公开(公告)号：CN1496951A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN200310102403.9

申请日：2003-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋基武 ,  姜锡镇 ,  郑锡焕 ,  李文喆 ,  丁奎东 ,  金钟硕 ,  全灿凤 ,  洪硕佑 ,  姜正浩

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于在MEMS封装工艺中的底切的金属布线方法，该方法包括：在硅衬底上设置MEMS元件；将玻璃晶片焊接至具有设置在其上的MEMS元件的硅衬底的上部，该玻璃晶片具有形成于其中用于连接金属布线的孔洞；在该孔洞中沉积用于该金属布线的薄金属膜；以及离子研磨该沉积的薄金属膜。通过离子研磨，该方法能够将金属布线连接至具有底切的通路孔。