模拟来获得最低未占分子轨道能级。可以通过针对由整个光化学反应机制形成的至少一个中间分子结构的结构优化执行模拟来获得与最低未占分子轨道能级不同的附加参数。可以基于最低未占分子轨道能级和附加参数来获得用于预测极紫外剂量的双参数线性回归模型。
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公开(公告)号：CN109581810B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201811093301.8
申请日：2018-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了包含等离子体光吸收剂的光刻胶组合物和使用该光刻胶组合物制造半导体器件的方法。光刻胶组合物可以包含可显影的聚合物、光致生酸剂、等离子体光吸收剂和有机溶剂。等离子体光吸收剂可以对用于光刻图案化过程的光(例如紫外光)较有透过性，所述光刻图案化过程用以将由光刻胶组合物形成的层图案化，并且对在后续刻蚀过程中产生的光(如由等离子体产生的光)较有吸收性。当形成半导体器件时，图案化的光刻胶层可以被更精确地产生并且可以更好地保持在用于刻蚀半导体器件的多个目标层时所需的性能。
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公开(公告)号：CN115598939A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202210793674.6
申请日：2022-07-07
Applicant: 三星SDI株式会社(KR) , 三星电子株式会社(KR)
Abstract: 本发明提供了一种含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物，以及包括使用其进行显影步骤的形成图案的方法。该含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物包含有机溶剂和被至少一个羟基(‑OH)取代的七角环化合物，其中七角环化合物在环中具有至少两个双键。
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公开(公告)号：CN113135873A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202011392215.4
申请日：2020-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D277/24 , C07D263/32 , C07D233/64 , C07D213/68 , C07C321/30 , C07C319/20 , G03F7/004
Abstract: 提供了光可分解化合物、光致抗蚀剂组合物和制造IC装置的方法，所述化合物在曝光时产生酸并且在未曝光状态下用作中和酸的猝灭碱，并且由式1表示：[式1]其中，在式1中，Ra为包括至少一个氮原子的C5至C40取代或未取代的环状烃基，Ya为C1至C20二价直链或环状烃基，n为1至5的整数，A+为抗衡离子。
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公开(公告)号：CN109559980A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811123457.6
申请日：2018-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027
Abstract: 提供了一种制造集成电路器件的方法，所述方法包括：在基板上形成包括化学增强聚合物的可显影底部抗反射涂覆层；在所述可显影底部抗反射涂覆层上形成包括非化学增强树脂和光酸产生剂的光致抗蚀剂层；通过曝光所述第一区域，在选自所述光致抗蚀剂层的第一区域中从所述光酸产生剂产生酸；将所述曝光的第一区域中的酸扩散到所述可显影底部抗反射涂覆层的第一可显影底部抗反射涂覆区域中，所述第一可显影底部抗反射涂覆区域面向所述第一区域；以及通过将所述光致抗蚀剂层和所述可显影底部抗反射涂覆层显影来去除所述第一区域和所述第一可显影底部抗反射涂覆区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108572513A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201710142957.3
申请日：2017-03-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/075 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/004 , G03F7/0757 , H01L21/0271
Abstract: 本发明构思的实施方式提供用于制造半导体器件的方法。所述方法包括形成包括交替地且重复地堆叠在基底上的绝缘层和牺牲层的堆叠结构。在所述堆叠结构上形成第一光刻胶图案。使用所述第一光刻胶图案作为蚀刻掩模蚀刻所述堆叠结构的第一部分以形成阶梯式结构。所述第一光刻胶图案包括包含多个由以下化学式1和2表示的单元以及任选的多个由以下化学式3表示的单元的共聚物，其中“R1”、“R2”、“R3”、“p”、“q”和“r”与说明书中定义的相同。
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公开(公告)号：CN118255802A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311214564.0
申请日：2023-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供有机金属化合物、包括其的抗蚀剂组合物和使用其的图案形成方法，所述有机金属化合物由下式1‑1至1‑4之一表示。对于式1‑1至1‑4中的M11、L11‑L14、a11‑a14、R11‑R14、X11‑X14、n11‑n15、Y11‑Y13、和R15‑R17的描述，参见说明书。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN109559980B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201811123457.6
申请日：2018-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027
Abstract: 提供了一种制造集成电路器件的方法，所述方法包括：在基板上形成包括化学增强聚合物的可显影底部抗反射涂覆层；在所述可显影底部抗反射涂覆层上形成包括非化学增强树脂和光酸产生剂的光致抗蚀剂层；通过曝光所述第一区域，在选自所述光致抗蚀剂层的第一区域中从所述光酸产生剂产生酸；将所述曝光的第一区域中的酸扩散到所述可显影底部抗反射涂覆层的第一可显影底部抗反射涂覆区域中，所述第一可显影底部抗反射涂覆区域面向所述第一区域；以及通过将所述光致抗蚀剂层和所述可显影底部抗反射涂覆层显影来去除所述第一区域和所述第一可显影底部抗反射涂覆区域。
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公开(公告)号：CN108572513B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201710142957.3
申请日：2017-03-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/075 , H01L21/027
Abstract: 本发明构思的实施方式提供用于制造半导体器件的方法。所述方法包括形成包括交替地且重复地堆叠在基底上的绝缘层和牺牲层的堆叠结构。在所述堆叠结构上形成第一光刻胶图案。使用所述第一光刻胶图案作为蚀刻掩模蚀刻所述堆叠结构的第一部分以形成阶梯式结构。所述第一光刻胶图案包括包含多个由以下化学式1和2表示的单元以及任选的多个由以下化学式3表示的单元的共聚物，其中“R1”、“R2”、“R3”、“p”、“q”和“r”与说明书中定义的相同。
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公开(公告)号：CN115598942A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202210794402.8
申请日：2022-07-07
Applicant: 三星SDI株式会社(KR) , 三星电子株式会社(KR)
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明提供了一种从含金属的抗蚀剂去除边缘珠的组合物，及包括使用组合物去除边缘珠的步骤的形成图案的方法。该从含金属的抗蚀剂去除边缘珠的组合物包含有机溶剂、以及被至少一个羟基(‑OH)取代的七角环化合物，其中该七角环化合物在该环中具有至少两个双键。
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