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公开(公告)号:CN116013824A
公开(公告)日:2023-04-25
申请号:CN202211287021.7
申请日:2022-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/68 , H01L21/683 , H01L27/15 , H01L33/00
Abstract: 提供了一种微半导体芯片转移基板,该微半导体芯片转移基板包括基础基板、提供在基础基板上沿彼此平行的方向延伸并彼此间隔开的导轨、以及在导轨之间提供在基础基板中并配置为容纳微半导体芯片的多个凹槽。
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公开(公告)号:CN115000271A
公开(公告)日:2022-09-02
申请号:CN202210121506.2
申请日:2022-02-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/48 , H01L33/62 , H01L25/075 , H01L21/683
Abstract: 提供了一种包括发光元件的显示转移结构和发光元件转移方法。该显示转移结构包括包含多个阱的基板、以及设置在所述多个阱中的多个发光元件,其中所述多个发光元件具有旋转不对称的平面形状,以及其中所述多个阱分别具有与所述多个发光元件中的每个的平面形状不同的平面形状。
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公开(公告)号:CN107784267A
公开(公告)日:2018-03-09
申请号:CN201710696438.1
申请日:2017-08-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06K9/00
CPC classification number: G06K9/0002 , G06K9/00087
Abstract: 通过对驱动电极和驱动组进行分组,可以增强指纹传感器的感测灵敏度。指纹传感器的处理器可以根据包括多个通道的区域中的总互电容来计算触摸板上的每个节点处的互电容。
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公开(公告)号:CN106997101A
公开(公告)日:2017-08-01
申请号:CN201710043234.8
申请日:2017-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02B27/22
CPC classification number: G02B27/2214 , G02B6/005 , G03H1/0808 , G03H1/2294 , G03H2210/30 , G03H2226/02 , G06F17/142 , H04N13/31 , H04N13/32 , H04N13/351 , H04N13/356 , H04N13/366
Abstract: 本发明提供了一种定向背光单元、三维(3D)图像显示装置和3D图像显示方法。定向背光单元包括具有发射表面的导光板,在发射表面上提供包括第一和第二组光栅元件的多个光栅元件。所述多个光栅元件被布置为使得从第一和第二组光栅元件发射的光束共同传播通过多个像素点,并且分别形成其对应区域彼此不交叠的第一和第二组视点。
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公开(公告)号:CN104415902A
公开(公告)日:2015-03-18
申请号:CN201410379432.8
申请日:2014-08-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B81C1/00888 , B06B1/0292 , B81B2201/0271 , H04R19/005
Abstract: 本发明提供了一种电容式微机械加工的超声换能器(CMUT)及其分割方法。分割CMUT可以包括:在器件晶片的限定多个超声换能器结构的区域中形成第一沟槽,器件晶片包括多个超声换能器结构;通过接合供应电到多个超声换能器的电极垫晶片和器件晶片来形成具有多个超声换能器的超声换能器晶片;以及通过切割在第一沟槽上的多个超声换能器结构和在第一沟槽下面的电极垫晶片,将超声换能器晶片切割成块以形成多个超声换能器。
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公开(公告)号:CN1980075A
公开(公告)日:2007-06-13
申请号:CN200610128982.8
申请日:2006-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/0805 , H03H9/0571 , H03H9/588 , H03H9/706
Abstract: 本发明公开了一种双工器,该双工器防止发射机滤波器和接收机滤波器之间的效应。该双工器包括:基底;发射机滤波器,制造在基底的表面上的预定第一区域中;接收机滤波器,制造在基底的表面上的预定第二区域中;气腔,通过刻蚀基底制造在预定第一区域和预定第二区域之间的区域中,以将发射机滤波器和接收机滤波器彼此隔离。将气腔垂直于发射机滤波器和接收机滤波器设置的方向制造在基底中。因此,可有效地截断元件之间的物理效应。
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公开(公告)号:CN1496951A
公开(公告)日:2004-05-19
申请号:CN200310102403.9
申请日:2003-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于在MEMS封装工艺中的底切的金属布线方法,该方法包括:在硅衬底上设置MEMS元件;将玻璃晶片焊接至具有设置在其上的MEMS元件的硅衬底的上部,该玻璃晶片具有形成于其中用于连接金属布线的孔洞;在该孔洞中沉积用于该金属布线的薄金属膜;以及离子研磨该沉积的薄金属膜。通过离子研磨,该方法能够将金属布线连接至具有底切的通路孔。
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